台湾积体电路制造股份有限公司专利技术

台湾积体电路制造股份有限公司共有17058项专利

  • 一种半导体结构,包括:衬底;隔离结构,在半导体衬底中,其中隔离结构在半导体衬底中定义区域;第一半导体区,其至少一部分在通过隔离结构所定义的该区域中,其中第一半导体区具有第一导电型;第二半导体区,在第一半导体区上,其中第二半导体区具有与第...
  • 本发明有关于一种在半导体元件上形成光刻胶图案的工艺。其中集成电路的图案化工艺,包括:提供一基底层;形成一缓冲层于该基底层之上;形成一光刻胶层于该缓冲层之上;诱导一反应于该缓冲层的一区域,使得该区域具有可移除性;以及以一显影剂移除该缓冲层...
  • 一种半导体装置,其特征在于,包括:    第一电容组件,包括多个第一单元电容组件彼此连接,且每一第一单元电容组件具有第一单元电容值;以及    第二电容组件,包括多个第二单元电容组件彼此连接,且每一第二单元电容组件具有第二单元电容值,其...
  • 本发明公开了一种最佳化一集成电路的临界尺寸的方法与光罩。该方法包括:提供一使用于该集成电路中的第一光罩,其中该集成电路至少包括一元件区域;提供一第二光罩,该光罩由该第一光罩复制而成,该光罩至少包括该第一光罩的图案;以及使用该第一光罩及该...
  • 本发明涉及一种芯片储存盒及芯片固定挡板,该芯片储存盒包括一门座、一卡匣、一壳罩及一芯片定位机构。卡匣设置于门座上,用以承载至少一芯片。壳罩以可分离的方式连接于门座,用以包覆卡匣。芯片定位机构连接于壳罩的一内壁,并且选择性地与卡匣相对。芯...
  • 本发明公开了一种限流电阻,适用于静电放电(ESD)装置,该限流电阻包括:至少一个第一主动区,形成静电放电(ESD)晶体管的源极/漏极;以及至少一个具有螺旋形状的阻抗元件,形成于半导体结构的单层中;其中,该阻抗元件具有第一端耦接该第一主动...
  • 本发明提供一种接合垫结构及其制作方法。上述接合垫结构包含:第一导电材料层;介电材料层,设置于所述第一导电材料层上方;第二导电材料层;多个导通孔,设置于所述介电材料层之中,且所述导通孔电性连接所述第一导电材料层与所述第二导电材料层;以及导...
  • 本发明提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供半导体基底,其包括硅;形成P型金属氧化物半导体装置,包括:在半导体基底上形成第一栅极介电层;在第一栅极介电层上形成第一栅极电极;以及在第一栅极电极及第一栅极介电层的侧壁形成第一栅极间隙壁;形...
  • 本发明揭示一种背照式图像传感器及其制造方法。所述图像传感器的制造方法包括提供一基底,其具有一第一导电型及一第一电位。在基底内形成具有一第二导电型的一耗尽区。延伸耗尽区。缩减基底的厚度。在基底的一背表面注入具有第一导电型及一第二电位的离子...
  • 一种用于集成电路(IC)的键合焊盘结构(300),使用碳纳米管以提高线键合(360)的强度和弹性。在示例实施例中,在IC衬底上有键合焊盘结构(300),该键合焊盘结构包括:具有顶表面和底表面的第一导电层(310),底表面附着于IC衬底上...
  • 本发明提供一种集成电路及其制作方法。上述集成电路,包含蚀刻停止层,形成于基底上;起始层,形成于该蚀刻停止层上,且该起始层具有高消光系数;低介电常数的介电层,形成于该起始层的上方;以及形成金属线于该低介电常数的介电层之中。本发明可降低在固...
  • 本发明提供一种半导体装置、镶嵌结构及互连线结构的形成方法,其中该半导体装置的形成方法,包括:提供半导体基底,该半导体基底上具有图案化保护层;在该图案化保护层上形成介电层;在该介电层上形成图案化掩模层;以该图案化掩模层为遮罩而蚀刻部分介电...
  • 本发明提供一种新颖的系统单晶片结构、半导体元件及其制造方法。系统单芯片包括逻辑区、静态随机存取存储器区、及动态随机存取存储器区。动态随机存取存储器单元中的储存电容形成在金属-绝缘体-金属结构中的第一介电层中,其具有巨大的垂直表面积。形成...
  • 本发明提供一种半导结构的形成方法,包括提供一基板,形成一低介电常数介电层于该基板上,形成一导线于该低介电常数介电层中,且在一含碳硅烷化学品中,热处理该导线以形成一阻挡层于该导线上。形成一衬阻挡层于开口中以形成此导线。此衬阻挡层含有与阻挡...
  • 一种半导体装置的制作方法,该半导体装置具有双重扩散漏极。该方法包括:形成第一介电层于衬底上,且遮蔽及图案化第一介电层;当图案化第一介电层后,沉积具有不同于第一介电层厚度的第二介电层于图案化后的第一介电层之中;当设置上述第一介电层及第二介...
  • 一种半导体结构,包括:    第一基板,其上具有一保护层,该保护层具有至少一个第一开口,所述第一开口露出该第一基板上的第一接合垫;以及    第二基板,接合在该保护层上,该第二基板具有至少一个第二开口,所述第二开口实质上对正于所述第一开...
  • 一种设备、阳极、以及制造集成电路的方法。该阳极为用于湿工艺处理设备的可调式阳极组件,在设备中可选择地调整湿工艺处理化学物质中的电场强度的分布,当设备在处理晶圆时,横越晶圆的处理表面,可调式阳极组件依次可选择地变化不同的处理规格。该可调式...
  • 本发明提供一种自动化物料传送系统,包括一防火通道、一第一轨道、一第二轨道、一输送车及一防火门。第一轨道设置于防火通道中,并具有一第一间隙。第二轨道设置于防火通道中,并平行于第一轨道。第二轨道具有一第二间隙。第二间隙对应并平行于第一间隙。...
  • 一种存储器单元结构及磁阻性随机存取存储结构,包括:一存储器叠层,具有一下电极及一上电极;一导体延伸层,电性连接下电极,且具有一延伸部,其自存储器叠层横向延伸,该存储器叠层形成于导体延伸层的主要部分上;一数据控制线,用以控制该存储器叠层的...
  • 本发明提供一种封装基底的形成方法与芯片的封装方法,其中通过反向增层的方法,以形成一封装基底,包含:形成多个凸块;形成一互连线结构连接上述凸块;以及形成多个球栅阵列球状物于上述互连线结构上。上述球栅阵列球状物经由上述互连线结构,而电性连接...