本发明提供了一种形成微透镜的方法与半导体影像感测装置。首先，提供一基底，而基底具有至少一光感测元件。接着，于该基底上，形成一光敏层。以一光罩进行第一次曝光。以该光罩进行第二次曝光。去除部分的该光敏层，以使存留的部分的该光敏层形成至少一微...

一种高压半导体装置，包括：　　　　主动区，设置于半导体基底中，其中上述主动区通过隔离区而被隔离；　　　　栅电极，设置于上述主动区上方；　　　　至少一介电层，设置于上述栅电极的侧壁的上方；　　　　一对间隙壁，设置于上述介电层上；　　　　第...

本发明是有关于一种浸润式微影系统及其制程，该浸润式微影系统，其至少包含：一物镜；一基材平台，设置于该物镜之下；一液晶，至少部份地填充于该物镜与该基材平台上的一基材间的一空间；以及一液晶控制器，具有一第一电极和一第二电极，该第一电极和该第...

本发明是提供一焊料凸块的制造方法、中间结构。此方法包括在一半导体基板上形成一焊垫以及在此基板及此焊垫上配置一掩膜层。此方法亦包括在具有一个主要焊料模仁以及至少一个与主要焊料模仁相连接的次要焊料模仁的掩膜层内形成一开口，此开口曝露此焊垫的...

本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效...

本发明提供了一种浸润式光刻装置、光刻装置及其洁净方法，所述光刻装置包括：一成像镜片模块、一基板平台、以及一洁净模块。上述基板平台是位于成像镜片模块下方，以握持一基板，而上述洁净模块是用于洁净光刻装置之用，其中该洁净模块是择自超声波单元、...

本发明是有关于一种部分半导体组件的形成方法，在一范例里，一形成部分半导体组件的方法包括，形成一光感层于一基底上，显影光感层以暴露出基底的一部份，并由显影后所剩余的光感层的至少一部份产生一种子层，在种子层上形成一蚀刻中止层，以及使用蚀刻中...

本发明提供半导体元件及其形成方法。一种半导体元件，包括一基底、一金属间介电层覆盖于该基底上、以及一含氮四乙氧基硅烷氧化层或一富含氧四乙氧基硅烷氧化层覆盖于该金属间介电层上。在该富含氧四乙氧基硅烷氧化层中氧的分子比率大于７０百分比。该金属...

一种半导体结构与隔绝一第一电路和一第二电路的方法。该第一电路和该第二电路操作于不同的电压电平。该半导体结构包括有第一隔绝环、埋藏层和离子注入增强层。该第一隔绝环围绕第一和第二电路，设于半导体基底上。该埋藏层设于半导体基底中，连续地延展到...

本发明是有关于一种高功率金属氧化半导体元件，包括一Ｐ型基极区域，此Ｐ型基极区域具有Ｎ＋型源极且在施以电负载时其偏压与Ｐ型基材不同。在一实施例中，使用ＮＰＮ配置的ＬＤＭＯＳ元件，而且其元件源极与基层接点耦接以防止产生ＮＰＮ寄生元件。Ｐ型基...

本发明提供一种栅极，包括基底，栅介电层，形成于该基底上，以及栅导电层，形成于该栅介电层上，由堆叠的多晶硅晶粒所组成，其中该多晶硅晶粒的平均尺寸随远离该基底的方向递减。本发明还提供一种包含此栅极的金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。本发明...

本发明是有关于一种浸没式微影设备及制程。适用于半导体制造程序之中的浸没式微影系统，其提供了一对着晶圆表面移动的镜头组件，并包括了一与镜头组件组装在一起，顺着镜头组件移动的喷嘴及排水组件。喷嘴与排水组件可被环绕配置于镜头周围，并且彼此相对...

本发明是有关于一种浸润式微影曝光设备及方法，适用于在浸润式微影期间实质消除曝光液体中的微气泡。该设备包括光学系统，可透过光罩而将光投射至晶圆上。光学转移室邻近于上述的光学系统，以装载曝光液体。至少一百万赫级超音波板可动地接合在光学转移室...

本发明是有关于一种具有晶圆密封机构的改良型浸润式微影系统及其方法。该浸润式微影系统，包括液体以及一密封垫圈。此液体的特征提供一浸润流体以在晶圆上进行浸润式微影，此密封垫圈覆盖于晶圆的边缘的预设部位，当液体运用于浸润式微影制程中时，可以防...

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括具有第一晶向的第一半导体层，具有第二晶向的第二半导体层，位于第一半导体层之下的第一绝缘层，以及位于第二半导体层之下的第二绝缘层，其中，第二晶向不同于第一晶向。本发明所述半导体结构及其制...

本发明涉及一种半导体结构，包括设置于半导体基板上的埋层，埋层为第一型掺杂。第一磊晶层形成于埋层上，其为第二型掺杂。第二磊晶层形成于埋层上，其为第二型掺杂；隔离结构设置于埋层上并设置于第一磊晶层与第二磊晶层之间，且该隔离结构为第一型掺杂。...

提供一种具有增进电流增益的横向双载子接面电晶体与其形成方法。该电晶体包含一在基板上形成属于第一导通类型的井区，至少一射极位于井区内，属于与第一导通类型相反的第二导通类型，其中至少一射极中的每一个系彼此连接；复数个集极，位于该井区内，属于...

本发明公开一种集成电路芯片、半导体结构及其制作方法，能够在半导体基底上一体地形成镶嵌栅极结构以及电阻元件。该半导体结构包括：第一介电层，在半导体基底上形成有第一开口以及第二开口；至少一个侧壁间隙物，形成于该第一开口内部侧边上，其中第一开...

一种半导体元件的制造方法。首先，提供一基材，且此基材具有暴露的金属表面。接着，进行一还原制程以还原该金属表面。随后，于惰性或还原的环境下，移动基材至反应室中。其中上述的反应室用以进行一金属沉积制程。如此，可省略习知移除氧化铜之预先清洗步...

本发明是有关于一种制造应变硅半导体元件的方法，藉以改善磊晶薄膜厚度的不受欢迎的变异。评估本发明所提出的半导体元件的布局与元件配置，以决定相对较低或较高元件密度的区域，来决定局部负载效应的缺陷是否可能发生。若是如此，则产生适合所提出的半导...