一种源信号线驱动器，适用于存储器装置，用以驱动耦接至多个闪存的多个源信号线。此源信号线驱动器包括多个源信号线驱动单元以及控制电路。每一源信号驱动单元用以驱动对应的源信号线，且每一源信号线连接至两列闪存。控制电路耦接于共通接点以及接地线之...

本发明涉及一种更新一存储模块的方法和电路。在接收确定一将被更新的字线的一更新地址后，该更新地址是位于该存储模块中一预定数量的存储区块中被监控的该存储区块。该方法更进一步判断当该存储区块被监控期间，该字线是否有存取动作。如果判断结果该字线...

本发明是一种控制电压位准的电路、偏压侦测电路以及补偿方法，所述控制电压位准的电路，其包括第一ＰＭＯＳ晶体管、ＭＯＳ次门坎电流源以及第一不随偏压改变电流源。第一ＰＭＯＳ晶体管耦接第一电压耦合器，第一ＰＭＯＳ晶体管的栅极与漏极彼此耦接。ＭＯ...

一种测定方法及测定系统，用于集成电路中测定嵌入式存储器宏模组的数据存取时间。单一外部测试信号输入至嵌入式存储器宏模组以致能数据输入，并获取数据输出。单一外部测试信号的脉冲宽度以递增方式增加，直到获得数据输出的闩锁。接着，可以获得数据存取...

本发明提供一种有多余备份功能的电保险丝储存格及其多余备份的方法。该有多余备份功能的电保险丝储存格包含：一第一组电保险丝，其包含至少一电保险丝；以及一第二组电保险丝有至少一电保险丝，提供多余备份给第一组电保险丝的至少一电保险丝，其中如果第...

本发明提供一种存储装置以及判断存储单元的写入电流的方法。该方法包括提供第一参考电流至第一操作线以切换存储单元至第一存储状态；提供第二参考电流至跨越第一操作线的第二操作线以切换存储单元至第二存储状态；根据第一比例以及第一参考电流得到第一写...

本发明提供一种存储器系统及只读存储器系统，用以缩短存储单元的存取时间。上述存储器系统包括：至少一存储单元、至少一位线放电次系统，具有至少一放电模组，每个放电模组耦接至位线，而位线又耦接至至少一存储单元，用以在放电控制信号触发时，将位线降...

本发明提供一种存储装置、非易失性存储装置以及微处理系统。所述存储装置，包括第一存储单元阵列、第二存储单元阵列以及第三存储单元阵列。第一存储单元阵列是用以储存至少一码。第二存储单元阵列是用以储存较码为更常更新的至少一数据。第三存储单元阵列...

一种抑制存储器阵列装置中的编程干扰的系统以及方法。该系统包括位线译码器以及偏压电阻模块。位线译码器耦接至存储器阵列的每一位线，用于提供预设电流转向路径。偏压电阻模块设置于闪存阵列的位线，且具有预设提供电压所提供的拉升电流。在编程连接至该...

本发明公开了一种非易失性存储单元，根据软击穿机制存储数据，存储器包括电阻耦接金属氧化物半导体的栅极或源／漏极。当软击穿发生在金属氧化物半导体装置上时，流经栅极介电层的漏电流增加，并通过检测漏电流的改变以得知存储器的状态。本发明还公开了一...

一种内建式自我测试启动方法，适用于启动待测电路中的内建式自我测试，包括：　　　　在至少一个存储器模块中配置具有预定尺寸的至少一个存储器区段，作为测试结果模块；　　　　启动适用于上述待测电路的内建式自我测试；以及　　　　存储测试结果于上述...

本发明是揭露一种数据写入方法，适用于设置于磁性随机存取存储器ＭＲＡＭ阵列中的ＭＲＡＭ存储单元的３－参数切换技术。本发明所揭露的技术是改变ＭＲＡＭ阵列的干扰边界与写入边界之间的关系，以透过增加原写入边界或是增加原干扰边界而降低阵列的整体干...

一种静态随机存取存储器（ｓｔａｔｉｃ　　ｒａｎｄｏｍ　　ａｃｃｅｓｓ　　ｍｅｍｏｒｙ，ＳＲＡＭ）存储单元，包括上拉ＭＯＳ装置、下拉ＭＯＳ装置、以及通栅ＭＯＳ装置。上拉ＭＯＳ装置具有第一驱动电流。下拉ＭＯＳ装置耦接上拉ＭＯＳ装置，且具有第...

非易失性磁性随机存取存储（ＭＲＡＭ）单元及其写入与制造方法。该ＭＲＡＭ单元包括字线，位线，以及磁性薄膜存储元件设置于该字线与位线的交叉处。该磁性薄膜存储元件包括由烯土元素及过渡金属元素构成的合金。被施加加热电流时，该字线可进行加热运作以...

一种用以感测一存储单元阻态的电路，其特征在于，该存储单元能切换于一高阻态与一低阻态之间，包括：　　　　一高参考单元位于高阻态；　　　　一低参考单元位于低阻态；　　　　一电压供应器提供一既定电压至该存储单元以产生一输出电流；　　　　一组差...

本发明提供一种静态随机存取存储器单元以及阵列，该静态随机存取存储器单元包括第一负载元件、第一下拉晶体管，以及耦接于第一负载元件与第一下拉晶体管之间的开关盒。开关盒用以接收开关控制信号，在上述静态随机存取存储器单元的读出操作期间，切断位于...

本发明提供一种用以提升存储器装置的可靠度的系统及其方法，该存储器装置中包括一或多个存储器区块，每一所述存储器区块具有一或多个主存储器单元列以及一或多个备用存储器单元列。至少一内建自我测试单元耦接至所述存储器区块，用以测试所述备用存储器单...

本发明提供一种存储器测试的方法，用以测试有多个单元板及多个位线板的存储器，包括下列步骤：将存储器置于测试模式；套用测试样本至存储器；当写入“１”到既定单元时，提供第一电压到单元板，第一电压高于一正供应电压的一半；当写入“０”到既定单元时...

一种非易失性存储单元以及存储器系统，用多端口改善读出存取。电阻形式存储器系统包括安排在阵列内的多个电阻形式存储单元。各电阻形式存储单元具有对应的第一端口以及对应的第二端口。各第一端口能够读出存取以及写入存取至对应的电阻形式存储单元。此外...

本发明提供一种静态随机存取存储器装置。该静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）装置包含至少一存储器单元，具有一源极线以接收一内部供应电源；以及一电压管理电路，耦接至该源极线以产生该内部供应电源，依照该存储器单元各种不同的运作模式将该内部供应电源...