位线接触的形成方法技术

一种位线接触的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有位线注入区；在半导体衬底上形成介质层以及在介质层中形成开口；在半导体衬底形成栓塞注入区；在介质层上及开口的侧壁和底部形成金属钛层以及氮化钛层；将栓塞注入区和金属钛层同时进行退火；形成位线接触。本发明专利技术通过将形成的栓塞注入区的退火与形成硅化钛层的退火同时进行，由于可以采用较低温度退火，形成的硅化钛层厚度均匀，不会造成漏电流的增大。同时由于没有采用现有技术的高温化学气相沉积工艺形成硅化钛层，减少了半导体器件的热预算，防止了由于高温化学气相沉积工艺对半导体器件性能的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及。技术背景半导体存储器是用于存储资料或者数据的半导体器件。在数据资料的存储上以位(Bit)来表示内存的容量。每个用以存储资料的单元称为存储单元 (Cell)。而存储单元在内存内以数组的方式排列，每一个行与列的组合代表 一个特定的存储单元地址。其中，列于同一行或者同一列的多个存储单元是 以共同的导线加以串联。其中，将相同一行(或者相同一列)的存储单元串 联的导线称为字线，而与数据的传输有关的导线称为位线。现有技术公开了 一种形成位线接触的方法，通过沉积一层半球型多晶硅 薄膜于位线接触的形成过程中以减小位线接触的电阻，然后，在多晶硅薄膜 上形成由钛和氮化钛构成的扩散阻障层以及沉积一层金属鴒并形成鴒拴塞， 所述钛用于增加结合力，所述氮化钛用于在鴒拴塞形成过程中起到保护器件 的作用。但是现有技术未公开形成位线接触的金属化工艺。在申请号为200310121355的中国专利申请中还可以发现更多与上述技术 方案相关的信息。在现有技术中，另一种位线接触形成方法通过以下工艺形成参照附图 1A,提供半导体衬底100,所述半导体衬底100上形成有位线注入区1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种位线接触的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有位线注入区；在半导体衬底上形成介质层以及在介质层中形成开口，所述开口暴露出位线注入区；向开口中进行栓塞注入，在半导体衬底中形成栓塞注入区；在介质层上及开口的侧壁和底部形成金属钛层以及氮化钛层；将栓塞注入区和金属钛层同时进行退火；在开口内填充金属钨，去除开口以外的金属钨层、氮化钛层以及金属钛层，形成位线接触。

【技术特征摘要】
1. 一种位线接触的形成方法，其特征在于，包括如下步骤提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有位线注入区； 在半导体衬底上形成介质层以及在介质层中形成开口 ，所述开口暴露出位线注入区；向开口中进行栓塞注入，在半导体衬底中形成栓塞注入区； 在介质层上及开口的侧壁和底部形成金属钛层以及氮化钛层； 将栓塞注入区和金属钛层同时进行退火；在开口内填充金属鴒，去除开口以外的金属鴒层、氮化钛层以及金属钛层， 形成位线接触。2. 根据权利要求1所述位线接触的形成方法，其特征在于，所述退火温度范 围为600至卯0。C。3. 根据权利要求2所述位线接触的形成方法，其特征在于，所述退火在氮气 气氛下进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨中辉，陈文丽，蔡信裕，孙智江，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]