【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有用于减小电容的自对准间隙的装置
技术介绍
[OOOl]本专利技术涉及半导体器件的形成。更具体地，本专利技术涉及具有用于减小电容的间隙的半导体器件的形成。在基于半导体的器件的制造中(例如，集成电路或者平 面显示器)，双大马士革结构可与铜导体材料一起使用，以减小与 在前面一代技术使用的基于铝的材料中的信号传播有关的RC延迟。 在双大马士革中，不是蚀刻该导体材料，而是可将过孔和沟槽蚀刻 入该介电材料并且用铜填充。多余的铜可通过化学机械抛光(CMP ) 去除，留下由过孔连接的铜线，用于信号传输。为进一步减小RC 延迟，可使用多孔的和无孔的低k介电常数材料。在说明书和权利 要求书中，低k定义为k〈.0。美国专利6,297，125^>开了使用空气间隙以减小电容。
技术实现思路
为了实现前述以及符合本专利技术的目的，4是供一种减小半 导体器件配线之间电容的方法。在介电层上形成牺牲层。将多个特 4正蚀刻入该牺牲层和介电层。用填充材并+填充这些特4正。去除牺对生 层，从而填充材料部分在该介电层的表面上保持为暴露状态，其中 暴露的填充材料部分之间有间距，这些间距位于先前被牺牲层占据...
【技术保护点】
一种用于减少半导体器件配线之间电容的方法，包括：在介电层之上形成牺牲层；将多个特征蚀刻入该牺牲层和介电层；利用填充材料填充该特征；去除该牺牲层，从而该填充材料部分在该介电层的表面上保持为暴露状态，其中在该填充材料的暴露部分之间有间距，其中该间距位于先前被该牺牲层占据的区域内，其中该间距具有宽度；利用收缩侧壁沉积物收缩在该填充材料部分之间的该间距的宽度；穿过该收缩侧壁沉积物将间隙蚀刻入该介电层；以及去除该填充材料和收缩侧壁沉积物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-11-30 11/291,6721.一种用于减少半导体器件配线之间电容的方法，包括在介电层之上形成牺牲层；将多个特征蚀刻入该牺牲层和介电层；利用填充材料填充该特征；去除该牺牲层，从而该填充材料部分在该介电层的表面上保持为暴露状态，其中在该填充材料的暴露部分之间有间距，其中该间距位于先前被该牺牲层占据的区域内，其中该间距具有宽度；利用收缩侧壁沉积物收缩在该填充材料部分之间的该间距的宽度；穿过该收缩侧壁沉积物将间隙蚀刻入该介电层；以及去除该填充材料和收缩侧壁沉积物。2. 根据权利要求l所述的方法，进一步包括闭合该间隙以由该间 隙形成袋室。3. 根据权利要求l-2中任一项所述的方法，进一步包括利用导电 材料填充该特征。4. 根据权利要求2-3中任一项所述的方法，其中每个间隙具有容 积并且每个袋室具有容积，其中该每个袋室的容积至少是该袋 室所处间隙容积、的一半。5. 根据权利要求l-4中任一项所述的方法，其中收缩该间距的宽 度包4舌至少一个收缩循环，其中每个收缩循环包fe:收缩沉积阶革殳，其在该:t真充初^f的侧壁上形成沉^积物以 |史缩{亥间3巨；以及收缩形貌成形阶_度，其在该i真充材一+的侧壁上成形沉积物。6. 根据权利要求5所述的方法，其中该收缩沉积阶段包括提供沉积气体；由该沉*积气体形成等离子；以及 停止该沉积气体流。7. 根据权利要求5-6中任一项所述的方法，其中该收缩形貌成形 阶段包括提供不同于该沉积气体的形貌成形气体； 由该形貌成形气体形成等离子；以及 4亭止该形貌成形气体流。8. 根据权利要求6-7中任一项所述的方法，其中该沉积气体至少 包括碳氬化合物、碳氟化合物以及氢氟碳化合物之一，以及该 形貌成形气体至少包括CxFy、 NF3、 CxHy和QHyFz之一。9. 根据权利要求2-8中任一项所述的方法，其中闭合该间隙包括 多个循环，其中每个循环包括方包化沉积阶段；以及方包化形貌成形阶,殳。10. 才艮据权利要求2-9中任一项所述的方法，其中闭合该间隙还去 除该收缩侧壁;兄积物。11. 根据权利要求5-10中任一项所述的方法，其中该收缩该间距的 宽度将该间距的宽度收缩5-80%,并且其中该形貌成形阶段成 形该*|丈缩侧壁沉积物以形成垂直侧壁。12. 根据权利要求2-ll中任一项所述的方法，其中去除该填充材料 发生在闭合该间隙之...
【专利技术属性】
技术研发人员：SM列扎萨贾迪，黄志松，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。