本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法，包括：形成具有开口的第一介电层于基板上。改质开口所露出的第一介电层表面后，沿着改质部分形成保护介电层。接着将开口填满导电材料，并将改质部分移除以形成气隙。气隙位于保护介电层与...

本发明为一种晶片检测系统及方法。该晶片检测系统，包括：处理贮槽；图像检测装置，装配于处理贮槽的旁边，用以取得该处理贮槽内的第一图像数据；以及图像处理装置，具有原始图像储存数据，且连接至该图像检测装置以接收该第一图像数据；其中该原始图像储...

本发明是有关于一种排放系统及其控制方法。该排放系统，包括至少一半导体制程设备、感应器、处理器及排放设备。该控制排放系统的方法，包括ａ．提供一下沉流体于一半导体制程设备中；ｂ．感测一导管中一排放流体的至少一特性，且该排放流体包括来自下沉流...

一种半导体装置，包括：一基底，其内设置有一第一阱区；一栅极结构，部分覆盖该基底，其中该栅极结构包括一栅极介电层与该栅极介电层上的一栅极；一沟道阱区与一第二阱区，分别位于该第一阱区中的一部分且设置于该栅极结构的对应侧；一源极区，位于该沟道...

本发明公开一种半导体测试结构阵列包含：多个单位单元用以包含配置在一可定址阵列内的待测元件（ＤＵＴｓ）；以及一存取控制电路，位于每个单位单元内用以控制一个或多个ＤＵＴｓ的存取，其中该存取控制电路包含至少４个相同的控制传输栅（ＣＴＧｓ）且该...

本发明提供一种高电压金属氧化物半导体装置，包含一栅极结构，设置于一半导体基底上方；一对绝缘间隙物，分别设置于该栅极结构的侧壁上；以及一对悬浮非绝缘间隙物，分别嵌入于该绝缘间隙物中，其中各该悬浮非绝缘间隙物借由该绝缘间隙物与该栅极结构及该...

本发明提供一种避免沉积厚膜发生脱层的方法及其制造的太阳能电池，在该方法中，在形成一厚膜后、在后续的热处理程序之前，将其分割成多个分离的区块。通过上述分割的步骤，可减少膜应力对上述厚膜与其下层材料之间的界面的作用，而避免在上述厚膜形成之后...

本发明提供一种存储器元件及其形成方法，其具有高侦测速度与可靠度。所述元件包括：第一介电层及第二介电层依序形成于半导体基板上；电容位于第二介电层中，且具有至少部分填满第三介电层的杯状区域。上述元件可更包括第三介电层及位线依序形成于第二介电...

本发明提出一种集成电路及金属氧化物半导体元件中判断漏电流的方法。此方法包括提供一个具有一个第一区间与第二区间的靶结构的基底。首先将第二区间接地，然后使用电子扫描显微镜扫描此基底以产生电压对照影像。之后，判断在电压对照影像中第一区间的灰阶...

本发明公开了一种使用无定形碳薄膜的应变增强半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：一半导体衬底，具有一ＰＭＯＳ区域和一ＮＭＯＳ区域；一第一栅极结构和一第二栅极结构；一源极／漏极；一硅化区；一具有张应力的无定形碳薄膜；以及一介电层。无定...

本发明提出一种存储器元件，特别涉及一种带有系带单元的存储器元件。此存储器元件包括一个第一存储器单元、一个第二存储器单元以及一个系带单元。每一个第一存储器单元以及第二存储器单元中具有至少一个Ｐ型主动区域以及至少一个Ｎ型主动区域。系带单元介...

本发明揭示用以识别半导体基板上的缺陷图像的识别系统与识别方法。根据实施例所述的识别方法包括通过测试与测量半导体基板而收集缺陷图像的缺陷数据，从缺陷数据中提取图案，归一化图案的位置、方位以及尺寸，在归一化图案后识别图案。因此，本发明能提高...

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：一低介电常数介电层；一上盖层，位于该低介电常数介电层上，其中该上盖层包括选自由包括ＣＮｘ、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯ、ＳｉＣ及其组合物所组成的族群的一材料；一介层物，位于该低介电常数介电...

本发明揭示一种分离栅极式存储单元及其形成方法。一浮置栅极设置在一衬底上并与其绝缘。衬底具有一有源区，它由一对形成在衬底内的隔离结构所分隔而成。浮置栅极设置在该对栅极结构之间且不与其上表面重叠。一上盖层设置在浮置栅极上。一控制栅极设置在浮...

本发明提供一种集成电路的形成方法及结构。该方法包括：在基底上形成接合垫；在接合垫上形成第一保护层，该第一保护层内具有开口以暴露接合垫的一部分；在第一保护层及接合垫暴露的部分上形成导电层；图案化该导电层以暴露第一保护层的一部分；以及在导电...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法以扩散地形程序（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　　ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ　　ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＤＴＥ）形成半导体结构。首先在半导体基板中形成沟槽隔离区以定义扩散区。在含氢环境下，对半导体基板进行ＤＴＥ...

本发明提供一种半导体元件及其形成方法，包括：一栅极电极以及接近该栅极电极的一源极区与一漏极区。一硅化区位于该栅极电极、该源极区或该漏极区的顶部表面上。一非硅化区，邻近该硅化区并位于该栅极电极、该源极区或该漏极区顶部表面的边缘。本发明所述...

本发明是有关于一种半导体元件的制造方法及其半导体元件。其提供一种填充内连线介层窗的铝基质导体，及藉由此铝基质导体所形成的半导体元件。半导体元件包括有第一介电层。其中介电层具有截面面积实质小于１μｍ↑［２］的开口形成于其中，以及填充于开口...

本发明提供一种三维集成电路的形成方法，包括：提供一第一晶圆，包括一硅层，位于该第一晶圆的顶部表面提供一第二晶圆，包括一氧化硅层，位于该第二晶圆的顶部表面，将该氧化硅层的顶部表面对应至该硅层的顶部表面并施加一压力，较佳施加一低压力，将该第...

本发明是有关于一种使用频谱检测的关键尺寸控制方法。本发明揭露一种图案化一基材的方法，至少包括形成一材料层于基材上；进行一第一蚀刻步骤于材料层上，以形成一图案；使用一光学频谱量测工具，量测材料层的图案：判别量测步骤是否指出第一蚀刻步骤达到...