揭露一种方法与系统，用以处理在一掩模或倍缩掩模基底上一个或多个倾斜的特征。在将所述掩模或倍缩掩模基底与一预定的参考系统对准之后，决定在所述掩模或倍缩掩模基底上要被处理的一个特征的一个偏移角，所述偏移角是对于所述预定的参考系统的水平或垂直...

一种内联机结构的制造方法，包括：提供一半导体基底，其上具有第一导电层，以及形成一介电层于上述基底与上述第一导电层上，一开口形成于上述介电层中且延伸至上述第一导电层，经由上述开口将上述第一导电层的一部分移除，以形成一凹蚀处，此凹蚀处具有一...

本发明提供一种异质低介电常数质材与其形成方法。该异质低介电常数质材包括主要层与次要层，其中主要层包括具有第一低介电常数的第一低介电常数材料，次要层包括具有第二低介电常数的第二低介电常数材料，次要层直接与主要层邻接，且第二低介电常数大于第...

本发明提供一种浸润式光刻系统及对具有光阻层的半导体结构的照光方法。该光刻系统由一个光学表面、一个与光学表面的一部分接触且ｐＨ值小于７的浸润流体、以及一个上表面形成有光阻层的半导体结构所构成，其中该光阻层的部分表面与浸润流体接触。此外，本...

本发明提供一种光刻制程、掩膜版及其制造方法，该掩膜版可用于光刻制程。其中，掩膜版包括一个透明基板和一个形成有至少一个开口的吸收层。此外，掩膜版还包括一个波长缩短材料层，设置于开口之中。该波长缩短材料层的厚度大约介于吸收层厚度至光刻制程所...

本发明揭露一半导体元件以及建构此半导体元件的制造方法。在本发明的一个实施例之中，半导体元件包括基材、至少一个形成于基材上的逻辑元件、至少一个形成于基材上的存储元件。逻辑元件包括一个高介电常数的闸介电层，同时存储元件包括一个非高介电常数的...

本发明涉及一种用于研磨半导体晶圆基材的化学机械研磨装置及研磨方法，该装置适用于研磨一晶圆上的一材料层，其包括一底座、数个研磨头、数个研磨垫、一度量器以及一控制器。该研磨头是设置于该底座之上；该研磨垫是设置于该底座之上；该度量器是设置于该...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有一个上层金属化层以及一个电连接至上层金属化层的下层金属化层。本发明的制造方法为先在下层金属化层上形成一个薄停止层，该薄停止层的厚度小于３００埃，较佳为１００埃，其中，用来移除光刻胶和...

本发明揭示一种预测并找出失焦晶片的方法与系统，其使用一水平感测装置，通过读取一第一晶片组中各晶片的表面构形，来找出失焦晶片。再由数据计算一聚焦点偏移，聚焦点偏移对应于一高度，此高度会使表面构形散焦曝光模块的一聚焦点。接着，转换聚焦点偏移...

本发明揭露一种半导体无线频率（ＲＦ）组件，此组件具有一个护罩结构，用以降低ＲＦ被动组件及主动组件的传导绕线之间的耦合效应。在一范例中，此组件于ＲＦ被动组件及传导绕线间设有至少一个护罩层。此护罩层包含至少一个开口。在另一范例中，可使用第二...

一种具有防止制程污染的制造系统，其包括多个制程机台、污染属性确认系统及污染防制系统。上述制程机台用以处理在制品，其具有贡献污染属性设定值及拒绝污染属性设定值。上述污染属性确认系统用以确认上述贡献／拒绝污染属性设定值的设定为正确。上述污染...

本发明是一种金属导线结构及其制程，所述金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层...

一种在半导体与罩幕制造中改善晶圆上的图案化特征结构的临界尺寸均匀性的方法。在一实施例中，提供一种评估装置以评估形成于晶圆上的若干个电路布置的临界尺寸分布，该若干个电路布置由一罩幕定义。在该若干个电路布置上执行一逻辑操作，以撷取图案化特征...

本发明涉及一种于半导体装置中散热的方法及系统。于一实施例中，一种集成电路半导体装置包含一半导体衬底；一个或多个连接于该半导体衬底的冶金层，其中该一个或多个冶金层中的每一个具有：一条或多条导线及在该一条或多条导线间的一个或多个仿结构，并且...

一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该金属氧化物半导体场效应晶体管包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极...

本发明提供一种具有金属氧化物半导体场效应电晶体及其制造方法。先于基底的主动区中形成沟渠，接着形成多个第一绝缘间隙壁于沟渠的侧壁及其外缘，再形成闸介电层于暴露出的基底上。然后，在沟渠上形成栅极，再进行离子布植，以在第一绝缘间隙壁下方与栅极...

本发明提供一种化学机械研磨制程控制方法，帮助在半导体制程中从一批量的晶圆移除材料量的均匀性，且可适用于复杂的制程，例如：浅沟槽隔离制造程序。此方法包括：提供具有一组试作晶圆与一组剩余晶圆的数个晶圆，依据初始制程时间对试作晶圆进行研磨，决...

一种熔丝，至少包括有配置于基材上的硅化组件、耦合于硅化组件第一端的第一终端接触窗、以及配置于硅化组件之上并耦合于第一终端接触窗的第一金属线。所述熔丝更至少包括有耦合于硅化组件第二端的多个第二终端接触窗、以及配置于硅化组件之上并耦合于该多...

本发明提供一种电子熔线及形成该电子熔线的制造方法。一个较佳的实施例包括一个阴极、一个阳极以及一个或多个形成于阴极与阳极之间的连结桥。以第一杂质掺杂于阴极以及邻接阴极的一部分连结桥，此一杂质较佳为ｐ型杂质。以第二杂质掺杂于阳极以及邻接阳极...

本发明为一种冲洗一半导体晶片的一基材且使其干燥的方法与装置，该装置具有一第一喷嘴与一第二喷嘴。第一喷嘴对着此基材施加分配冲洗液。第二喷嘴在一使干燥的周期期间对着此基材施加分配处于压力下的干燥气体，以完全地使此基材干燥。当此基材旋转时，第...