集成电路结构制造技术

本发明专利技术提供一种集成电路结构，用以防止集成电路中的耦合噪声，包括：耦接于接地信号的封环包括多个金属线，每一金属线分别对应每一金属层且环绕其晶片的电路区；电性连接各金属线的多个穿孔；以及隔绝各金属层于其他金属层之外的多个介电层。封环可能额外包括由封环内部或外部所形成的封环。半导体结构可能包括激光熔丝及保护环。保护环以耦接于接地信号为佳。通过在子电路间形成封环延伸物可降低在晶片中介于子电路间的串音。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种集成电路结构，特别是有关于防止信号线间的串音(cross talk)的集成电路结构。
技术介绍
干扰(或串音)是发生于两相近的信号线。串音是由信号线的电磁场所产生。由于串音的现象，将于信号线产生噪声(noise)，导致影响电路的功能。未来此问题会更加恶化。因为在深次微米(deep-sub-micron)技术中元件微型化，内连线分布地更加紧密。随着堆叠晶片(stack dies)与系统级封装(system in package)技术广为使用，由于晶片间距更小，导致串音愈加明显。由于电路分布愈紧密，耦合噪声(coupling noise)已愈明显，因此在高速电路设计上，已成为重要的议题。若无因应补偿办法，该耦合噪声(coupling noise)可能会导致信号延迟(signal delays)、逻辑错误(logic errors)、甚至造成整个电路机能失常。通过隔离结构(isolation structures)(特别是接地金属线或金属面(metal planes))可降低串音。图1是显示降低串音的传统共面结构(coplanar structure)。其中信号线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路结构，形成于一半导体晶片中，所述集成电路结构包括：一封环，耦接于一信号接地，包括：多个金属线，其中每一金属线分属个别的一金属层，且环绕上述半导体晶片的一电路区；多个穿孔，耦接于一相邻上层或相邻下层的每一金 属线；以及多个介电层，分别将各金属层与相邻下层或相邻上层的金属层隔离。

【技术特征摘要】
US 2005-5-2 11/119,8681.一种集成电路结构，形成于一半导体晶片中，所述集成电路结构包括一封环，耦接于一信号接地，包括多个金属线，其中每一金属线分属个别的一金属层，且环绕上述半导体晶片的一电路区；多个穿孔，耦接于一相邻上层或相邻下层的每一金属线；以及多个介电层，分别将各金属层与相邻下层或相邻上层的金属层隔离。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，更包括一封环延伸物，与上述封环耦接且将电路分成若干区间，其中上述封环延伸物包括多个额外金属线，设置于在上述电路区的个别金属层；以及多个额外穿孔，耦接于上述各额外金属线至相邻下层或相邻上层的上述额外金属线。3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，上述电路区中至少某一部分具有操作于一信号频率高于1GHz的元件。4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，更包括与上述封环相邻的一额外封环，其中上述额外封环是耦接于上述接地信号。5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于，更包括一凸状垫片，与上述金属线耦接，其中上述凸状垫片是耦接于上述信号接地。6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，更包括形成一激光熔丝及一环绕着激光熔丝的保护环，其中上述保护环是经由一外部垫片...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宪伟，陈学忠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]