本发明是有关于集成电路结构与提供电源电压至集成电路的方法，所述供应电压至集成电路的方法。一高电压ＶｄｄＨ以及／或一低电压ＶｄｄＬ可被供应至一注入单元并被导引至其余单元。电压ＶｄｄＨ与ＶｄｄＬ当中的每一电压是经由一第一电压供应线与一第二电...

本发明提供一种半导体结构及其制造方法。一半导体基底上的主动区或切割线是沿一抗裂痕的结晶方向设置，因此，可避免因快速热制程急剧的温度变化而产生的热裂痕。

本发明涉及一种半导体封装体及其形成方法，具体为一种多晶片堆叠型的半导体封装体及其制造方法，包含：将多个堆叠的半导体晶片置于一基板，其中一上晶片的横向周围悬于一下晶片的横向周围外，而形成一凹部；将含有一填充物的一支持粘着层置于上述板上，位...

本发明是有关于一种微电子电容器结构，其中此电容器结构与基材中的接触区之间由导体柱层与形成在导体柱层上的内连线层所隔开。连续导体内连线与导体柱层可进一步隔开内连线层与电容器结构。内连线层与连续导体内连线与导体柱层的应用，提供电容器结构在微...

一种具有应变与无应变晶体管的集成电路及其制造方法，利用系统层次能带间隙的工程技术，针对元件中一些需有较高驱动电流通过的区域的结构加以改良。例如，可对ｐ型金属氧化半导体元件中的应变源极／汲极以及对ｎ型金属氧化半导体中的拉伸薄膜等这些部位。...

一种例如用于集成电路的多孔性低介电常数（Ｋ）介电材质层的有机层，其表面具有具开口的孔洞。为了封闭这些孔洞，有机层会与一超临界流体接触，而且超临界流体是一种适用于有机层的溶剂。在小量的表面及孔洞的壁面被溶解后，被溶解的有机材料的相转变会在...

本发明提供一种利用应变硅形成半导体装置的方法以及半导体装置。该方法包括：形成具有第一晶格常数的第一基板材料于装置基板上，再形成具有第二晶格常数的第二基板材料于第一基板材料上。利用第一、第二基板材料定义场效应晶体管的通道、源极以及漏极区，...

本发明涉及一种制造微电子电路元件的方法与集成电路元件，所述制造微电子电路元件的方法，包括：提供具有多个部分完成的微电子元件的基底，微电子元件包括至少部分完成的存储器元件与至少部分完成的晶体管；在部分完成的晶体管部分上形成第一层，以在随后...

本发明涉及一种形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法，具体为一种在具有主动区域的基底上形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法。该方法首先至少在栅极的第一部分上形成金属硅化物。并于该主动区域及该栅极上沉积金属。执行退火程序，使得该金属反应而在...

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，由上而下包括应变单晶硅层、松弛硅－锗层及硅基板层共三层，其中松弛硅－锗层厚度小于５００埃。其形成方法包含外延形成硅－锗层及外延形成单晶硅层，其中硅－锗层于形成时受应力，且于硅－锗层上...

本发明是揭露一种电子式熔线结构。此结构借由多晶硅层上的硅化层形成，其以一第一介电材料部分区隔电子式熔线与半导体基底，且以第二介电材料部分区隔电子式熔线与在熔线正上方的至少一导体。多晶硅层具有不大于约２５００埃的厚度与不大于０．１４微米的...

本发明是关于一种半导体装置，包括：一第一导电区；一介电层，位于该第一导电区上方；一介层开口，位于该介电层内，该介层开口具有多个侧壁以及一底部，该底部接触至少一部分的该第一导电区；以及一或多个阻障层，位于该介层开口的该些侧壁与该底部上，于...

本发明提供一单晶体随机存取存储单元、存储器装置及其制造方法，所述单晶体随机存取存储单元，包括：一基底、一由第一导电型在基底中形成的阱区耦接以接收第一电压、一第一栅极形成于基底中并耦接到字符线、一以第二种导电型在前述阱区中形成的掺杂区，其...

本发明是有关于一种静电放电保护电路的半导体结构及其形成方法，该半导体集成电路结构，包括布置于基材中的复数个二极管。这些二极管电性串联耦接。至少一嵌入区布置于两个二极管间的基材中，以及一供应电压节点电性耦接嵌入区。较佳的是，一保护环包围这...

本发明是关于一种具有逆行井的高电压元件及其制造方法。该高电压元件至少包括：一基材；一闸极区形成于基材上；以及一逆行井位于基材中且紧邻闸极区。其制造方法包括如下步骤：形成第一型的一基材；形成一闸极区位于该基材上；形成第一型的一深井；形成一...

本发明提供一种集成电路封装的静电放电防护方法。该集成电路封装包括封装衬底，其具有多个引脚，连接到半导体芯片上的多个接合垫，其中一些与形成于半导体芯片上的集成电路的ＩＣ接合垫相连接，其它则与集成电路绝缘的浮动接合垫相连接。所述多个引脚包括...

本发明提供一种存储器装置及其制造方法。在一实施型态中，该存储器装置包括多个晶体管，各晶体管包括：多个掺杂区其中一区的一部分，而该掺杂区形成于基材中；以及多个第一导体其中一导体的一部分，该第一导体皆延伸于该多个掺杂区其中一区之上，而该多个...

本发明提供一种信息存取方法和系统、内部知识树更新方法、信息抽取系统，具体涉及一种计算机系统和处理方法，用以储存和存取信息。所述系统包括内部智能型代理器、连接到第一内部智能型代理器的内部知识树、以及外部数据源。该内部智能型代理器，在存取该...

本发明是有关于一种全缺乏ＳＯＩ多临界电压应用。一种集成电路，包括一基材与形成于基材中的一埋式介电层。埋式介电层具有第一厚度于第一区中、具有第二埋式介电层厚度于第二区中，以及具有一阶梯介于第一与第二区之间。一半导体层位于埋式介电层上。埋式...

本发明是一种光罩缺陷侦测系统与方法，所述光罩缺陷侦测系统，包括第一处理装置、第二处理装置、第三处理装置、及储存装置。该第一处理装置是用以将光罩设计数据转换为第一读写机格式光罩数据，其中该第一处理装置包含第一处理模块。该第二处理装置，是用...