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本发明是有关于一种熔丝结构以及其制造方法，在本发明的一个实施例之中，此一方法包括在半导体基材之上提供多层内连线结构。此一多层内连线结构包括复数个熔丝连结特征以及复数个焊线连结特征。一个钝化层形成于多层内连线结构之上，且图案化此一钝化层借以形...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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