本发明提供一种具有阻隔保护层的基板以及形成阻隔保护层于基板上的方法，其中该方法包括：于半导体基板上形成一隔离结构，沉积一原生氮化层于半导体基板上，该氮化层对隔离结构具有一实质的蚀刻选择比。接着，形成一光致抗蚀剂掩膜以部分覆盖原生氮化层。...

一种完全金属硅化的取代栅极的形成工艺，用以制造出含有均匀厚度的金属硅化的栅极。首先，形成栅极介电质于基材之上。之后，形成含硅层于栅极介电质之上。接着，形成介电层于含硅层之上。然后，形成顶层于介电层之上。将栅极介电质、含硅层、介电层与顶层...

本发明是关于一种减少应力导致孔洞形成的线路结构，线路结构具有第一导电层，第一导电层包括一大区域部分，连接于突出部的一端，而突出部具有复数个“ｎ”重叠部分与至少一弯曲部分。突出部的另一端连接介层窗的底部，介层窗之上具有一第二导电层。弯曲部...

本发明是有关于半导体制造领域。具体揭示一种半导体产品的关键尺寸控制方法，用以在小体积高准确度半导体产品的制造流程中，控制一半导体处理操作期间一半导体产品的关键尺寸，上述半导体处理操作期间要求一所需能量值以实现上述关键尺寸。上述控制方法包...

本发明提供一种集成电路结构及制造方法，包括：在半导体衬底上形成隔离场区域；在衬底表面上形成栅电介质层；在栅电介质层上形成栅电极；形成光刻胶且覆盖于主动区域上；选择性地蚀刻虚拟图案；选择性地蚀刻虚拟衬底；接着移除光刻胶；在沿着该栅电极与该...

本发明提供一种冷却装置，用以控制一静电承载座上的一半导体晶圆的温度。上述冷却装置包括一多孔隙流动层、一多孔隙接触层、一多孔隙热交换层、一入口端、一出口端以及循环装置。前述多孔隙热交换层设置于多孔隙流动层与多孔隙接触层之间。前述多孔隙接触...

本发明是有关于一种逻辑开关及利用其的电路。该逻辑开关是利用ＧＩＤＬ电流做为其原始操作机构。电压可提供至位于ｐｎ接面上并和其隔离的掺杂闸极中。第一电压起始ＧＩＤＬ电流，逻辑开关是双向传导的。第二电压停止ＧＩＤＬ电流，但逻辑开关是单向传导的...

本发明是有关于一种在含导体层铜上形成阻障层的方法，其中此含导体层铜会线经由一含氢电浆进行处理，再经由一含氩电浆进行处理，此阻障层可使用一化学气相沉积法，例如原子层沉积法，来加以形成，当此沉积方法使用金属和含碳物质作为源材料时，此二阶段的...

本发明提供一种隔离片以及晶圆储存盒与隔离片的组合。一隔离片，支撑晶圆储存盒中的晶圆堆叠，包括一实质上平坦的主要区域以及多个突出物于该隔离片的周边区域，该多个突出物支撑晶圆堆叠。本发明所述隔离片以及晶圆储存盒与隔离片的组合，可降低与晶圆的...

本发明提供一种晶体管及其形成方法。第一掺杂阱区形成于一阱层的第一主动区中；至少一部分的上述第一掺杂阱区相邻于上述晶体管的一栅极；一凹部形成于上述第一掺杂阱区中，上述凹部的深度较好为至少５００＊；第一隔离区形成于上述阱层的上表面，并至少部...

本发明是一种快速高温处理的方法与系统，所述半导体基板的快速高温处理的方法包括将热源发出的热能导至半导体基板的背面，本发明亦揭露半导体基板的快速高温处理的系统。本发明的效果在于热源发出的辐射热能被导至半导体基板的背面，而半导体基板的正面未...

本发明是有关于一种具有预防裂痕的环状结构的半导体装置及其制造方法，以避免在分割成晶粒的过程中使集成电路产生破裂及脱层的现象。本发明的破痕预防环状结构垂直延伸穿入一半导体工件，并且到达集成电路的金属层。此外，破痕预防环状结构与集成电路的测...

一种横向双扩散金属氧化物半导体（ＬＤＭＯＳ）器件包括用以控制此器件的栅极、形成于第一类型阱中并且用以连接至栅极的漏极、与漏极形成电流通路的源极、以及沉积于栅极与漏极间的第一场氧化区域。形成栅极并且覆盖于第一类型阱的第一部分及第二类型阱的...

本发明提供一种熔丝电路及具有静电放电保护的电性熔丝电路，所述具有静电放电保护的电性熔丝电路，其包括至少一电性熔丝、编程装置、电压源以及保护单元。编程装置串接电性熔丝，且具有至少一晶体管，用以接收控制信号，来控制流过电性熔丝的编程电流。电...

本发明涉及一种半导体元件及其制造方法，所述半导体元件，包括工作元件、位于工作元件上的绝缘层、位于绝缘层中至少一导线及位于绝缘层和导线上的覆盖层。覆盖层为非导电性，且包括至少一第一金属元素。此非导电的覆盖层包括位于导线和导线间的绝缘层上的...

本发明是提供一种光感测器及其制造方法，所述光感测器具有与沟渠式绝缘结构整合的夹止式感光二极管结构，该光感测器包括一第一导电型的基板、至少一位于该基板内的沟渠、至少一该第一导电型的掺杂区以及至少一第二导电型的掺杂区，每一第一导电型的掺杂区...

本发明是关于一种微电子元件及其制造方法。一种微电子元件的制造方法，包括先形成硅基材，其中此硅基材包括具有不同的掺质特性的第一井与第二井。再形成第一应变硅－锗－碳层邻近于第一井，其中第一应变硅－锗－碳层具有第一化学式。接下来，形成第二应变...

本发明提供一种移除金属氧化物的方法，包括于一基底上形成一介电层，于此介电层中形成一金属接触，而此金属接触是具有一金属氧化物位于其上方，以及借使用温度高于约１０℃的水或温度高于约１５℃的化学品以增进金属氧化物的溶解度。

本发明是有关于一种集成电路元件及其形成方法，在基材上形成闸介电层和闸电极。接着沿着闸介电层和闸电极两侧形成一对间隙壁，间隙壁的较佳的基本组成材质为ＳｉＣＯ或ＳｉＣＮ。接着形成源极和汲极。在源极／汲极及间隙壁区域形成接触窗蚀刻阻绝层（ＣＥ...

本发明提供一种制造系统，包括研磨机台、检测机台及控制装置。该研磨机台是通过机械方式移除一基材上的导电物质。该检测机台是通过非破坏性测试方法，测量该导电物质中引起的电磁信号。该控制装置是与该研磨机台及该检测机台耦接，用以在研磨制程进行中，...