本发明提供一种用以制造半导体装置的双镶嵌制程。在一基底上形成一介电层，其内具有至少一连接窗开口。在介电层中的连接窗开口上方形成一沟槽开口并通过原位蚀刻以扩大连接窗开口。本发明所述的用以制造半导体装置的双镶嵌制程，通过原位整合的双镶嵌制程...

本发明提供一种半导体元件及形成半导体元件的方法，具体涉及一种具有降低源极或漏极区域中掺杂物扩散的ＰＭＯＳ晶体管及其形成方法。ＰＭＯＳ晶体管包括掺杂Ｐ型杂质及扩散延迟材料的源极或漏极区域。ＰＭＯＳ晶体管更包括一栅极介电层，位于半导体基板的...

本发明提供一种快闪存储器制程，具体涉及一种分离式快闪存储器制程，其是用以增进一浮动栅尖头的锐度与高度，包括下述步骤。利用一干式蚀刻，通过图案开口形成一沟槽于一第一多晶硅层内。继而经由一化学气相沉积制程沉积一氧化物层于该多晶硅层上以充填该...

本发明是有关于一种具有低热膨胀系数基材的半导体元件及其应用，其中该半导体元件包括集成电路晶片及封装基材，集成电路晶片具有至少一耦合组件形成于其外部表面。封装基材具有一粘着表面以及建构来接受至少一耦合组件的复数个焊垫。在本实施例中，封装基...

本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光...

本发明提供一种半导体晶片的处理方法及晶边残余物去除系统。该晶边残余物去除系统与湿浸式光刻工艺一起使用，包括：多转速马达，用以旋转晶片吸盘，该马达可使该吸盘保持在第一转速大于１５００ｒｐｍ，第二转速约介于１５００ｒｐｍ和１０００ｒｐｍ之间...

本发明提供一种半导体元件与其制作方法。该半导体元件包含有一基底、一栅结构、至少一Ｌ形层与一间隙壁、以及一应力层。该栅结构设于该基底上，该Ｌ形层具有一第一脚边，沿着该栅结构延伸到一第一端点，以及一第二脚边，沿着该基底延伸到一第二端点。该间...

一种三维集成电路装置以及集成电路基板的对准方法，该集成电路基板的对准方法，包括：提供一第一基板，上述第一基板具有一第一正面、一第一背面以及一第一对准标记，第一正面具有多个第一集成电路结构，第一对准标记形成于第一正面或第一背面。提供一第二...

本发明提供一种集成电路的内连线结构以及静态随机存取存储单元，特别涉及一种形成于半导体基底上的集成电路内连线结构。第一导体层形成于上述半导体基底上。第一介层接触区形成于上述第一导体层上。第二介层接触区形成于上述第一介层接触区上。第二导体层...

本发明提供一种注入剂量控制系统与方法、用离子束进行晶圆注入的方法，所述注入剂量控制系统，包括第一接口、第二接口、控制器。该第一接口，其是用以接收一注入离子束的扫描位置数据。该第二接口，其是用以接收该注入离子束的流量数据，其是界定在多个扫...

本发明提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包含：一栅介电层于一基底中的一沟道区上；一栅极于上述栅介电层上；一栅极介电层置于上述栅极的侧缘；以及实质上与上述栅极介电层的侧缘对齐的一源／漏极区。其中上述源／漏极区具有：第一掺杂区与...

本发明是关于一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，包括：一第一栅极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上；一第二栅极结构，其侧壁上形成有至少一第一间隔物，位于一半导体基底上，该第二栅极结构是邻近于该第一栅极结构；...

本发明涉及一种高压晶体管、半导体晶体管及晶体管的制造方法，所述高压晶体管，包括第一主动区域、第二主动区域、第一低掺杂区域、以及第二低掺杂区域。该第一主动区域是设于一基底栅极的一第一侧。该第二主动区域，其是设于该基底的该栅极的一第二侧。该...

本发明是有关于一种半导体装置至少包括具有光感测元件形成在其上的半导体基材；设置在在基材上的第一材料层，其中此第一材料层包括一部分，此部分具有形成在基材上做为负型微透镜的大体为凹型的表面；以及设置在第一材料层上的第二材料层，其中此第二材料...

本发明提供一半导体元件以及该半导体元件的制造方法与制造装置，特别是有关于在金属层的稀疏布局区域插入虚置图案的方法以及装置。虚置图案被用来解决因半导体的有效图案密度不平均而导致的研磨后薄膜厚度不平坦问题。本发明另说明一演算法，该演算法根据...

本发明提供一种半导体元件及其形成方法，具体涉及用来预防尖端引发电容漏电流的元件及其形成方法。是以较厚的底部电极填满导致尖端形成的微沟槽。另一方式则是，将接触插塞形成凹陷以降低微沟槽的形成。本发明所述半导体元件及其形成方法，可避免尖端的形...

本发明提供一种浅沟槽隔离物及其制造方法，该浅沟槽隔离物包括：沟槽，形成于基底中；氮氧化硅层，顺应性地形成于该沟槽的侧壁与底部；以及高密度等离子体氧化层，填入该沟槽中。本发明还供一种浅沟槽隔离物的制造方法。本发明利用不同方法，例如沉积或等...

本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置具有：一熔丝位于一半导体基底上的一元件之上；一密封环围绕上述熔丝，上述密封环位于上述元件与上述熔丝之间的至少一金属层中，用以局限熔断上述熔丝时所使用的能量，避免上述能量对上述半导体装置造成损害；以...

本发明是关于一种降低元件效能不匹配的方法及半导体电路，用以降低因沟槽隔离导致的应力所引起元件不匹配。包括至少一延伸主动区是形成于基底上，其中上述主动区从至少一端延伸，且至少一运算元件设置于至少一主动区上，其中上述延伸主动区具有至少两相邻...

本发明是有关于一种设计光罩布局与产生光罩图案的方法和系统，此方法包括利用复数个像素来表示光罩布局，其中每一像素具有一光罩透明度系数。初始化一控制参数，并产生此光罩布局的一代表。此方法透过一成本函数和一波兹曼几率函数（Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ　...