本发明涉及一种半导体元件的处理方法以及半导体元件的形成方法，主要是在保护层形成于导电部分之前，先以溶液处理该导电部分的顶部表面，其中该溶液包括：清洁剂以及化学接枝前驱物。溶液中可包括整平湿润剂，用来改善该化学接枝前驱物覆盖的均匀度。上述...

本发明提供一种半导体元件，其包括：一具有开口的介电层；一铜基第一金属层，填满该介电层的该开口并具有一上表面；以及一第一导电性高分子，覆盖该铜基第一金属层的该上表面。本发明还提供一种半导体元件，其包括：一铜基金属层，埋设于一介电层并具有一...

本发明提供一种散热器及使用该散热器的封装体。上述散热器是嵌于一封装体的封胶体上，并置于上述封胶体内的一晶片上，上述封装体包含具有一灌胶口的一基板，上述晶片具有一中心区与距离上述灌胶口最远的一角落，而上述散热器包含：一基座，具有一贯穿开口...

本发明是有关于一种熔丝结构以及其制造方法，在本发明的一个实施例之中，此一方法包括在半导体基材之上提供多层内连线结构。此一多层内连线结构包括复数个熔丝连结特征以及复数个焊线连结特征。一个钝化层形成于多层内连线结构之上，且图案化此一钝化层借...

本发明提供一种改善双镶嵌蚀刻轮廓的方法，具体为一种改善双镶嵌结构中蚀刻轮廓的方法，包括：提供一半导体基底，其中包括一介电绝缘层以及一覆盖其上的硬掩膜层；在硬掩膜层上形成一顺应性的非晶态碳层；形成一沟槽开口，至少延伸穿过非晶态碳层的厚度；...

本发明提供一种半导体装置与浮动栅极存储器，该半导体装置与浮动栅极存储器包括一栅极结构，其包括：位于一基底上的一穿隧氧化层；位于穿隧氧化层上的一浮动栅极；位于浮动栅极上的一介电层；以及位于介电层上的一控制栅极。半导体装置更包括：沿着栅极结...

一种形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法，其是在降低热预算的情况下，降低电浆伤害及／或优先溅镀。此方法包括提供半导体基材，此半导体基材上至少包括下方的至少二半导体结构且此些半导体结构由一间隙分开；以及在不施加吸附偏压以夹持此半...

本发明提供一种封装体。上述封装体具有：第一导体垫于一半导体基底上；第二导体垫于一封装基底上；以及一凸块连接于上述第一导体垫与上述第二导体垫之间，其中上述凸块与上述第一导体垫具有第一界面，上述第一界面具有第一线性尺寸，而上述凸块与上述第二...

本发明提供一种半导体装置及形成辅助介层窗的方法。一基底上形成有一介电层。一双镶嵌结构，嵌入于介电层中且填有一导电材料。一辅助介层窗结构，嵌入于介电层中且填有一非导电材料，其中辅助介层窗结构包括至少二个填有非导电材料的辅助介层窗，且分别邻...

本发明提供一种双极性装置，包括一射极形成在半导体基底中；一集极在半导体基底中与射极侧向的分隔；栅极终端形成在半导体基底上，用以定义射极与集极间的距离；以及外质基极形成在半导体基底上，与射极或集极具有预设距离，其中外质基极、射极、集极以及...

本发明提供一种蚀刻作业管理系统及方法及使用此方法所制作的电子装置。一制程控制器用以取得已处理晶圆的线宽，从目标线宽减掉量测的线宽以取得第一关键尺寸误差，通过相应的第一与第二蚀刻持续时间决定调整后的目标线宽，决定相应于调整后目标线宽的第二...

本发明提供一种平坦化填隙材料的装置及方法，具体涉及一种平坦化基底上填隙材料的装置及方法。上述装置包括一支撑座用以承载该基底，一平板对向设置于该支撑座以及一控制器以控制该平板相对于该支撑座的运动。该平板具有一实质上平坦的表面，且该平板施予...

本发明是关于一种半导体装置与形成栅极间隔物的方法。该方法包括下列步骤：形成一栅极结构，该栅极结构覆盖于一半导体基底的一栅绝缘层上；形成一衬层于该半导体基底、该栅绝缘层与该栅极结构的露出部上；形成一栅极间隔物材料层于该衬层上；定义该栅极间...

本发明的提供一种半导体装置以及其形成的方法。该半导体装置包含有一基底、至少一孔穴墙、一粘着层以及一封装层。该基底具有至少一晶粒。该孔穴墙与该基底相接触，且设置于该晶粒的四周。该粘着层设于该孔穴墙上。该封装层设于该基底上，且该封装层与该粘...

一种形成隔离沟槽的方法及系统，包括于一半导体基板上形成隔离沟槽，以一填沟材料填充此沟槽，此填沟材料可为一介电质，在接近此沟槽的上缘制造出空隙，并于一气体环境下进行加热退火以回流此沟槽边缘，使此边缘圆角化并悬垂于此沟槽。接着形成十分靠近此...

一种用以感测一存储单元的输出的方法，其中该存储单元可在一高电阻状态与一低电阻状态间进行转换，所述用以感测一存储单元的输出的方法包括：　　　　施加一预定电压至该存储单元以产生反映该存储单元的一电阻状态的一输出电流，并施加该预定电压至一至数...

本发明是有关于一种形成差别应变主动区的方法及其应变主动区，其包括提供具有绝缘层上覆半导体结构的半导体基材；在半导体基材的绝缘层中形成掺杂区，此掺杂区是位于后续形成的ＮＭＯＳ主动区下方；图案化半导体基材的上半导体区，以形成ＮＭＯＳ主动区及...

本发明是有关于一种具有高源极耦合比的快闪记忆晶胞系统，其包括至少一传统的浮动闸极元件，具有一浮动闸极、一源极及一汲极。此浮动闸极形成于一第一接合面之上，利用由源极往浮动闸极注入电子的方式为此浮动闸极充电，且在浮动闸极上方沉积至少一第一介...

本发明是有关于一种半导体元件封装结构，在一实施例中，封装元件包括一晶片，晶片具有主动表面及一位于相对侧的耦合表面，晶片具有一或多集成电路和凸块。元件包括热耦合于晶片耦合表面的热分散器以消散晶片的发热。一热介材料介于晶片耦合表面与热分散器...

本发明是关于一种形成半导体装置的方法，适用于形成具有极低介电常数介电材质的一半导体装置，包括下列步骤：依序施行一非等向性蚀刻以及一等向性蚀刻，大体移除形成于该半导体装置内相邻的多个内连物间的一第一介电层的全部，其中于施行该非等向性蚀刻时...