熔丝结构及其形成方法技术

一种熔丝的形成方法，包括依次在半导体衬底上形成第一介质层和多晶硅层；在多晶硅层中形成至少两个相邻掺杂区域导电类型相反的掺杂区域；在多晶硅层上依次形成硅化物层和第二介质层；在第二介质层上中形成填充有导电材料的通孔及在通孔上形成金属垫。相应地，本发明专利技术还提供一种熔丝结构。本发明专利技术通过采用形成晶体管的多晶硅层作为熔丝的多晶硅层、采用源／漏极的离子注入和形成源／漏延伸区的离子注入形成熔丝结构的不同掺杂区，在编程前后，熔丝结构的电阻值相差较大，利于编程前后状态的检测，同时与现有标准ＣＭＯＳ工艺完全兼容，没有增加额外的掩模版和掺杂工艺、没有增加工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及。
技术介绍
随着半导体工艺得微小化以及复杂度得提高，半导体元件也变得更容易 受各式缺陷或杂质得影响，而单一导线、二极管或者晶体管等的失效往往即 构成整个芯片的缺陷。因此为了解决这个问题，现有技术便会在集成电路中 形成一些熔丝，以确保集成电路的可利用性。一般来说，熔丝连接集成电路中的冗余电路(redundancycircuit), —旦 检测发现电路具有缺陷时，这些冗余电路就可用于修复或取代有缺陷的电路。 以存储器结构为例，现有技术会在结构得最上层制作一些熔丝结构，其作用 在于当内存完成时，若其中有部分存储单元、字线或者导线的功能有问题时， 就可以利用熔丝跳接另一些冗余(redundant cells)的存储单元、字线或者导 线来取代。目前熔丝扩大到可以提供程序化(programming elements )的功能，以使 各种客户可依不同的功能来程序化电路。例如，为了节省研发与制作成本， 晶片厂可以利用导线与存储阵列内每个晶体管相连接，并在导线中增加一个 熔丝，待半导体芯片制作完成后，再由外部进行数据输入，以独特化各个标 准芯片成各式产品芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔丝的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；依次在半导体衬底上形成第一介质层和多晶硅层，所述多晶硅层采用形成晶体管的多晶硅层；在多晶硅层中形成至少两个掺杂区域，所述相邻两个掺杂区域的导电类型相反；在具有至少两个掺杂区域的多晶硅层上形成硅化物层；在硅化物层上形成第二介质层；在第二介质层中形成通孔，所述通孔暴露出硅化物层；采用导电材料填充通孔并与硅化物层相接触；在第二介质层上对着填充有导电材料的通孔位置形成金属垫。

【技术特征摘要】
1. 一种熔丝的形成方法，其特征在于，包括 提供半导体衬底；依次在半导体衬底上形成第一介质层和多晶硅层，所述多晶硅层采用形成 晶体管的多晶硅层；在多晶硅层中形成至少两个掺杂区域，所述相邻两个掺杂区域的导电类型 相反；在具有至少两个掺杂区域的多晶硅层上形成硅化物层； 在硅化物层上形成第二介质层； 在第二介质层中形成通孔，所述通孔暴露出硅化物层；采用导电材料填充通孔并与硅化物层相接触； 在第二介质层上对着填充有导电材料的通孔位置形成金属垫。2. 根据权利要求1所述的熔丝的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层中形 成的掺杂区域为两个，分别为在进行源/漏离子注入工艺中或者在进行源/ 漏延伸区离子注入工艺中同时形成。3. 根据权利要求1所述的熔丝的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层中形 成的掺杂区域为三个，为在进行源/漏离子注入工艺中或者在进行源/漏延伸 区离子注入工艺中同时形成。4. 根据权利要求1所述的熔丝的形成方法，其特征在于，所述通孔中填充的 导电材料以及金属垫为金属铝。5. 根据权利要求1所述的熔丝的形成方法，其特征在于，所述硅化物为金属 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳雄，罗文哲，李智，黄强，姜敏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]