本发明是有关于一种电容结构，具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层具有一第二面积，第二面积小于介...

一种晶圆传送盒，包括一本体、一置架以及一锁扣件。置架设于该本体上。锁扣件设于本体与置架之间，用来将置架固定于本体上，并使置架与本体之间形成一置物空间。在置架的正面设置一夹槽以及一投入口，夹槽用来放置晶片留言单，而自动流程单经由该投入口投...

一种制造半导体元件的方法，包括形成负光刻胶层，此负光刻胶层形成后可被显影剂溶解。负光刻胶层利用无铬膜光刻掩膜形成图案，此图案化至少改变负光刻胶层的一部分，使被改变部分不被显影剂所溶解。将已图案化的负光刻胶层显影，并移除未改变的部分以在负...

本发明提供一种在半导体元件中蚀刻介电材料的方法。提供一导电区域之后，形成一介电层于导电区域之上；再形成一抗反射层于介电层上；执行去除湿气步骤以去除该抗反射层以及该介电层与该抗反射层间的界面区域的湿气；转换一光罩图案至该抗反射层与该介电层...

本发明是有关于一种记忆体元件及其制造方法。该记忆体元件形成于绝缘层上有半导体（ＳＯＩ）结构之上，ＳＯＩ结构包括一基底、一绝缘层位于基底之上和一半导体层位于绝缘层之上。记忆体元件具有一位于ＳＯＩ结构的记忆区域的记忆体阵列、复数个第一基底接...

一种决定制造基板上低介电常数薄膜的介电系数的方法与系统。此方法包含用椭圆仪测量介电常数的电子组成，用红外光谱仪测量介电常数的离子组成，用微波光谱仪测量整体介电常数，推导出介电常数的偶极组成。此测量方法为非接触式。该系统包含：一椭圆仪用来...

本发明提供一种非凹槽式封装体。上述非凹槽式封装体包含：一非凹槽式基底具有相反的第一表面与第二表面，上述第一表面上具有一外部接点；第一晶片通过焊线与上述非凹槽式基底的上述第一表面连接；一封装胶体覆盖上述第一晶片；一导体凸块凸出于上述非凹槽...

本发明是有关于一种形成多层半导体元件的方法，可消除于晶圆验收测试后所产生的导电性突起物，此方法包括形成一第一导电内连线层、进行一晶圆验收测试制程以及在此导电内连线层上进行一化学机械研磨制程。

本发明是有关于一种用于较佳半导体元件封装的方法与系统。在一例子中，一半导体元件封装构造包括一封装基板；至少一具有配向（１００）的晶片，其设于该基板上并且该封装基板与该晶片之间有电性连接；以及底层填胶，其用来将该晶片接合至该封装基板，该底...

本发明提供一种接合垫结构及其形成方法。所述接合垫结构，其包括一顶部介层窗图案。顶部介层窗图案具有至少一第一介层窗组以及与其相邻的至少一第二介层窗组。第一介层窗组具有朝一第一方向延伸的至少两个线型介层窗，而第二介层窗组具有朝不同于第一方向...

本发明是有关于一种磁阻结构，例如用为磁场感应器中的自旋阀（Ｓｐｉｎ－ｖａｌｖｅ）或巨磁阻（Ｇｉａｎｔ　　Ｍａｇｎｅ　　ｔｏＲｅｓｉｓｔａｎｃｅ；ＧＭＲ）堆叠。此磁阻结构使用扭转耦合（Ｔｗｉｓｔｅｄ　　Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）去诱发自由层与钉住...

本发明涉及一种运用薄介电质单位电容器的电路，所述电路包括一个或一个以上电路模块；以及一个或一个以上的去耦模块，耦接该电路模块，其中，每一去耦模块具有一个或一个以上的去耦薄介电质单位电容器，每一去耦薄介电质单位电容器包括：一第一节点，耦接...

本发明有关于一种热电晶圆夹盘。此热电晶圆夹盘包括用以承载晶圆的晶圆承载面；以及与晶圆承载面热接触的热电模组，其用以加热或冷却晶圆承载面及晶圆。

本发明提供一种光罩制造系统与光罩制造方法该光罩制造系统包括至少一个曝光单元，用以选取一配方以供随后在一处理单元内执行的一烘烤程序使用，一缓冲单元耦合至该曝光单元以将该光罩的基板由该曝光单元移动至该后处理单元，而不会使该光罩的基板曝露至环...

本发明提供一种半导体装置以及用于形成ＳＲＡＭ单元的方法。其中，该半导体装置包括：第一元件、第二元件、斜置接触型导线。该第一元件，其大致呈一第一方向。该第二元件，其大致呈一第二方向，其中该第二方向与该第一方向平行或垂直。该斜置接触型导线，...

本发明是有关于一种以添加物改善金属硅化物热稳定度的方法。实施例包括：形成多层堆叠排列结构，其中此多层堆叠排列结构包括位于基材上的添加物层，和位于添加物层上的金属层；以及对多层堆叠排列结构进行退火，藉以在基材上形成金属硅化物层，其中此金属...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法。一Ｐ型带形／环形区是较佳沿着重掺杂源极／漏极区的沟道侧边缘形成，以中和Ｎ型态物质的扩散。一扩散阻滞区是通过至少实质上重叠或延伸出Ｐ型带形／环形区和Ｎ＋源极／漏极区的沟道侧，以阻滞Ｎ型和Ｐ型掺杂物。本...

本发明是有关于一种多层金属层半导体元件及其制造方法。该多层金属层半导体元件包括：一第一金属层；一第一蚀刻中止层；一第一绝缘层；一第二金属层；一第二蚀刻中止层；一第二绝缘层；及一第三金属层。该制造方法包括：形成一第一金属层；形成一第一蚀刻...

本发明提供一种集成电路结构，用以防止集成电路中的耦合噪声，包括：耦接于接地信号的封环包括多个金属线，每一金属线分别对应每一金属层且环绕其晶片的电路区；电性连接各金属线的多个穿孔；以及隔绝各金属层于其他金属层之外的多个介电层。封环可能额外...

本发明是有关于一种具内连导线的斜低陷部的半导体元件与在其导电部间建立电性联系的方法，该半导体元件，其具有在金属化过程中用来容纳金属的倾斜金属低陷部（Ｏｂｌｉｑｕｅ　　Ｒｅｃｅｓｓ）。在一例示中，半导体元件包括形成于导电垫上的介电层，其中...