本发明提供一种用以监控半导体生产设备中的处理工具的方法与系统，该方法包括下列步骤：根据一制程设备相关的生产数据，以替一虚拟感测系统选取重要硬件参数；以及收集关于该制程设备的生产数据。该方法更包括下列步骤：于多个的半导体产品生产时，动态地...

一种记忆体阵列及其制造方法，可预防于深介层窗电浆蚀刻时产生电弧，至少包括于基板上的一平行导电线上形成一第一图案组，及在此平行导电线的第一图案组上形成复数个半导体柱并从此延伸，其中一半导体柱至少包括一第一阻障层、一反熔丝层、一二极管及一第...

本发明是有关于一种化学品源的管理系统与方法。在一实施例之中，该系统包括可拆装地承载化学品储槽的支撑件。该系统包括与该支撑件相匹配，用来连接制程模组的化学品供应结构，其中当化学品储槽以可拆装地安装于支撑件之中时，化学品供应结构可将化学品从...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法、半导体装置结构，所述半导体装置包括具有功能图案的多个层，该半导体装置是至少部分由该功能图案构成。该多个层中至少一层进一步包含非功能图案，其中该非功能图案是于该至少一层的功能图案之邻，以形成该至少一层...

本发明提供一种集成电路元件及其形成方法。该集成电路元件包含介电质／金属／第二能隙半导体／第一能隙基底结构。为了降低接触电阻，利用具有较低能隙的第二能隙半导体与金属相接触。该第二能隙半导体的能隙低于第一能隙基底的能隙，且低于１．１ｅＶ。此...

本发明是有关于一种双闸元件具有独立调整的临限电压以改善性能及可靠度，及其形成方法。此方法包括提供一半导体基板，半导体基板的一高临限电压（ＨＶＴ）部上设有一第一闸极介电层，第一闸极介电层上则设有一第一闸极结构。接着在第一闸极结构的任一侧邻...

本发明是有关于一种以控制方式朝一表面排放流体的流体注射设备。此流体注射设备包括：至少一流体供应导管；可旋转且可垂直移动的至少一流体注射器，设置成与至少一流体供应导管流通；以及至少一流体导管，设置在至少一流体注射器中。通过流体注射器的选择...

本发明提供一种半导体基底上的防护环系统，用以保护一集成电路。一第一防护环区域形成于该基底中的一阱区中。一第一电容形成于该第一防护环区域中。该电容包含有二阱接触区以及一第一介电层。该二阱接触区形成于该阱区中，且偏压于一第一供应电压。该第一...

本发明提供一种光感测集成电路元件，是由形成于半导体基底上的光电二极管、介电层、金属接触孔、金属层和保护堆叠层所组成。微透镜是形成于上述层上，其中微透镜包括非平面的表面，特别是，此微透镜是为形成于光电二极管上两面凸的微透镜，可导引、传递和...

本发明提供一种分离栅极快闪元件与其制造方法。所述形成分离栅极快闪元件的方法，于半导体基板上依序形成介电层、导电层、遮罩层以及光致抗蚀剂层。之后将光致抗蚀剂层蚀刻出开口图案，并以此图案蚀刻遮罩层与导电层。蚀刻导电层后将使导电层与介电层交界...

本发明是提供一种降低半导体装置的漏电流的方法以及半导体装置，其中该方法包括提供一半导体基底，至少在该半导体基底上形成一元件，在该半导体基底上形成一第一介电层，使该第一介电层覆盖该元件，在该第一介电层上形成一含氢层，在该第一介电层以及该含...

一种形成用于集成电路制造工艺的光掩模的方法。该方法首先决定最小间距。并确认图案具有一间距小于该最小间距，其中该图案用以形成垂直导电构造。再针对确认出的每一个图案，决定扩增的第一方向及缩减的第二方向以定义一修正图案。并依据设计规则进行检查...

本发明涉及深结结构的形成方法。公开了一种用于形成深结结构的自对准高能注入工艺。通过一掩模结构露出一半导体基底的一既定区，该掩模结构包括一栅极层、一位于栅极层上的硬掩模层、及局部覆盖半导体基底、栅极层及硬掩模层的一光阻层。硬掩模层的厚度大...

本发明关于一种内连结构及其制造方法，上述内连结构包括：基底，其内设置有导电构件；复合低介电常数介电层，位于该基底上，其内设置有至少一个应力调和层；以及导电物，位于该复合低介电常数介电层内，通过该应力调和层并电连接于该导电构件。本发明亦关...

本发明提供一种半导体结构以及形成半导体晶体管的方法，该半导体结构包含有一基底、以及一应力层。该基底具有一第一元件区与一第二元件区。该应力层于该第一元件区与该第二元件区上。该应力层在该第一元件区内有一第一部分，具有一第一应力。该应力层在该...

本发明提供一种静电放电防护电路以及半导体结构，在一静电放电事件时，用以从一第一焊垫释放一静电放电电流至一第二焊垫。该电路包含有多个双极性接面晶体管，以一基极至射极的连接方式，依序的耦接在一起。所述双极性接面晶体管包含有一第一双极性接面晶...

本发明提供一种静电放电防护电路布局架构，包括：第一金属氧化物半导体元件区、第二金属氧化物半导体元件区以及第二掺杂型态的掺杂区。其中第一金属氧化物半导体元件区，具有第一掺杂型态的至少一源／漏极区；第二金属氧化物半导体元件区，具有第一掺杂型...

本发明是有关一种半导体内连接结构的顶金属线上的保护结构及其形成方法，其揭露了在一内连接结构的一顶金属线上形成一保护结构，特别是一种形成保护结构在一内连接结构的顶金属线上的方法，该方法至少包括以下步骤：提供一保护层于该顶金属线上；提供一电...

本发明揭示一种在半导体基板上形成具有强化蚀刻阻抗的图案化光阻的方法。首先在基板上形成图案化光阻，在图案化光阻之上形成含硅聚合物层，接着以热处理工艺在图案化光阻及含硅聚合物层之间形成连接两层的交联抗蚀刻保护层，之后，移除剩余的含硅聚合物层...

本发明是有关于一种处理基材的方法及其应用元件。此基材具有至少一滤光区、复数个焊垫以及复数个切割线，其中这些切割线环绕滤光区与焊垫。形成第一平坦化层于基材上。此第一平坦化层在上述的滤光区、焊垫与切割线上具有实质平坦的上表面。在第一平坦化层...