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提供一种减少半导体器件配线之间电容的方法。牺牲层（２１２）形成在介电层（２０８）上。将多个特征（２１６）蚀刻入该牺牲层和介电层。该特征利用填充材料（２１８）填充。去除该牺牲层，从而该填充材料部分在该介电层之上保持为暴露状态，其中在该暴露的该...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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