具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管，可于源极／漏极区域形成应力诱导层，该应力诱导层包括第一半导体材料及第二半导体材料。利用一系列作用于第一半导体材料的反应操作形成应力诱导层并迫使第二半导体材料进入应力诱导层下层。该应力诱导层可以位于源极／漏极间的凹陷区域或非凹陷区域。本发明专利技术提供一种方法，利用锗硅化物的氮化或氧化工艺使源极／漏极区域产生应力诱导层，此应力诱导层上层可形成氮化或氧化薄膜，并使锗得以进入应力诱导层下层。本发明专利技术提供另一方法，产生反应层覆盖于应力诱导层之上，使该反应层与应力诱导层产生交互作用。

【技术实现步骤摘要】
具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管
本专利技术涉及一种半导体相关的元件，特别是涉及一种具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管及制造此种晶体管的方法。
技术介绍
过去十多年来，利用缩减金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors，MOSFET)尺寸的方式，包括减少栅极的长度以与栅极氧化层的厚度，已经持续改善了集成电路组成元件的操作速度、效能表现、元件密度及单位成本。为了提高晶体管的表现效能，利用位于半导体基材上的部分应变通道区域来制造金属氧化物半导体场效应晶体管元件可增强载子(Carrier)的迁移率(Mobility)，从而提高p型及n型的金属氧化物半导体场效应晶体管使用效率。一般来说，在n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)晶体管n型通道上形成的拉伸应变(Tensile Strain)可提高电子由源极往漏极方向的迁移率，而在p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)晶体管的p型通道形成的压缩应变(Compressive Strain)则可提高空穴由源极往漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，其特征是该元件至少包含：形成于基材上的栅极；以及形成于栅极任一侧的源极／漏极区域；其中该源极／漏极区域包含应力诱导层，至少包含第一半导体材料及第二半导体材料，其中第二半导体材料的浓度，靠近该应力诱导层 表面上层的浓度大于下层。

【技术特征摘要】
US 2005-1-12 11/034,2821.一种半导体元件，其特征是该元件至少包含：形成于基材上的栅极；以及形成于栅极任一侧的源极/漏极区域；其中该源极/漏极区域包含应力诱导层，至少包含第一半导体材料及第二半导体材料，其中第二半导体材料的浓度，靠近该应力诱导层表面上层的浓度大于下层。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征是该第一半导体材料为硅，该第二半导体材料为锗。3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征是该应力诱导层的该第二半导体材料的浓度，靠近表面上层的浓度大于下层至少5％。4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征是该应力诱导层的上表面高于该基材的上表面。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建豪，蔡邦彦，张志坚，李资良，陈世昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]