本发明提供一种焊盘结构及其形成方法，上述焊盘结构包括第一含金属层，形成于基板上以及第一保护层，形成于该第一含金属层上，该第一保护层具有第一开口，其露出部分第一含金属层。上述焊盘结构还包括焊盘层，形成于该第一保护层上，且覆盖该第一开口，该...

本发明提供一种晶体管及半导体装置的制作方法。上述半导体装置的制作方法，包括形成第一栅极堆叠层，其包含第一及第二含硅层，且具有介于该第一及第二含硅层之间的第一蚀刻停止层，其中该第一含硅层的高度至少为该第一栅极堆叠层高度的１／３。上述半导体...

本发明提供一种半导体结构及存储单元，包括半导体基板，平面ＰＭＯＳ元件位于半导体基板的表面，且ＮＭＯＳ元件位于半导体基板的表面，其中此ＮＭＯＳ元件为鳍式场效晶体管。本发明的实施例具有较平衡的ＰＭＯＳ及ＮＭＯＳ性能，因此可提高存储单元的性能。

本发明提供一种半导体元件的制造方法。本发明的一个实施例包括基底，基底中的部分顶部区域中具有埋藏层以延伸至漂移区。结构层形成于埋藏层和基底上方，并且高压Ｎ阱区和高压Ｐ阱区彼此连接。场介电结构位于部分的高压Ｎ阱和Ｐ阱上方，且栅极介电结构和栅...

一种堆叠结构，包括：第一芯片，耦接于第一基板，该第一芯片包括穿透该第一芯片的第一导电结构；第二芯片，安装于该第一芯片上，该第二芯片经由该第一导电结构而耦接该第一基板；至少一个第一支撑结构，由形成于该第一基板上的第二基板所制成，该第一支撑...

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：一晶体管，形成于一衬底上且包括一晶体管栅极与至少一源极／漏极区域；一预定区域，连接该源极／漏极区域；以及一光致抗蚀剂保护氧化物层，形成于该预定区域上方，其中该光致抗蚀剂保护氧化物层...

一种堆叠式金属－氧化物－金属（ＭＯＭ）电容器结构及其制造方法，以增加电极／电容器介电耦合面积，并借以增加电容，此金属－氧化物－金属电容器结构包括多个金属化层，呈堆叠关系；其中每一金属化层包括实质平行且分隔开的多个导电电极线部分，且这些导...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一半导体基底，包括一第一有源区以及一第二有源区；一第一硅化结构，形成于该第一有源区，其中该第一硅化结构具有一第一金属浓度；以及一第二硅化结构，形成于该第二有源区，其中该第二硅化结构...

本发明提供一种半导体结构，包括一基板，一栅极堆栈于该基板上，一源极／漏极区域邻近该栅极堆栈，一源极／漏极硅化物区域于该源极／漏极区域上，一保护层于该源极／漏极硅化物区域上，其中位于该栅极堆栈上的一区域大致上无该保护层，以及一接触蚀刻停止...

本发明提供一种半导体结构，包括：衬底；第一阱区，位于上述衬底上，具有第一导电类型；第二阱区，位于上述衬底上，具有与上述第一导电类型相反的第二导电类型；缓冲区，介于上述第一阱区与上述第二阱区之间，且邻接于上述第一阱区和上述第二阱区；隔离区...

一种半导体封装结构，包括：基板层，其成分包括合金４２材料；晶粒，附着于基板层的第一侧面上；及互连线结构，位于晶粒上，其中互连线结构包括插塞及连接晶粒的导线。本发明的优点在于合金４２材料和半导体晶粒有近似的热膨胀系数，因此由封装体施加给晶...

本发明有关于一种半导体制造方法及其设备。该半导体制造方法，包括提供具有介电层形成于上的基材，然后在介电层上形成光阻遮罩。在光阻遮罩上可定义出开口，然后透过这些开口蚀刻介电层。接着以蚀刻物质处理部分的光阻遮罩，并以超临界流体移除这些光阻遮...

本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止...

本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，其具有ＰＭＯＳ区域以及ＮＭＯＳ区域；形成ＰＭＯＳ元件于该ＰＭＯＳ区域，包括：形成第一栅极叠层于半导体基底上；形成第一补偿间隙壁于第一栅极叠层侧壁；使用第一补偿间隙壁作为掩模，而形...

为解决现有技术的熔丝结构的体积较大或熔丝截断失败率较高等问题，本发明提供了一种熔丝结构，包括：第一金属垫与第二金属垫，设置于第一介电层的不同部上，该第一金属垫与该第二金属垫于该第一介电层内定义出位于其间的内部区；以及导线，设置位于该第一...

本发明提供一种ＭＯＳＦＥＴ装置的制造方法，包括：提供一半导体基底，其包括至少二个栅极结构；在所述栅极结构上成长一氧化硅层，其中所述栅极结构的该氧化硅层具有不同的厚度；形成一介电层在该氧化硅层上，该介电层与该氧化硅层具有蚀刻选择比；形成一...

本发明提供一种图像感测装置，包括：半导体基底，其具有第一型杂质；半导体层，其具有第二型杂质，所述第二型杂质不同于所述第一型杂质，所述半导体层在所述半导体基底上方；以及图像感测器，在所述半导体层中。本发明可以改善串音干扰现象。

本发明的实施例公开一种使用一密封的晶片底部的浸润微影系统与方法。在一实施例中，浸润微影设备包括：镜头组，包括影像镜头及晶片基座；该晶片基座用于将晶片保持于该镜头组下方，且该晶片基座包括密封环，该密封环用于密封介于保持在该晶片基座上的晶片...

本发明公开一种使用一密封晶片底部的浸润微影系统与方法。一实施例提供一种浸润微影设备，包括：一镜头组（ａｓｓｅｍｂｌｙ），包括一影像镜头；及一晶片基座，用于将晶片保持于该镜头组下方，该晶片基座包括置于一密封环框架上且沿着保持于该晶片基座上...

本发明提供一种集成电路装置与电容器对，该集成电路装置包括电容器阵列，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器阵列的每一列与每一行中，至少一第一单位电容器彼...