本发明提供一种双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构及其制造方法。该双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构包括底层介电层和顶层介电层。底层介电层与顶层介电层的原子成分相同，但介电常数值较高，且底层介电层成为顶层介电层的蚀刻停止层，顶...

本发明提供一种半导体元件，该半导体元件包括一基底；一有源区；一栅极区，位于该有源区上，且该栅极区的顶部具有一栅极电极；一源极／漏极区，形成在该栅极区的相对边，大体分别与该栅极区的边缘及该有源区的边缘对齐；以及一应变诱发层，具有一第一边缘...

本发明有关于一种具有温度控制研磨头的化学机械研磨系统，用于研磨晶圆，其包括一研磨头；一连接研磨头的内管，其中内管内填充有热媒介物；一连接内管的媒介物加热器；以及一连接内管的压力控制器。本发明的本发明化学机械研磨系统不会在晶圆上形成不需要...

本发明揭示一种半导体装置及其形成方法，其包含嵌入式的金属－绝缘体－金属电容器于逻辑电路中，此半导体装置包含：衬底，具有绝缘区；下电极，具有第一导体，位于上述绝缘区上；介电膜位于上述下电极上，但暴露部分下电极；以及上电极，具有第二导体，位...

本发明是有关于一种控制氮化硅蚀刻槽的装置与方法，其提供容纳有被加热至高温的磷酸的蚀刻槽。磷酸中的硅浓度被控制以维持在一所欲的位准，此所欲的位准是与所欲的氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比相关。硅浓度的量测是在硅处于可溶解状态且二氧化硅尚未沉淀出...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板，其包括图像传感器区和电路区，其中上述电路区包括接合焊盘区和连线区；多层互连线结构，形成于上述基板上，其中上述多层互连线结构包括多个介电层、多条较低导线和顶连线，上述多条较低导...

本发明提供一种具有接合垫的互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法，上述互补式金属氧化物半导体影像感测器包括：半导体衬底，具有像素区域以及电路区域；钝化层，位于该半导体衬底上，该钝化层具有开口；以及接合垫，位于该电路区域中，其中该接...

一种半导体制造工艺的冗余填充方法，提供电路图形，产生该电路图形的密度报告以辨别冗余填充（ｄｕｍｍｙ　　ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ）的可行区域（ｆｅａｓｉｂｌｅ　　ａｒｅａ）。该方法也包括利用该密度报告模拟平坦化（ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ）制造...

本发明提供一种半导体结构及半导体芯片，此半导体结构包括：对称式的金属氧化物半导体晶体管，其包括第一非对称式的金属氧化物半导体晶体管，其包括第一栅极电极以及邻接于该第一栅极电极的第一源极与第一漏极；以及第二非对称式的金属氧化物半导体晶体管...

本发明提供一种背照式半导体装置与制造方法。上述装置包括：衬底，其具有正面与背面；多个传感器元件，形成于该衬底中，所述多个传感器元件用来接收经引导朝向该背面的光线；以及传感器隔离结构，形成于该衬底中，水平配置于两个相邻的所述传感器元件间，...

一种浸润式微影方法、浸润式微影系统及其封闭板的对准方法。该浸润式微影系统的封闭板的对准方法，其中该浸润式微影系统包括具有一封闭板的一基材承载装置，该浸润式微影系统的封闭板的对准方法至少包括：提供一平板承载装置给该封闭板；提供一光侦测器至...

一种晶圆制造厂及其载具传输系统和方法。该晶圆制造厂包括一具有一供多个载具存放的内部暂存区的制程设备，每一制程设备包括一晶舟与一承载接口，以将该晶舟载入该内部暂存区或自该内部暂存区载出，该方法包括：决定一第一晶舟与一第二晶舟的相对顺位，该...

本发明涉及一种半导体结构，包括：半导体基底；第一导电型的第一金属氧化物半导体装置，包括：第一栅极介电层，形成于半导体基底上；含有金属的第一栅极电极层，形成于第一栅极介电层上；硅化层，形成于含有金属的第一栅极电极层上；以及第二导电型的第二...

本发明提供一种集成电路结构的形成方法，包括：形成低介电常数介电层；在该低介电常数介电层之中形成导线；形成自对准介电层，其中该导线以及该自对准介电层在水平地互相邻接；形成空气间隙，该空气间隙水平地邻接该自对准介电层以及该低介电常数介电层；...

本发明公开一种静态随机存取存储器元件，至少包括一第一反相器；一第二反相器与第一反相器交互耦合；一第一通过栅电晶体，连接第一反相器至一位元线；以及一第二通过栅电晶体，连接第二反相器至一互补位元线；其中，第一通过栅电晶体或第二通过栅电晶体具...

一种影像传感器装置及影像传感器的制造方法。该方法包含：提供半导体衬底，该半导体衬底具有像素区以及周边区；在该像素区中形成光传感元件；以及，在该像素区中形成至少一个晶体管，且在该周边区中形成至少一个晶体管。在该像素区与该周边区中形成该至少...

本发明提供一种金属氧化物半导体装置，包括：半导体基底，具有顶部表面；栅极叠层，位于该半导体基底上方；以及应激物，位于该半导体基底之中且邻接于该栅极叠层，其中该应激物至少包括具有第一顶部表面的第一部分，且该第一顶部表面低于该半导体基底的顶...

本发明提供一种半导体结构，包括：衬底；第一栅极介电层，在该半导体衬底上；第一栅极层，在该第一栅极介电层上；第一轻掺杂源极及漏极区域，在该半导体衬底中，并邻接该第一栅极介电层，其中该第一轻掺杂源极及漏极区域包含砷元素；及第一深层源极及漏极...

本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低介电系数介电层上；以及同时熟化低介电系数介电层及低介电系数帽盖层，以...

本发明公开了一种集成电路结构及其形成方法，上述集成电路结构具有空气间隙。上述集成电路结构包含：导线；侧壁间隔物于上述导线的侧壁上，其中上述侧壁间隔物包含介电材料；空气间隙（ａｉｒ－ｇａｐ）水平地毗邻着上述侧壁间隔物；以及介电层于上述空气...