本发明提供一种半导体装置，包括：衬底，具有在其内部形成的多个隔离区；栅极介电层及栅电极层，在该衬底上方；多个间隙壁，沿着该栅极介电层及该栅电极层的侧壁形成；多个源／漏极延伸区，在该衬底中，且在该栅极介电层的相对侧；多个源／漏极区，在该衬...

本发明提供一种降低互相扩散的半导体结构，包括第一阱区和第二阱区在半导体基底内，绝缘区在第一和第二阱区之间且邻接第一和第二阱区，栅极介电层在第一和第二阱区上；以及在栅极介电层上的栅极电极条，且从第一阱区上方延伸至第二阱区上方。栅极电极条包...

一种半导体元件，包括一第一信号线和一接地线，其中第一信号线包括一开口，且至少部分的接地线位于开口中。从而最小化或消减芯片上内连线的电感。

一种双功函数半导体装置的制造方法，包括：提供第一区域于半导体基底中，且包括至少一个第一电极；提供至少一个第二区域于该半导体基底中，且包括至少一个第二电极；提供第一金属层于该第一区域的第一电极之上且该第一金属层包括至少一个第一金属和至少一...

本发明提供一种半导体装置测试线结构、集成电路测试线结构与测试方法。其中，执行集成电路测试的测试线结构包括形成于半导体基底上的切割道区或集成电路晶粒区的测试线接合焊盘阵列、多个形成于接合焊盘区下的测试装置、以及选择性耦接一个测试装置的选择...

本发明提供一种Ｐ型金属氧化物半导体装置及半导体装置，包括：一栅极结构，形成于一基底上，该栅极结构包括通过一栅极介电层与该基底分隔的一掺杂硼硅化金属栅电极层，其中该掺杂硼硅化金属栅电极层包括镍及铂且包括一铂高峰区，该铂高峰区邻接该栅极介电...

本发明是有关于一种半导体装置及其应用。此半导体装置包括半导体基材、形成于半导体基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质...

本发明提供一种具有接合垫的半导体装置。该半导体装置包括：一第一基板，包含一元件区域以及一接合区域，其中该第一基板具有一上表面以及一底部表面；一半导体元件，设置于该元件区域的该第一基板的上表面上；一第一金属间介电层，至少形成于该接合区域的...

本发明提供一种工厂自动化系统以及相关方法。工厂自动化系统包括一制造执行系统、一物料控制系统、一自动化物料搬运系统以及一实时派发系统；制造执行系统用以提供晶片批次信息；物料控制系统用以提供动态流量信息；自动化物料搬运系统用以提供静态路径信...

一种光掩模与其制造方法。此光掩模包含有透明的基材、主要特征和辅助特征。主要特征包含有一衰减（Ａｔｔｅｎｕａｔｉｎｇ）材料，并被置放在基材上。辅助特征包含有可提供相位移的次解析度（Ｓｕｂ－Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）特征。辅助特征与主要特征相距...

本发明提供了一种增加背照式图像感测器的光灵敏度的系统与方法。此系统为集成电路，包括衬底，其具有相对的第一表面与第二表面；图像感测元件，包括至少一个晶体管形成于衬底的第一表面及感光区上；彩色滤光片，位于衬底的第二表面上；以及微镜片结构，位...

本发明是有关于一种晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法及其晶圆，其中该晶圆背面对准中重叠对准精度的判断方法，包含于晶圆正面上形成一埋层；在埋层上形成一导电层并在导电层上图案化出一第一测试结构以及一第二测试结构；在导电层上形成一蚀刻中止层...

本发明提供一种栅控二极管的半导体装置或其它相似的电子构件及其制作方法。上述半导体装置包含栅极结构，其设置于衬底上，且位于形成在衬底之中的沟道上方，并且此栅极结构还邻接源极区域及漏极区域。上述源极区域或漏极区域的顶部，或者是两区域的顶部，...

本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：第一含硅化合物层，该第一含硅化合物层包括一元素，该元素大体选自由锗及碳所组成的族群；硅层，在第一含硅化合物层之上，其中该硅层包括实质上的纯硅；及第二含硅化合物层，包括在硅层上的元素。第一及第...

本发明提供了一种形成半导体结构的方法，包括：形成牺牲层于基底上；形成第一介电层于该牺牲层上；形成多个导电结构于该牺牲层与该第一介电层内；处理该牺牲层并穿透该第一介电层，以部分移除该牺牲层并于这些导电结构中两个之间形成至少一个气隙；处理了...

一种半导体元件及用于半导体元件的内连接。在一实施例中，一介电层形成于一基底上，其中介电层中形成有一凹槽。一有机层形成于凹槽的侧壁上。一催化金属层形成于有机层上。一阻障金属层形成于催化金属层上。

本发明提供一种半导体结构及半导体晶圆，上述半导体芯片包括：第一半导体芯片；切割道，邻接于该第一半导体芯片；导电图案，位于该切割道上，且露出于该切割道的表面，其中该导电图案具有面对该第一半导体芯片的第一边缘；切口路径，位于该切割道之中；以...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置包括：衬底，具有裸片侧以及外侧；第一导电层，形成于该衬底的该裸片侧，其中该第一导电层被图案化以形成多个走线；以及多个导电凸块，其中每个导电凸块安装于该多个走线其中一个，并且与该多个导电...

本发明提供一种半导体芯片及集成电路结构。该半导体芯片包括一密封环、一开口及一水气挡块；密封环邻接于半导体芯片的边缘；开口从密封环的一顶面延伸至密封环的一底面；开口具有一第一端及一第二端；第一端位于密封环的一外侧上，以及第二端位于密封环的...

本发明提供一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构，包括：一半导体衬底，一介电层设于该半导体衬底上，一导线设于该介电层中，以及一金属碳化物盖层设于该导线上方。该半导体结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底，形成一介电层于该半导体衬底上，...