本发明公开了一种影像感测元件及其制造方法。该影像感测元件包括：有源层，位于基底上；绝缘区，位于有源层中，以定义多个像素，其中绝缘区围绕相对应的像素，并且接触或延伸入基底，以绝缘每一像素；多个光二极管位于像素中。该影像感测元件的制造方法包...

一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括：一基底；一第一低介电常数介电层，其覆盖该基底，包括一第一区以及一第二区；多个导电构件，其位于该低介电常数介电层内；一上盖层，其位于所述导电构件的至少一部分上；以及一介电上盖层，其覆盖该第...

一种具有体接触窗的鳍状场效晶体管及其制造方法，该场效晶体管包括鳍状通道、源极、汲极、体接触窗、闸介电层与闸极。源极与汲极与鳍状通道的两端相接，体接触窗位于鳍状通道的一侧并藉由导线与其相接。闸介电层覆在鳍状通道的表面，而闸极位于鳍状通道的...

本发明提供一种存储装置，包括一基底；一第一主动区域，形成于该基底中；一第二主动区域，形成于该基底中，该第一主动区域与该第二主动区域的长轴彼此平行；多个晶体管，设置于该第一主动区域与该第二主动区域之间，使得该第一主动区域与该第二主动区域作...

本发明是有关于一种减少光罩沉淀缺陷的方法，在一半导体生产制程中，有一运送光罩的容器，而光罩包括一由绝缘材料制成的基底，且此基底表面沉积了一金属层。本发明揭露一种隔离和移除环境污染物的方法，此方法包括以惰性气体充填此容器，借以清除其中的环...

本发明提供一种高介电常数介电层的形成方法、半导体装置及其制造方法。所述高介电常数介电层的形成方法，包括：于衬底上形成一第一介电层；于第一介电层上形成一金属材料层；于金属材料层上形成一第二介电层；以及于一氧化环境中对衬底实施一退火处理，并...

本发明提供了一种应用三层阻抗的部分接触孔优先（ｐａｒｔｉａｌ－ｖｉａ－ｆｉｒｓｔ）的双镶嵌工艺。首先形成第一接触孔，该第一接触孔穿过介电层的部分厚度，然后在介电层上形成三层阻抗结构，其中三层阻抗的底层填满第一接触孔。进行干式显影工艺去除...

本发明提供一种非易失性浮置栅极存储单元及其制造方法。上述非易失性浮置栅极存储单元包括具有第一导电型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第一区域，具有相异于该第一导电型的第二导电型；位于半导体衬底上具有第二导电型的第二区域，与第一区域隔离；沟...

本发明是有关于一种多重光罩曝光系统及其曝光方法。该多重光罩曝光系统包括一光罩载台模块，用以支承一第一光罩及一第二光罩，其中第一光罩经一第一光束照射后形成具有一第一图案的第一转换光束，第二光罩经一第二光束照射后形成一具有一第二图案的第二转...

本发明涉及一种半导体存储装置，其由流经邻近的存储单元的电流载负特征的双重性而编程，该半导体存储装置包括可编程存储单元以及至少两个电流载负结构。其中，至少两个电流载负结构中的至少一个电流载负结构包括一分割电流载负结构，该分割电流载负结构包...

本发明公开一种半导体电容装置。该半导体电容装置包括：介电层以及堆叠电容结构。其中介电层设置于基底上；堆叠电容结构设置于介电层内，其包括第一金属－绝缘层－金属电容以及位于其上方且与其并联的第二金属－绝缘层－金属电容，其中第一及第二金属－绝...

本发明是有关于一种半导体元件及其形成方法，在一实施例中，该方法包括在一半导体基材上形成一硬遮罩层；图案化该硬遮罩层而形成复数个开孔；经由该硬遮罩层的该些开孔蚀刻该基材而形成复数个沟渠，该些沟渠将复数个半导体台面隔开；以一介电材料部分填满...

本发明提供一种半导体结构、电熔线及其形成方法，该半导体结构包括介电层，位于浅沟槽隔离区上，以及接触栓塞，由该介电层表面延伸到该浅沟槽隔离区，其中该接触栓塞包括中间区，该中间区实质上比两个末端区狭窄。该接触栓塞形成熔线组件，该半导体结构还...

一种半导体在制品分配管理方法及系统。该方法包括使用计算机执行下列步骤：取得关于即将在制造过程节点中进行处理的多批晶片的信息。通过分析每一批晶片的多个接续的制造过程节点的负荷量来决定哪一批晶片较优先于其它批晶片来处理。针对每一批晶片，根据...

本发明提供了一种半球形结构及其制造方法。此半球形结构包括一基板；一形成于上述基板上的分离阶梯状物区域，可视为一分离支撑结构；一形成于上述分离支撑结构以及上述基板上的图案层；上述图案层在上述分离支撑结构上分别形成一半球形薄膜区域以及在上述...

本发明提供一种互连线的结构及其形成方法，该结构包括：一沟槽，形成于一介电层内；一阻挡层，形成于沟槽的侧壁上；以及一导电层，形成于沟槽内，其中导电层包括：一第一附属层，形成于阻挡层上，具有一第一杂质浓度；一第二附属层，形成于第一附属层上，...

本发明提供一种低介电常数介电层的形成方法，包括：于一衬底上形成一材料层，材料层包括一生孔剂散布于一未固化的基材中；以具有一第一波长的放射线照射材料层使未固化的基材内形成细孔；以及以一具有第二波长的放射线照射材料层。

本发明涉及一种搬运装置，可用以对数个晶片进行运载。搬运装置包括至少一手臂与一承载装置。承载装置是以可分离方式设置于手臂。承载装置包括一本体与至少一把手部，其中，本体用以容置晶片，把手部设置于本体的一侧，把手部包括一定位孔、一第一表面及一...

本发明提供一种背照式影像感测元件，此元件具有金属延伸。在一实施例中，此元件包括第一及第二焊垫组，以及电性连接两者的金属层。第二焊垫组中一焊垫自元件表面露出以作为测试用。在另一实施例中，第二焊垫直接位于第一焊垫组下方，两者电性连接且此第二...

本发明提供一种减少制程环境内的杂质的装置及其方法。该装置包含置于制程环境中用于半导体制程的待制物，设置于待制物上的保护结构，此保护结构为避免制程环境内的杂质微粒污染上述待制物，及位于此保护结构表面任一区域的吸附膜，此吸附膜为吸附处于制程...