光罩制造系统与光罩制造方法技术方案

本发明专利技术提供一种光罩制造系统与光罩制造方法该光罩制造系统包括至少一个曝光单元，用以选取一配方以供随后在一处理单元内执行的一烘烤程序使用，一缓冲单元耦合至该曝光单元以将该光罩的基板由该曝光单元移动至该后处理单元，而不会使该光罩的基板曝露至环境当中；以及该后处理单元是耦合至该缓冲单元与该曝光单元，并利用该曝光单元选取配方的相关烘烤参数，在该光罩的基板上执行一烘烤程序。本发明专利技术可避免发生于曝光程序和烘烤程序之间过度的时间延迟，且可降低微粒污染，亦能避免化学放大光致抗蚀剂遭受射线污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术概括上是有关于半导体制程，尤其有关于光罩(mask)制造系统与方法。
技术介绍
一集成电路是在一半导体基板上利用一制程而建造的一个以上的装置(比方是电路元件)。由于这类装置于数十年前即已开发，因此当制程与材料改善时，装置尺寸也就持续地缩减。举例来说，现今制程可制造几何尺寸(也就是可制造的最小元件(或导线))为90纳米(nm)以下的装置。许多IC制程是利用光罩来将一特定布线图案(Pattern)(举例来说，一电路的某一部分)传送至晶圆以制造半导体装置，其中每一光罩是针对该特定布线图案的特有光罩。随着运用光罩以制成的装置持续缩小尺寸，光罩的制造乃渐形困难。现今的光罩制造技术无法以足够的效率和成本效益来制造现今IC装置制程所需的高品质光罩。
技术实现思路
本专利技术是揭露一种半导体制程使用的光罩制造系统与方法，其中该光罩制造系统是使用化学放大光致抗蚀剂在该光罩的基板上。该光罩制造系统包括至少一个曝光单元，一缓冲单元，以及一后处理单元。该曝光单元用以选取一配方(recipe)，以供之后在该处理单元内执行的烘烤程序使用。该缓冲单元是耦合于该曝光单元与该后处理单元之间，用以将光罩的基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光罩制造系统，其是供半导体制程使用，并在一基板上使用化学放大光致抗蚀剂，其特征在于所述光罩制造系统包括：　　　　至少一曝光单元，用以选取一配方以供之后在后处理单元内所执行的一烘烤程序使用；　　　　一缓冲单元，耦合于该曝光单元，用以将该光罩由该曝光单元移动至该后处理单元而不会将该基板曝露于环境中；以及　　　　该后处理单元是耦合至该缓冲单元与该曝光单元，并利用由该曝光单元所选取配方的相关参数，在该基板上执行一烘烤程序。

【技术特征摘要】
US 2005-4-27 11/115,4331.一种光罩制造系统，其是供半导体制程使用，并在一基板上使用化学放大光致抗蚀剂，其特征在于所述光罩制造系统包括至少一曝光单元，用以选取一配方以供之后在后处理单元内所执行的一烘烤程序使用；一缓冲单元，耦合于该曝光单元，用以将该光罩由该曝光单元移动至该后处理单元而不会将该基板曝露于环境中；以及该后处理单元是耦合至该缓冲单元与该曝光单元，并利用由该曝光单元所选取配方的相关参数，在该基板上执行一烘烤程序。2.根据权利要求1所述的光罩制造系统，其特征在于，该曝光单元是用以传送一信号至该后处理单元，其中该信号是由多个配方中指定该后处理使用的配方，其中该多个配方是储存于一耦合至该后处理单元的存储器内。3.根据权利要求1所述的光罩制造系统，其特征在于，该配方包括一温度以及该烘烤程序的时间。4.根据权利要求1所述的光罩制造系统，其特征在于，该曝光单元包括一带电源，用以使该化学放大光致抗蚀剂曝光，其中该带电源是一电子束或一离子束。5.根据权利要求1所述的光罩制造系统，其特征在于，该曝光单元是包括一不带电源，用以使该化学放大光致抗蚀剂曝光，其中该不带电源是一激光束。6.根据权利要求1所述的光罩制造系统，其特征在于，该缓冲单元更包括一高度调整装置以调整该基板的高度，一旋转装置以旋转该基板，以及一待命区域以当该后处理单元尚未准备好接收该基板时，将该基板保留。7.根据权利要求1所述的光罩制造系统，其特征在于，后处理单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉仁，李信昌，秦圣基，谢弘璋，林本坚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]