本发明公开一种半导体封装结构及其制造方法。在一个实施例中，首先提供半导体芯片，其上露出多个导电层。提供第一基板，其具有第一表面与第二表面，第一表面露出多个介层插塞。将半导体芯片与第一基板接合，使导电层对准并接触介层插塞。从第二表面去除部...

本发明涉及一种集成电路结构，其包含一半导体基片，第一底金属层覆盖于此半导体基片之上，第二底金属层覆盖于第一底金属层之上，以及一过孔连接第一与第二底金属层。其中第一与第二底金属层间的金属线宽度大于最小特征尺寸。

一种层叠集成电路，包括：第一半导体裸片，具有前侧和后侧，第一半导体裸片包含元件；硅直通孔，穿过衬底和第一半导体裸片的前侧绝缘层；层间介电层，位于第一半导体裸片的前侧上，层间介电层具有实体连接硅直通孔的前侧的接触插塞和位于接触插塞与硅直通...

本发明涉及一种可控制温度的负载室，其用于半导体工艺。该负载室包括至少一个调节式冷却器、一质量流量控制器、至少一个温度传感器与一控制器。调节式冷却器供应具预定温度的流体至控温板，质量流量控制器供应气流至负载室，也有助于维持理想温度。此外，...

本发明为一种半导体元件、超薄晶粒封装体与半导体晶粒封装体，该半导体元件为晶片级芯片尺寸封装（ｗａｆｅｒ　ｌｅｖｅｌ　ｃｈｉｐ　ｓｉｚｅ　ｐａｃｋａｇｉｎｇ，ＷＬＣＳＰ）结构，包括半导体晶粒，其具有多个突出物在该半导体晶粒的表面，用以与有...

本发明提供一种半导体装置，包含：半导体衬底；ｎ型杯状结构，自该半导体衬底的上表面延伸至该半导体衬底中，其中该ｎ型杯状结构包含底部其埋藏于该半导体衬底中；ｐ型埋藏层，其位于该ｎ型杯状结构的该底部上，其中该ｐ型埋藏层埋藏于该半导体衬底中；以...

本发明公开一种晶片级芯片尺寸封装（ｗａｆｅｒ－ｌｅｖｅｌ　ｃｈｉｐ－ｓｃａｌｅ　ｐａｃｋａｇｅ）的制造方法，包括：形成多个导电柱于一半导体晶片的一第一表面上，该半导体晶片中具有多个裸片；以干蚀刻形成至少一沟槽于该半导体晶片的该第一表面中...

本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基底；栅极电极，位于该半导体基底之上，其中该栅极电极具有栅极宽度方向；源极／漏极区，位于该半导体基底中，且邻接该栅极电极，其中该源极／漏极区具有第一宽度，且该第一宽度平行于该栅极宽度方向；以及主体拾...

本发明是有关于一种判断晶圆薄化的方法、装置结构、机构及其制造方法，包括从半导体装置的背面磨除基材材料。侦测研磨装置内的电流变化，此电流变化是回应于基材材料暴露出的多个第一组装置结构，其中上述的磨除步骤是回应于侦测到的电流变化而停止。进行...

本发明提供一种改善可靠度的集成电路结构，包括：半导体衬底；介电层于所述半导体衬底上；金属线于所述介电层中；预处理层于所述金属线上，其中所述预处理层包含硼；以及金属盖于所述预处理层上，其中所述金属盖包含钨，且所述预处理层与所述金属盖是由不...

本发明涉及一种集成电路装置和存储矩阵，该装置包含一晶体管具有第一接点、第二接点和第三接点；一第一接触栓塞连接该晶体管的第一接点；一第二接触栓塞连接该晶体管的第一接点；一第一电阻式存储单元具有第一端点和第二端点，而且该第一端点连接该第一接...

一种半导体结构，包括：耐火金属硅化层；富硅耐火金属硅化层，位于该耐火金属硅化物上；以及富金属耐火金属硅化层，位于该富硅耐火金属硅化层上。该耐火金属硅化层、该富硅耐火金属硅化层与富金属耐火金属硅化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成金属...

本发明涉及一种形成封装结构的方法和一种集成电路封装结构。该方法至少包含提供一半导体裸片、提供一封装衬底、形成凸块于封装衬底上、以及将半导体裸片接合到封装衬底上，其中凸块电性连接半导体裸片及封装衬底。

本发明涉及一种金属氧化物半导体晶体管的接触结构及半导体静态随机存取存储器单元，上述接触结构包括：第一接触件，形成于第一介电层内，且与ＭＯＳ晶体管的源极／漏极区域接触；第二接触件，形成于第二介电层内，且与ＭＯＳ晶体管的栅极区域或该第一接触...

本发明提供一种封装及形成集成电路结构的方法，包括提供其表面上具有接合导体的晶圆，并涂抹混合底胶至晶圆的表面上。混合底胶包括底胶材料及助熔剂材料。在涂抹混合底胶的步骤后，将芯片接合至晶圆上，且使得芯片上的焊料凸块与接合导体连接。本发明能够...

一半导体存储器元件，包含有一衬底，以及位于其中的一沟槽。第一与第二浮动栅极在沟槽中延伸，每一个对应第一与第二存储器单元其中之一。因为沟槽可以被制作得非常的深，所以浮动栅极沿着深入衬底的方向的长度就可以非常的长，而浮动栅极对于平行于衬底表...

本发明是有关于一种具有晶圆黏片胶带的集成电路及其封装方法。该集成电路包含晶片及连接于晶片背部表面的异方性导电膜。晶片具有前表面、位于晶片前表面的反面的背部表面以及暴露于晶片背部表面的硅贯通电极。本发明利用异方性导电膜作为晶片的电性连接层...

本发明涉及一种光刻曝光装置、系统和光刻图形化方法。该装置至少包含曝光模块、烘烤模块和控制模块。曝光模块设计适用于曝光程序。烘烤模块嵌置于前述的曝光模块中，且设计适用于曝光后烘烤（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｉｎｇ；ＰＥＢ）。控制模...

一种半导体结构，包含：　半导体衬底；　第一导电类型的第一阱区，位于所述半导体衬底中；　含金属层，位于所述第一阱区上，其中所述含金属层与所述第一阱区形成肖特基势垒；以及　所述第一导电类型的第一重掺杂区，位于所述第一阱区中，其中所述第一重掺...

一种在金氧半导体场效应电晶体（ＭＯＳＦＥＴ）的源／漏极区中降低损坏形成的方法，该方法包含：提供一基板，该基板具有至少一栅极结构，该栅极结构包含：一栅极氧化层；一栅极电极层；及一源／漏极区，具有不纯物离子掺杂；植入一离子种类以产生非晶硅层...