非凹槽式封装体制造技术

本发明专利技术提供一种非凹槽式封装体。上述非凹槽式封装体包含：一非凹槽式基底具有相反的第一表面与第二表面，上述第一表面上具有一外部接点；第一晶片通过焊线与上述非凹槽式基底的上述第一表面连接；一封装胶体覆盖上述第一晶片；一导体凸块凸出于上述非凹槽式基底的第二表面，且与其电性连接；尺寸大于上述第一晶片的第二晶片，具有一主动表面电性连接于上述导电凸块；以及一底胶置于上述第二晶片与上述非凹槽式基底的第二表面之间，而将上述导体凸块封于其中。本发明专利技术所述的非凹槽式封装体，可提升制程良率，并减少使用本发明专利技术的非凹槽式封装体的终端产品的外观尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体制程，特别是关于多晶片模组(multi-chip module；MCM)。
技术介绍
图1是显示一现有的晶片堆叠封装体，其具有一基底100，具有第一表面101与第二表面102。而锡球150是置于第一表面101上。焊锡凸块112是电性连接基板100的第二表面102与大晶片110(例如为数字晶片)的主动表面。一小晶片120(例如为模拟晶片)，则叠于大晶片110的背面。小晶片120是通过焊线131与132，与基底100连接。然而，大晶片110与小晶片120之间的晶片面积的差异，会造成品质上的问题。如图1所示，较长的焊线132有可能会接触到大晶片110的边缘，而有可能在形成封装胶体140的封胶制程中，偏离既定位置并接触到邻近的其他焊线(未绘示)，因而发生焊线短路(wire short；以下简称“线短”)的问题，而对制程良率造成不良影响。另外，晶片堆叠封装体的高度通常为1.4～1.6mm，且无法再缩减其尺寸。为了解决上述线短的问题，通常从修改小晶片120的焊垫排列方面着手。改良后的小晶片120中，焊垫仅排列于其主动表面的两侧。将此改良后的小晶片粘于大晶片110背面的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非凹槽式封装体，该非凹槽式封装体包含：一非凹槽式基底具有相反的第一表面与第二表面；第一晶片通过焊线与该非凹槽式基底的该第一表面连接；一封装胶体覆盖该第一晶片；以及尺寸大于该第一晶片的第二晶片，电性连接于该 非凹槽式基底的该第二表面。

【技术特征摘要】
US 2005-4-15 11/107,0301.一种非凹槽式封装体，该非凹槽式封装体包含一非凹槽式基底具有相反的第一表面与第二表面；第一晶片通过焊线与该非凹槽式基底的该第一表面连接；一封装胶体覆盖该第一晶片；以及尺寸大于该第一晶片的第二晶片，电性连接于该非凹槽式基底的该第二表面。2.根据权利要求1所述的非凹槽式封装体，其特征在于，该第二晶片与该第一晶片的面积比不小于2。3.根据权利要求1所述的非凹槽式封装体，其特征在于，该第二晶片与该第一晶片的面积比为2至4。4.根据权利要求1所述的非凹槽式封装体，其特征在于，该非凹槽式基底为阵列式的基底，包含多个封装单元。5.根据权利要求1所述的非凹槽式封装体，其特征在于，该非凹槽式基底位于该第一晶片与该第二晶片之间，形成三明治结构。6.根据权利要求1所述的非凹槽式封装体，其特征在于，该第一晶片具有矩形的主动表面、与多个焊线连接垫，该焊线连接垫是沿着该主动表面的四边排列。7.一种非凹槽式封装体，该非凹槽式封装体包含一非凹槽式基底具有相反的第一表面与第二表面，该第一表面上具有一外部接点；第一晶片通过焊线与该非凹槽式基底的该第一表面连接；一封装胶体覆盖该...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏昭源，曹佩华，黄传德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]