存储装置、非易失性存储装置以及微处理系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储装置、非易失性存储装置以及微处理系统。所述存储装置，包括第一存储单元阵列、第二存储单元阵列以及第三存储单元阵列。第一存储单元阵列是用以储存至少一码。第二存储单元阵列是用以储存较码为更常更新的至少一数据。第三存储单元阵列是用以储存多个地址映射信息，地址映射信息是用以指出第二存储单元阵列中存储单元所对应的位置的信息。第二存储单元阵列大体较第一存储单元阵列可持续更多的程序周期。本发明专利技术将高持久存储单元与一般存储单元结合可将非易失性存储装置的使用面积以及成本最佳化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种集成电路设计，特别是有关于一种具有不同型态的存储单元阵列的非易失性存储装置。
技术介绍
快闪存储体(flash memory)是目前市面上最普遍的其中一种易失性(volatile)存储装置。快闪存储体是提供电子装置(例如计算机、数字摄影机，以及其他可携式装置)简单且快速的永久性数据储存能力。快闪存储体被视为一种固态装置(solid state device)，亦即不同于硬盘，快闪存储体的内容包括不可移动的部分。由于不具有可移动的部分，因此快闪存储体比硬盘具有更快速且更可靠的数据储存。因此，快闪存储体被视为其中一种在未来用以取代硬盘的大量数据(mass data)储存装置。以快闪存储体作为大量数据储存装置的一个技术上的挑战是为快闪存储体必须持续(endure)许多程序周期(program cycle)而不能失去作用。传统的快闪存储体单元包括设置于栅极氧化层的沟道区域(channel region)上的浮动栅(floating gate)。当程序运作时，电子是注射(inject)穿透栅极氧化层并且嵌入浮动栅中，以执行具有预定位值的存储单元。经过许多程序周期后，电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置，其特征在于，所述存储装置包括：一第一存储单元阵列，用以储存至少一码；一第二存储单元阵列，用以储存至少一数据，上述数据是较上述码为更常更新；以及一第三存储单元阵列，用以储存多个地址映射信息，上述地址映射信 息是用以指出上述第二存储单元阵列中至少一存储单元所对应的至少一位置的信息；其中上述第二存储单元阵列较上述第一存储单元阵列可持续更多的程序周期。

【技术特征摘要】
US 2005-8-10 11/201,2471.一种存储装置，其特征在于，所述存储装置包括一第一存储单元阵列，用以储存至少一码；一第二存储单元阵列，用以储存至少一数据，上述数据是较上述码为更常更新；以及一第三存储单元阵列，用以储存多个地址映射信息，上述地址映射信息是用以指出上述第二存储单元阵列中至少一存储单元所对应的至少一位置的信息；其中上述第二存储单元阵列较上述第一存储单元阵列可持续更多的程序周期。2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，上述第一存储单元阵列可持续至少1K个程序周期。3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，上述第二存储单元阵列可持续至少100K个程序周期。4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，位于上述第二存储单元阵列的存储单元是比上述第一存储单元阵列的存储单元占用更多的面积。5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，上述第一存储单元阵列的存储单元是为单晶体管存储单元，其中上述第二存储单元阵列的存储单元是为双晶体管存储单元，且其中上述第三存储单元阵列的存储单元是为单晶体管存储单元。6.一种非易失性存储装置，其特征在于，所述非易失性存储装置包括一第一存储单元阵列，用以储存至少一码；一第二存储单元阵列，用以储存至少一数据，上述数据是较上述码为更常更新，且上述第二存储单元阵列比上述第一存储单元阵列可持续更多个程序周期；以及一第三存储单元阵列，用以储存多个地址映射信息，上述地址映射信息是用以指出上述第二存储单元阵列中至少一存储单元所对应的至少一位置的信息；其中上述第二存储单元阵列的存储单元是比上述第一存储单元阵列的存储单元占用更多的面积。7.根据权利要求6所述的非易失性存储装置，其特征在于，上述第一存储单元阵列可持续至少1K个程序周期。8.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：池育德，王清煌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]