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一种熔丝的形成方法，包括依次在半导体衬底上形成第一介质层和多晶硅层；在多晶硅层中形成至少两个相邻掺杂区域导电类型相反的掺杂区域；在多晶硅层上依次形成硅化物层和第二介质层；在第二介质层上中形成填充有导电材料的通孔及在通孔上形成金属垫。相应地，...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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