【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路及其制造方法，特别是涉及一种可编程备用记忆体的熔丝结构及其制造方法。
技术介绍
激光可编程记忆体备用结构已经广泛应用在大型记忆体元件之中，使用备用的存储空间来取代损坏元件，从而增加产率。然而，目前的结构之中，激光修复率还比较低，部分原因是因为用来控制激光修复率的制程太过复杂。以及随着半导体技术的尺寸缩小到深次微米，铜镶嵌制程已经可以达到多层内连线的制程水准。而铜具有相对较高的电流密度耐受性，较难用激光使其加以挥发。再加上，将低介电材质的融合成多层介电层的做法，可能使熔丝在激光修复制程的蚀刻步骤中造成产生碎裂。由此可见，上述现有集成电路的熔丝结构以及其制造方法，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决熔丝结构以及其制造方法存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的熔丝结构以及其制造方法，便成了当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的熔丝结构以及其制造方法存在的缺陷，本专利技术人基于...
【技术保护点】
一种集成电路的制造方法，其特征在于至少包括以下步骤：在一半导体基材之上提供一多层内连线结构，其中该多层内连线结构至少包括，复数个熔丝连结特征、以及复数个焊线连结特征；提供一钝化层形成于多层内连线结构之上；图案化该钝化 层借以形成复数个开口，每一开口对准该些熔丝连接特征其中之一，或对准该些焊线连接特征其中之一；形成一导电层在该钝化层以及该些开口上方；图案化该导电层借以形成复数个焊线特征以及复数个熔丝结构，其中每一该些焊线特征与该些焊线连接特 征其中之一形成电性接触，且其中每一该些熔丝结构与该些个熔丝连...
【技术特征摘要】
US 2005-1-24 11/041,5851.一种集成电路的制造方法，其特征在于至少包括以下步骤在一半导体基材之上提供一多层内连线结构，其中该多层内连线结构至少包括，复数个熔丝连结特征、以及复数个焊线连结特征；提供一钝化层形成于多层内连线结构之上；图案化该钝化层借以形成复数个开口，每一开口对准该些熔丝连接特征其中之一，或对准该些焊线连接特征其中之一；形成一导电层在该钝化层以及该些开口上方；图案化该导电层借以形成复数个焊线特征以及复数个熔丝结构，其中每一该些焊线特征与该些焊线连接特征其中之一形成电性接触，且其中每一该些熔丝结构与该些个熔丝连结特征其中之二形成电性接触；形成一覆盖介电层于该些熔丝结构之上；以及图案化该覆盖介电层，借以将至少一该焊线特征暴露出来，同时留下被覆的该些熔丝结构。2.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于其中包括修整该些个熔丝结构其中之一，是借由在该熔丝结构之上导入一激光穿过该覆盖介电层。3.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于其中所述的形成该覆盖介电层的步骤，至少包括形成氧化硅或氮化硅。4.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于其中所述的形成该钝化层的步骤，至少包括形成一材质，该材质是选自于由氧化硅、氮化...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑光茗，郑钧隆，刘重希，庄学理，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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