【技术实现步骤摘要】
一种用于DRAM的带VDD自补偿DLL反馈电路系统
本专利技术涉及一种用于DRAM的DLL反馈电路。
技术介绍
随着现代DRAM的产品外部供电电压VDD的降低,DRAM(特别是DDR4)对电源电压的依赖性越来越大。因此JEDEC标准组织在电源电压上的浮动变化要求也越来越苛刻。现代DRAM基本都是基于DLL来保证输出数据眼图的稳定性,如图1所示。反馈电路需要在不同工艺、不同温度、不同电压下都具有与真实路径完全相同延迟,才能尽可能保证输出数据眼图的稳定性。然而真实DRAM应用的系统中,输入输出的信号本身就会随着供电电压的变化而变化,同时考虑到输入输出负载的不同应用场合,我们很难保证反馈电路的匹配性。另一方面,现代DRAM都是基于CMOS工艺的制造设计方式,当供电电压低到接近CMOS期间的阈值电压以后,我们同样很难去确保反馈电路的匹配性。图2是某一例DRAM供电电压VDD对输出相位的扫描图。目前,技术人员需要花费金钱和时间进行金属层改版希望降低对VDD的依赖性,但是效果并不理想。处理此类问题的常规方法大体上有以下两种:1、基本都是通过基于成品芯片的高速测试结果再做改版生产,从而耽误产品进度。2、通过熔丝来调整DLL反馈回路的延迟来优化对VDD的依赖性,但由于无法从根本上解决电路本身就存在匹配失衡的事实,所以只能对某些工艺条件和某些特定温度下的VDD依赖性进行一定程度的优化。
技术实现思路
本专利技术提出一种用于DRAM的带VDD自补偿DLL反馈电路系统,解决在不同工艺、不同温度、不同电压下反馈电路的延迟匹配问题,从而从根本上保证基于DLL的输出数据眼图的稳定性。本专 ...
【技术保护点】
一种用于DRAM的带VDD自补偿DLL反馈电路系统,包括反馈电路,所述反馈电路的输出信号经过逻辑运算后作用于DLL延迟链;其特征在于:DRAM自带的Zq校准信号与设定的熔丝配置编码通过逻辑运算生成对反馈电路的补偿控制信号,所述设定的熔丝配置编码是根据实际测试的VDD依赖曲线的斜率来决定补偿的程度。
【技术特征摘要】
1.一种用于DRAM的带VDD自补偿DLL反馈电路系统,包括反馈电路,所述反馈电路的输出信号经过逻辑运算后作用于DLL延迟链;其特征在于:DRAM自带的Zq校准信号与设定的熔丝配置编码通过逻辑运算生成对反馈电路的补偿控制信号,所述设定的熔丝配置编码是根据实际测试的VDD依赖曲线的斜率来决定补偿的程度。2.根据权利要求1所述的用于DRA...
【专利技术属性】
技术研发人员:王嵩,
申请(专利权)人:西安紫光国芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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