本发明涉及一种集成电路封装体及其制造方法，所述集成电路的封装体，其具有凹面的封胶体，以防止元件分层，并增加热传输效率。一聚合物为基础材料的封胶体密封一半导体元件和一接合线，且一空穴结构是借由印刷、激光钻孔、微影、干蚀刻、晶片切割或其它表...

本发明提供一种晶体管及形成应变沟道元件的方法，所述应变沟道晶体管包括第一材料所组成的基底。一由第二材料所组成的源极区是形成在基底的第一凹陷中，且一由第二材料所组成的漏极区是形成在基底的第二凹陷中。一由第一材料形成的应变沟道区是位于源极区...

一种半导体元件，包含具有多个栅极层的栅极结构，其中上述栅极层成层于栅极介电层之上。成对的薄间隙壁形成于相对应的栅极结构的侧壁上。每一薄间隙壁最多为２５纳米宽。栅极结构的长度最多为４０纳米。元件中的源极与漏极区域自对准，并位于邻近每一薄间...

一种半导体元件，包括半导体平台，位于介电层之上；栅极堆栈，形成于半导体平台之上；以及绝缘间隙壁，环绕半导体平台而形成以及填满位于半导体平台边缘之底切区域。

本发明是有关于一种具有一平滑的磊晶层的半导体元件及其制造方法。该方法是藉由较高的反应气体压力形成第一层硅锗磊晶（ＳｉＧｅ）层在基材上，再以较低的反应气体压力形成第二层硅锗磊晶（ＳｉＧｅ）层。

本发明提供一种自动派工方法及系统以及以此方法制造的集成电路产品，具体涉及一种计算机可实现的自动派工方法，其适用于以载具进行馈入的批次制程设备中。本发明所提的方法及系统首先将载具的目前占有率与最佳占有率进行比较，当载具的目前占有率小于最佳...

本发明是关于一种半导体装置的铜内连线结构，该结构的表面区域的粗糙度大于２０埃，且以大于１００埃为较佳。铜内连线结构的表面区域与另一以离子轰击形成的粗糙表面互相接触，以解决铜内连线结构中电子漂移以及应力漂移的问题。

本发明提供一微机电元件及其制造方法与Ｐ型沟道晶体管的制造方法。微机电元件的制造方法，是包含于半导体基底上形成一Ｐ型沟道晶体管，此方法乃通过于该基底上形成栅极结构且于基底内形成少量掺杂的源极／漏极区域。于邻近多晶硅栅极结构的相反侧壁形成氧...

本发明是有关于一种差异掺杂的铜镶嵌结构与其制造方法，该方法包括有提供具有处理表面的半导体制程晶圆，此处理表面具有一开口，以形成半导体特征；于开口之上沉积至少一层含金属与非金属掺质，与后续沉积的铜层形成一热扩散关系；沉积铜层以填满开口；以...

本发明提供一种形成半导体结构的方法，具体为在氮气或其它厌氧气体中，对铜晶种层进行表面处理进而改善铜电镀品质的方法。另一种改善方式是利用抛光处理来加强铜晶种层的可镀性。再一种改善方式是将晶种层在高温中退火，或是在室温下作长时间退火。还有一...

本发明是有关于一种形成一具有可控制步阶高度的浅沟渠隔离结构的方法，在一基板上形成一相对薄的含氮层藉以生产一可控制步阶高度的浅沟渠隔离结构。此含氮层是由一氮硅薄膜和一氮氧硅薄膜所组成，此两薄膜的总厚度低于９００埃，一沟渠开口形成在此含氮层...

本发明是有关于一种具有减少外部能量粒子冲击的半导体装置。其主要包括ＮＭＯＳ晶体管、ＰＭＯＳ晶体管、第一电压以及第二电压。ＮＭＯＳ晶体管位于深Ｎ型井区的Ｐ型井区上。ＰＭＯＳ晶体管位于该深Ｎ型井区的Ｎ型井区上。第一电压耦合至ＰＭＯＳ晶体管的...

本发明提供一种防震系统，包括一第一可动装置，设于一机台与一基础面之间，当基础面承受一震动力时，第一可动装置容许机台于基础面上滑动，以防止震动力传递至机台。本发明的防震系统可以有效的防止地震力传递至机台，因此可避免机台于地震时损伤。且由于...

本发明是有关于一种集成电路及集成电路的电连接再选路方法，具体涉及一种用作电连接选路的集成电路，包括一具有一第一组离散排列的虚设导电段的第一金属层，以及一具有一第二组离散排列的虚设导电段的第二金属层。该第一组和该第二组导电段相互交插而具有...

本发明是有关于一种半导体芯片，至少包含形成在半导体基板上的一快速元件、形成在半导体基板上的一高压金氧半导体，以及利用具有低介电常数的一内连线隔离结构，位于快速元件及高压金氧半导体上。当使用低介电质材料做为连线隔离材料时，可以降低电阻－电...

本发明是有关于一种静电放电防护装置与其制造方法。在实施例中，静电放电防护装置至少包括形成在基材中的齐纳二极管以及形成相邻于齐纳二极管的Ｎ型金氧半导体装置。齐纳二极管具有两个掺杂区、位于两个掺杂区之间的具有接地电位的闸极以及形成在基材中的...

本发明是一种晶圆载具搬运管理方法及系统，具体为一种用以管理晶圆载具搬运的搬运管理系统及方法。于接收一个第二晶圆载具的移出完成信息前，取得将于一部制造机台上处理的第一晶圆载具的识别码，发出带有第一晶圆载具的识别码的移入请求至一个搬运系统，...

本发明揭示一种半导体装置的制造方法，其是应用于使用块硅以外的半导体基底。蚀刻上述半导体基底，以在上述半导体基底中的一主动区旁，形成一隔离沟槽。在上述主动区形成一半导体元件之前，对已蚀刻的上述半导体基底进行退火。本发明所述的半导体装置的制...

本发明是有关于一种以临界（Ｉｎ－Ｓｉｔｕ）的方式从基板或晶圆剥除光阻层的方法，其是利用一Ｈ↓［２］Ｏ电浆配方（Ｒｅｃｉｐｅ）在光阻剥除时，可实质地防止电荷累积在基板或晶圆上。应用上述同时移除光阻以及释放电荷的方法，由于是在晶圆在进行光阻...

本发明提供一种电子式熔线。在一基材上形成一第一层导线。在第一层导线上方，形成一介层窗。此介层窗最好包括一阻障层及一导电材料。在介层窗上方，形成一第二层导线。形成一第一外部接合垫，此第一外部接合垫耦接至第一层导线。形成一第二外部接合垫，此...