本发明提供一种半导体装置及内连线的制造方法。在形成内连线开口及介层洞之前，先于金属层间介电层的表面上形成一化学机械研磨停止层。内连线开口及介层洞可通过双镶嵌制程形成。在将导电材料填入内连线开口与介层洞之后，以化学机械研磨制程对晶圆进行平...

本发明是有关于一种自动掺杂使Ｎ井及Ｎ＋埋藏层隔离的半导体元件，该半导体元件包括有复数个低电压Ｎ井区域偏压在不同的电位上，并藉由一共通Ｎ＋埋藏层及至少一高电压Ｎ井区域与基材隔离。低电压Ｎ井区域经由一共通Ｐ＋埋藏层与下方的共通Ｎ＋埋藏层结合...

本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成一罩幕层于一基材上；形成一隔离区于基材中，以隔离一主动区与一虚设主动区；移除主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第一开口，第一开口暴露出基材；移除虚设主动区中罩幕层的...

本发明提供一种调整浅沟渠隔离结构的应力的方法，以改善晶体管的载子漂移率，主要包括下列步骤：在基材中形成沟渠并且将介电材质填入沟渠，然后在沟渠之间形成ＣＭＯＳ晶体管，且在源极／汲极区域的表面上形成硅化金属层。接着移除一部分的介电材质，以形...

本发明公开了一种利用热膨胀系数不向于基底的插塞构成的双轴应变的晶体管和单轴应变的晶体管及其制造方法，若插塞的热膨胀系数比基底大，则于主动区可形成双轴拉伸应变通道的晶体管；若插塞的热膨胀系数比基底小，则于主动区可形成双轴压缩应变通道的晶体...

本发明提供一种半导体晶片的半导体结构及其形成方法，具体涉及一种形成双栅极结构的方法，在一第一基底上形成一厚度小于３０ｎｍ的埋层绝缘层；在埋层绝缘层上形成一第二基底；在第二基底上形成一垫层；在垫层上形成一遮罩层；形成一第一沟槽，延伸穿过垫...

本发明提供一种集成电路及其制造方法。所述集成电路包括一导电层于一介电层中的一沟槽中，以及一渐层顶盖层于该导电层上，其中该渐层顶盖层包括一渐层的金属合金，于邻近该导电层的浓度大于或等于９５ａｔ％钴、镍、或上述的组合以及于该导电层相对端的浓...

本发明是有关于一种改善元件效能的几何最佳化间隙壁，一种具有梯形间隙壁的互补金属氧化物半导体元件及其制造方法，制造方法具有改良的关键尺寸控制方法与改良的自动对准硅化金属制程，此互补金属氧化物半导体元件包括一半导体基板；一闸极结构至少包括位...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种用在高电压下的晶体管元件中的蚀刻停止层，该蚀刻停止层为一电阻率大于１０ｏｈｍ－ｃｍ的高电阻薄膜，当栅极电压超过５Ｖ时，可用来预防漏电流及改善崩溃电压。本发明的高电压元件的制造方法，可相容...

本发明提供一种具有紫外光保护层的半导体元件及其制造方法，具体为在一半导体基底上形成一种紫外光保护层，用来保护底部材料及电子元件，避免与紫外光反应或因照射而造成损害。紫外光保护层包括一杂质掺杂硅层，其中掺杂物包括氧、碳、氢及氮或上述元素的...

本发明是有关于一种具有完全硅化闸电极的拉伸型通道ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ装置对及其形成方法。该方法包含提供一半导体基板，该半导体基板包含具有个别闸结构的ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ装置区，该个别闸结构包含多晶硅闸电极；在具有该ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ装置区中...

一种自对准的金属绝缘体金属电容结构及其形成方法，此方法包含在介电绝缘层中形成金属填充镶嵌，且其具有曝露表面；形成金属前驱物层在此曝露表面上；对此金属前驱物层进行一工艺，此工艺选自氧化工艺与氮化工艺所组成的族群，以形成电容介电部分；以及形...

本发明涉及一种半导体元件、半导体纳米线元件及其制作方法，具体涉及一种不具变窄或断裂缺点的纳米线，特别是直径小于２０纳米的纳米线，是于退火时利用硅原子堆积而生。其制程为遮蔽一主动区的部分，其中硅原子要不是利用例如二氧化硅、氮化硅等材质来堆...

本发明提供一种使用射频识别的制造控制系统，其包括一触发器、射频识别感应器、控制器及指示器。其中该触发器，当其通过使用者接触而被启动时，发出一触发信号。该射频识别感应器，当其被启动时，读取一射频识别标签中储存的信息。该控制器，其是用以启动...

本发明提供一种磁阻性随机存取存储器装置及其制造方法。该磁阻性随机存取存储器装置包含位于基板上的支柱，且该支柱至少拥有一斜面，而该斜面自基板倾斜一锐角角度。该磁阻性随机存取存储器装置亦包含磁阻性随机存取存储器堆叠，该磁阻性随机存取存储器堆...

本发明提供一种具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，可于源极／漏极区域形成应力诱导层，该应力诱导层包括第一半导体材料及第二半导体材料。利用一系列作用于第一半导体材料的反应操作形成应力诱导层并迫使第二半导体材料进入应力诱导层下层...

本发明提供一种用于管理批次整合的系统、用于管理批次整合的方法，其包括一界面、一储存装置、及一处理器。该界面是用以接收一批次整合设定数据。该储存装置是用以储存第一批次制造信息和该批次整合设定数据。该处理器是用以依据该批次整合设定数据与该第...

本发明提供一种制程控制方法及半导体制造方法，具体涉及一种利用具有加热区域的加热装置的制程控制方法。首先，指定一标的关键尺寸图。取得对应被在一基线设定下的加热装置进行处理的一基材的一基线关键尺寸图。取得对应被在一原始设定下的加热装置进行处...

本发明是有关于一种形成半导体结构的方法，是用来改善闸极控制与末端覆盖结构，此方法包括以下步骤。一闸极介电层在具有一主动区的基材上形成。一闸电极层在闸极介电层上形成。一第一光阻在闸电极层上形成。闸电极层与闸极介电层随后被蚀刻以形成闸极结构...

本发明提供一种预估具高介电栅极介电层的金绝半场效晶体管寿命的方法。上述预估方法包括施加一偏压于一金属－绝缘－半导体场效晶体管元件的栅极上。维持一金属－绝缘－半导体场效晶体管元件的漏极电压等于或小于该偏压。由偏压导致金属－绝缘－半导体场效...