本发明是提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置的形成方法包含：通过介于一集成电路芯片与一封装基板或印刷电路板之间的多个软焊料凸块，将上述集成电路芯片与上述封装基板或印刷电路板结合，上述集成电路芯片具有至少一介电层，上述介电层的介...

一种存储单元及相关的存储器装置，该存储单元包括：基底，其具有形成于其上的两个交叉耦接的反相器以及第一、第二通栅晶体管，其中交叉耦接的反相器具有数据存储节点以及互补数据存储节点，上述两节点分别耦接至第一、第二通栅晶体管的第一端；第一导电层...

本发明提供一种半导体连线封装结构及其与集成电路的连接方法，包括：一封装基底，该封装基底至少具有一孔洞，且该封装基底具有一顶部及一底部；多个倒装接垫，固定于该封装基底的底部，且该些倒装接垫用以接受一集成电路；以及多个焊线接垫，固定于该封装...

本发明提供了一种包括熔丝的集成电路结构及其制造方法。所述集成电路结构包含基板、置于该基板上方的内联机结构、与该内联机结构连接的熔丝以及位于该熔丝上的抗反射涂层。该抗反射涂层具有增厚的厚度且作为残余氧化物，且在该抗反射涂层上不存在多余的残...

本发明是提供一种空间转换器基板、其形成方法、及其接触垫结构。上述接触垫结构包含：一第一导体材料层，其硬度大于２００ｋｇ／ｍｍ↑［２］；以及一第二导体材料层于上述第一导体材料层上，其硬度大于８０ｋｇ／ｍｍ↑［２］。上述形成空间变换器基板的...

本发明提供一种电容器结构及多层电容器结构，其中该电容器结构包括：一第一总线，包含位于第一方向的第一脚以及位于第二方向的第二脚；一第二总线，与该第一总线电性绝缘，其中该第一总线与该第二总线位于一第一金属层中；第一指状物，连接于该第一总线，...

本发明提供一种集成电路的内联机结构，包括：半导体基底；在该半导体基底上的低介电常数材料层；在该低介电常数材料层中的导体；以及在该导体上的顶盖层，其中该顶盖层包括至少一顶部，其包括金属硅化物／锗化物。本发明借由在铜导线的顶部上形成硅化物／...

本发明提供一种半导体元件，是具有ＰＭＯＳ与ＮＭＯＳ晶体管的ＣＭＯＳ元件，所述晶体管在一半导体元件上方具有不同栅极结构。一第一栅极结构，位于该ＰＭＯＳ元件区域上方，包括一位于该半导体基板上方的第一栅极介电层、与一位于该第一栅极介电层上方的...

一种形成双镶嵌的方法，包括：依序形成第一、第二与第三材料层在基板上，所述第一、第二与第三材料层分别具有第一、第二与第三厚度；蚀刻一个开口至所述第一材料层中，所述蚀刻步骤移除所述第三材料层的部分或全部厚度，且所述开口的深度与所述第三材料层...

本发明提供集成电路设计的制造方法与系统，可用于局部移除多项目晶片的电路图案。该方法为先定义其中一个使用者的集成电路设计为不需移除的部分，接着通过集成电路移除方法，将属于其他客户的集成电路完全移除。随后，此部分电路已移除的多项目晶片可提供...

一种非易失性半导体存储元件，包括：置于基板上的栅极叠层、半导体间隔件、氧化物－氮化物－氧化物叠层、接触垫。这些半导体间隔件与该栅极叠层的侧壁相邻且覆盖该基板。该氧化物－氮化物－氧化物叠层置于这些间隔件与该栅极叠层之间，且置于该间隔件与该...

本发明提供一种低介电常数的介电薄膜的形成方法，包括形成一多孔低介电常数的介电薄膜于半导体基底上的方法。导入活性键结于多孔低介电常数的介电薄膜之中，以改善低介电常数的介电薄膜的损失电阻及化学完整性，进而在经过后续的制程后，保持低介电常数的...

本发明是有关于一种毗连式接触结构及其形成方法，其是形成源极接触以电性连接电压节点及井区。此毗连式接触结构包括主动区，此主动区具有一井区，而此井区是邻近于半导体基材上的电性隔离区；金氧半场效晶体管装置，此金氧半场效晶体管装置包括在上述主动...

一种半导体封装的制造方法，其特征在于，该半导体封装的制造方法包括：　　　　提供一封装基板，该封装基板包括一基底材料；　　　　形成一内连线结构于该封装基板上，其中该内连线结构包括多个深插塞于该内连线结构的底部；　　　　连接至少一晶片至该封...

本发明是有关于一种锚接金属镶嵌结构及其形成方法。此锚接金属镶嵌结构是包覆于一多重密度介电层中，包含一介电层，且具有一开口延伸贯穿此介电层。此介电层包含至少一相对较高密度部分及一相对较低密度部分。相对较低密度部分形成介电层的一主要连续部分...

本发明提供一种半导体晶片的清洗溶液及集成电路的内连线结构的形成方法，上述半导体晶片的清洗溶液，包括：有机溶剂；金属试剂；置换剂；以及水。

本发明提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，包括：提供一半导体基底；形成一介电层于该半导体基底上；通过化学气相沉积法形成一附着层于该介电层上，其中该附着层包括一过渡层形成在该介电层上，且该过渡层至少具有一自该过渡层的底部至顶部逐渐改...

本发明是有关于一种适用于解决光罩沉积物缺陷的方法与装置，其是将一气体导入一光罩装置中，以使沉积物缺陷藉由气涤清洗方式扩散排出光罩装置外；一金属遮蔽装置将光罩装置围绕容置于其中，用以减少对光罩上的沉积物缺陷以及光罩的损害；在一实施例中，金...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基底；一介电层，形成于该基底上；一开口，形成于该介电层中；一第一阻障层，覆盖于该开口的侧壁；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口的底部；以及一导电层，填入该开口。本发明所述...

本发明是提供一种半导体装置，特别涉及一种具有一堆叠接触结构的半导体装置，其中堆叠接触结构包含填充一第一导电材料于一第一接触孔的一第一接触插塞，以及填充一第二导电材料于一第二接触孔的一第二接触插塞。第二导电材料与第一导电材料为不同的材料，...