一种高压元件，包括一基底，该基底包括一主动区；一源极区以及一漏极区，形成于基底中；一栅极结构，形成于主动区之上，并且在基底中源极区与漏极区之间定义出一通道区，其中主动区具有至少一个延伸部沿着通道区的一个通道方向延伸。

碳纳米管材料用于集成电路衬底中。按照示例实施方式，集成电路配置（１００）包括其中具有碳纳米管结构（１２０）的衬底（１１０）。按照一种或多种不同的方式设置碳纳米管结构，以提供结构支撑和／或导热性。在一些例子中，碳纳米管结构被设置成为集成电...

本发明提供一种半导体装置的结构与形成方法，其具有浅沟槽隔离结构在绝缘层上覆硅的基底中。其结构包含浅沟槽隔离结构围绕孤岛状的绝缘层上覆硅结构。上述浅沟槽隔离结构包含在上述基底上的第二外延层、与在上述第二外延层上的第二介电层。半导体装置的形...

本发明提供一种半导体元件的形成方法。此方法包括提供半导体基板，形成栅极介电层于半导体基板上，形成栅极于栅极介电层之上，形成应力源于邻近栅极边缘的半导体基板中，且在形成应力源程序后布植杂质。此杂质较佳选自下列组成的组：Ⅳ族元素、惰性元素、...

本发明提供一种完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法。图案化栅极与电阻的半导体材料后，以第一介电层保护多晶硅免于金属硅化，接着进行第一次金属硅化将晶体管的栅极部分金属硅化。厚层栅极则以第二介电层保护电阻免于金属硅化，接着进行第二次...

本发明提供一种半导体结构。高压金属氧化物半导体装置用作该半导体结构，包括：第一高压阱区，形成于衬底上；第二高压阱区；具有与该第一及第二高压阱区相反导电类型的第三高压阱区，其中该高压Ｐ型阱区有至少一部分位于该第一高压Ｎ型阱区与该第二高压Ｎ...

本发明提供一种半导体元件，其可改善电阻率下降效应和可靠度，包括：半导体基板；栅极介电质，位于上述半导体基板的上方；以及栅极，位于上述栅极介电质的上方；栅极硅化物区，位于上述栅极上；源／漏极区；邻接于上述栅极介电质；以及源／漏极硅化物区，...

本发明涉及一种制造程序异常运作检测方法，包括以下步骤：（ａ）检测程序机构所产生的至少一个声音信号；（ｂ）转换上述声音信号至一个频谱；（ｃ）比较上述频谱与一个既定频谱；以及（ｄ）如果上述频谱的第一频率振幅大体不同于上述既定频谱相同频率的振...

本发明提供一种半导体装置及其形成方法，该形成方法包括：提供基底，该基底上方具有介电层；在该介电层中形成多个内连线结构，所述多个内连线结构堆叠而成，各个内连线结构包括导电层及插塞层，该导电层连接该插塞层；在所述多个内连线结构上方形成连接垫...

一种鳍式场效电晶体或是其他型式的多栅极电晶体。该电晶体具有一半导体基材以及一半导体鳍片。该半导体基材具有一第一晶格常数。该半导体鳍片由该半导体基材延伸而出，并具有一第二晶格常数、一顶面以及两相对的侧壁面。该第二晶格常数相异于该第一晶格常...

本发明提供一种非易失性存储器晶胞及其制造方法。非易失性存储器晶胞包括：浮动栅，其位于半导体基底上方；第一电容，其包括第一电极板、浮动栅和电介质，电介质位于第一电极板和浮动栅之间；第二电容，其包括第二电极板、浮动栅和电介质，电介质位于第二...

本发明提供一种影像感测器及半导体元件的形成方法，特别涉及一种影像感测器，包括：一基底，其具有一前表面及一后表面；多个感测元件，形成于该基底的该前表面上，所述感测元件是用以接受入射至该后表面的光；以及一铝掺杂区，形成于该基底中，在水平方向...

一种微透镜装置及其制造方法，该微透镜装置的制造方法，借由沉积微透镜材料层于基材上，其中基材包括光感应器。接着，微透镜材料层经曝光及显影后，定义出微透镜材料元件，其包括第一微透镜材料元件及第二微透镜材料元件。每一第二微透镜材料元件的厚度实...

本发明提供一种半导体晶片的热处理方法，包括：在半导体晶片的第一面上形成第一材料层；在该第一材料层上及该半导体晶片的第二面上形成第二材料层；对该半导体晶片实施快速退火工序。

一种双端口静态随机存取存储单元包括至少一组交叉连接的反相器，连接于电源线与互补电源线之间，多个旁栅晶体管，连接上述交叉连接的反相器至位于存储器装置中的第一金属层内的第一位线、第一反相位线、第二位线以及第二反相位线。第一字线连接至第一旁栅...

一种工厂自动化系统，适用于一晶片制造厂，该晶片制造厂包括多个隔间，其中每一所述隔间包括由一隔间内高架式晶片运输系统互连的多个制造设备，以及一第一隔间之间高架式晶片运输系统和一第二隔间之间高架式晶片运输系统用以互连该隔间内高架式晶片运输系...

本发明提供一种高可靠度的集成电路内连线结构，以及形成此内连线结构的方法。此方法包括提供衬底；形成介电层于所述衬底之上；执行第一缩小工艺，其中所述介电层缩小且具有第一缩小率；于执行第一缩小工艺之后，形成导电结构于所述介电层中；以及于形成导...

本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基板，具有上表面与下表面，该上表面包含至少一装置区；至少一沟槽，从该基板下表面穿过该基板，并连接至该装置区；导电层，填入部分该沟槽；以及粘着层，沉积于该导电层上，并填满该沟槽。根据本发明的封装技术可...

本发明涉及一种半导体封装体及其制造方法，具体为一种多晶片堆叠型的半导体封装体及其制造方法，包含：将多个堆叠的半导体晶片置于一基板，其中一上晶片的横向周围悬于一下晶片的横向周围外，而形成一凹部；将含有一填充物的一支持粘着层置于上述板上，位...

本发明揭示一种改良式静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）单元及其操作方法。ＳＲＡＭ单元包括四个原始的晶体管，例如一对传送栅晶体管与一对拉升晶体管。ＳＲＡＭ单元亦包括借由埋藏绝缘层下方的Ｐ型井的接触以形成一对寄生晶体管，而使Ｐ型井为栅控端；因此...