本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括提供具有铜区和非铜区的基底，将基底蚀刻除去来自铜区的任何铜氧化物，然后选择性地形成介电盖层在基底的铜区上方，使得基底的非铜区上方很少或无介电盖层形成。因此，本发明提出的半导体元件的制造方法可降低铜...

本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管及其形成方法，该金属氧化物半导体晶体管包括：栅极电极，位于半导体衬底上，其中该栅极电极包含金属氮氧化物。本发明可调整其功函数至能带边缘，并能获得高性能的金属氧化物半导体装置。

本发明提供一种集成电路结构及其制作方法，该制作方法包括：形成低介电常数层；形成开口于该低介电常数层中；形成阻挡层，该阻挡层覆盖该开口的侧壁与底部；用处理气体对该阻挡层进行处理；以及，在该开口中填入导电材料，该导电材料位于该阻挡层上。本发...

本发明涉及一种集成电路结构，包括衬底、位于衬底之中的从一端逐渐变窄的穿透硅通道、由衬底上表面延伸进入衬底的硬掩膜区，其中此硬掩膜围绕穿透硅通道的上方部分、位于衬底上的介电层、以及由介电层的上表面向穿透硅通道延伸的金属柱，其中金属柱包含与...

本发明涉及一种元件的制造方法。提供基底，包括多个芯片，芯片间是以切割线区域分隔，其中基底上至少形成一结构层。以黄光光刻和蚀刻工艺移除切割线区域中的部分结构层，形成多个开口。沿着切割线区域切割基底。在另一个实施例中，提供第一基底，其中第一...

一种适用于半导体工艺中的感光材质，包括：感光材料以及共聚物，其中该共聚物包括：多个光阻链以及多个疏水性碳链，其中每一个疏水性碳链系于这些光阻链中的一个上，且这些光阻链和这些疏水性碳链系相互复合，并对外加能量产生反应，而进行自组装以形成光...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极...

一种集成电路结构，包括：半导体芯片，包括多个介电层，其中所述多个介电层包括顶层介电层；以及第一密封环，与该半导体芯片的边缘相邻，包括位于所述多个介电层中的多个金属线和多个导孔，所述多个金属线包括位于顶层介电层中的顶层金属线，所述多个导孔...

本发明提供一种集成电路结构及其形成方法，该方法包括提供一表面，再对该表面进行离子化氧处理。接着使用包括第一含氧气体和四乙氧基硅烷（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ；ＴＥＯＳ）的第一工艺气体来形成包含有氧化硅的起始层。然后在起始层上形成...

一种形成零电容随机存储器单元的方法及其所产生的半导体结构。该半导体结构包括：半导体基底、位于半导体基底上的介电层、介电层中的开口、介电层上邻近开口的半导体带、位于半导体带表面上的栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极电极、以及源极／漏极区域...

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，具有一衬底与形成于上述衬底上的一栅极。一栅极间隔物形成于上述栅极旁，其高于上述栅极。上述半导体装置的制造方法包含提供具有一栅极层的一衬底，一硬掩模层则形成于上述衬底上，然后使用一图案蚀刻上述栅极层与...

本发明公开一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含：半导体衬底；开口，位于上述半导体衬底中；半导体层，位于上述开口中，并覆盖上述开口的底部与侧壁，其中上述半导体层与上述半导体衬底包含不同的材料；以及介电材料，位于上述半导体层上，并填...

本发明提供一种半导体芯片、集成电路结构及半导体晶圆，该半导体芯片包括：半导体衬底；晶圆穿孔结构，位于该半导体衬底内；多个导电图案，位于该半导体衬底之上且彼此相邻，其中所述多个导电图案的下表面和该晶圆穿孔结构的上表面实质上共平面，且其中该...

本发明提供一种磁性存储器组件。存储器组件包括一磁穿隧接面（ＭＴＪ）组件与一电极。电极包括一固定层、一被固定层与一非磁性传导层。在一实施例中，磁穿隧接面组件包含具有一第一表面区域的一第一表面，且电极包含一第二表面。在此实施例中，电极的第二...

本发明是关于一种互补式金氧半导体元件及其制造方法。一种具有功函数值约等于或小于４．３或４．４ｅＶ的Ｐ型金属材料层形成于高介电系数介电层之上，部分的Ｎ型金属层添加例如是氧、氮、碳、硅或其他物后，转换成Ｐ型金属材料，成为一具有高功函数值值约...

本发明提供一种背面照光感测器。该背面照光感测器，包含有具有正面的半导体基底。多个像素形成于该半导体基底的正面。至少一个像素具有光电栅结构。该光电栅结构具有栅极，且该栅极具有光反射层。本发明可以增加感测器的敏感度。

本发明公开一种半导体装置，特别是一种强化的晶圆级芯片尺寸封装的铜导电柱，其具有凸出上表面的一个或多个销状物。当软焊料球状物焊至上述导电柱时，软焊料则将上述销状物封入其中。上述销状物不但能增加上述软焊料球状物与上述导电柱之间的焊点剪应力强...

本发明是关于一种半导体制程机台，包括：用来容纳第一流体的第一槽体、第二槽体、循环系统、流体供应系统以及溢流系统。第二槽体用来接收由第一槽体溢流的第一流体，使其流入第二槽体的上方部，并容纳第二流体。循环系统建构于第一槽体与第二槽体之间，包...

本发明涉及一种具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构，包括半导体基材；以及在半导体基材上的表面上设有第一鳍式场效应晶体管与第二鳍式场效应晶体管。第一鳍式场效应晶体管包括第一鳍片；以及覆盖于第一鳍片的上表面及多个侧壁上的第一栅极。第二鳍式场...

本发明公开一种半导体结构的形成方法，包含：提供半导体衬底；形成栅极介电层于上述半导体衬底上；形成含金属层于上述栅极介电层上；以及形成复合层于上述含金属层上。形成上述复合层的步骤包含：形成未掺杂的硅层，其实质上不含Ｐ型与Ｎ型的掺杂物；及形...