一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。第一开关装置是耦接于固定磁轴层的一端，并具有第一控制闸。第二开关装置是耦接于自由磁轴层，并具有第二控...

一种具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元，包括：一下拉晶体管，具有第一栅极电极和位于其两侧的第一岛状半导体层，第一岛状半导体层包括第一源极、第一漏极和与第一栅极电极垂直的ｘ个条形第一开口；分别位于第一岛状半导体层的两侧与第一源极和第...

本实用新型提供一种四晶体管随机存取存储单元，包括一第一、第二、第三及第四晶体管。第一晶体管具有一第一导电性，其栅极耦接至一字元线而源极耦接至一位元线。第二晶体管具有第一导电性，其栅极耦接至第一晶体管的漏极而源极耦接接收一第一电压。第三晶...

一种在动态随机存取内存（Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ；ＤＲＡＭ）的更新（Ｒｅｆｒｅｓｈ）时脉中检测与修正错误（Ｅｒｒｏｒ　Ｃｈｅｃｋｉｎｇ　Ａｎｄ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇ；ＥＣＣ）的装置。本实用新型的特征在于，...

一种分离闸极快闪记忆晶胞（Ｓｐｌｉｔ　　Ｇａｔｅ　　Ｆｌａｓｈ　　Ｍｅｍｏｒｙ　　Ｃｅｌｌ）的字符线（Ｗｏｒｄ　　Ｌｉｎｅ）结构。在制作上，先提供分离闸极快闪记忆晶胞的闸极结构，其中此闸极结构上形成有字符线的材料层。再于此字符线材料层上...

本实用新型是一种以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件，所述静态存储元件包括一第一反相器、一第二反相器、一第一完全空乏绝缘层上半导体晶体管以及一第二完全空乏绝缘层上半导体晶体管；第一反相器有一耦接至一左位元节点的输入与一耦接至右位...

一种在半导体存储器制作工艺中减少光学近距效应的位线光掩模图案。此位线光掩模图案包括：多条位线，在位线上具有多个间隔相等的接触垫。这些位线彼此平行，形成栏状阵列，而且每间隔一条位线的两条位线上的接触垫彼此排列对齐。位线上接触垫具有矩形外观...

本发明涉及一种具有隐藏式更新内存功能的１－Ｔ内存结构及其操作方法，所述内存结构包括：多个内存阵列；多个感测放大器；一选择器；及一分享式数据锁存器。所述内存结构的操作方法包括下列步骤：比较发生存取及更新要求冲突的地址是否在同一内存阵列中；...

本发明涉及一种磁阻式随机存取存储单元的编程方法，首先提供具有一第一阻抗区以及一第二阻抗区的编程线，第二阻抗区的阻抗值小于第一阻抗区，且磁阻式随机存取存储单元与第一阻抗区的距离小于第二阻抗区。接着，提供编程电流流经编程线以产生磁场，并于第...

一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列元件：磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层和自由磁轴层之间的绝缘层；位元线是直接耦接于自由磁轴层，用以于读取动作时提供读取电流；编程线是于执行编程动作时提供编程电流；第一...

一种磁阻式随机存取存储器电路，包括以下元件：磁阻式存储单元具有一固定磁轴层、一自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的第一绝缘层，自由磁轴层具有最大截面以及易轴，且易轴方向大体与上述最大截面的方向垂直。位元线耦接于自由磁轴层...

一种电压提升电路，用以提供存储单元逻辑状态所需要的电压，其特征在于包括：　　　　一第一反相器，由一第一电压源提供工作所需要的电压，其输入端接收一字符译码信号；　　　　一第二反相器，由上述第一电压源提供工作所需要的电压，其输入端耦接上述第...

一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：多个磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。共同导电层是用以耦接磁阻式存储单元。多个限流装置分别具有第一极以及第二极，各限流装置的第一极是分...

本发明提供一种磁阻式存储单元以及磁阻式随机存取存储器电路。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、第一自由磁轴层、第二自由磁轴层，以及分别设置于固定磁轴层与第一自由磁轴层之间以及第一与第二自由磁轴层之间的绝缘层。位线是耦接于磁阻式存储单元，用以提...

本发明提供一种四晶体管随机存取存储单元，包括一第一、第二、第三及第四晶体管。第一晶体管具有一第一导电性，其栅极耦接至一字元线而源极耦接至一位元线。第二晶体管具有第一导电性，其栅极耦接至第一晶体管的漏极而源极耦接接收一第一电压。第三晶体管...

寻址电路２５０可用于对交叉点存储器阵列２５中的一个或多个存储元件寻址。寻址电路２５０包括第一组和第二组地址线１１６、１２６，用于对交叉点存储器阵列２５寻址。寻址电路还包括上拉和下拉电路元件１１２、１２２。上拉和下拉电路元件１１２、１２２...

本发明是一种以小读取电流侦测电子式熔丝状态的小型电路，具体为一种电阻式熔丝元件侦测电路，包括一电阻式熔丝元件，一第二电阻式熔丝元件、一第一反相器，一第二反相器、一第一主动装置与一第二主动装置。该第一主动装置耦接该电阻式熔丝元件与该第一反...

一种可程序金属氧化半导体存储电路及其可程序方法；该存储电路包括一第一、第二Ｎ型晶体管，其栅极连接漏极，并可耦接第一控制电压准位，其源极均耦接第二控制电压准位；其中，该第一及第二控制电压准位是用以使该第一或第二Ｎ型晶体管的漏极与源极间的电...

本发明提供一种装置调整及熔丝参考电阻调整的电路和电性装置调整方法。该装置调整电路包括：至少一参考装置、至少一调整装置、以及至少一电性熔丝基础控制单元。参考装置具有参考电性参数。调整装置耦接参考装置以形成调整参考装置，且调整参考装置根据参...

一种字符译码器，适用于存储器装置，用以驱动存储器数组中的字符线。此字符译码器包括第一电路、第二电路、缓冲电路以及电压提升装置。第一电路受第一电源线供电，且具有两反相的第一节点及第二节点，而第二节点耦接字符线。第二电路受第二电源线供电，并...