内建式自我测试启动方法及其系统技术方案

一种内建式自我测试启动方法，适用于启动待测电路中的内建式自我测试，包括：　　　　在至少一个存储器模块中配置具有预定尺寸的至少一个存储器区段，作为测试结果模块；　　　　启动适用于上述待测电路的内建式自我测试；以及　　　　存储测试结果于上述测试结果模块中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器测试，特别是涉及一种改善后的存储器内建式自我测试(Memory built-In Self Test，MBIST)设计或是逻辑内建式自我测试(Logic built-In Self Test，LBIST)设计。
技术介绍
存储器芯片为一种由数百万个晶体管与电容所组成的集成电路(Integrated Circuit，IC)。在现今的商业界中具有许多类型的存储器装置。大家所熟知的几种存储器类型包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、可编程只读存储器(Programmable Read-Only Memory，PROM)、可擦可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM)以及闪存(Flash Memory)。虽然每一种类型的存储器均具有独特的特性，但是上述所有的存储器共同存储非易失性数据。也就是当电力消失时，存储于上述存储器中的数据并不会遗失。存储于这些芯片中的数据是不可改变的，或是必需通过特定的操作程序而对存储于这些芯片中的数据进行变更。随机存取存储器(Random Access本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内建式自我测试启动方法，适用于启动待测电路中的内建式自我测试，包括在至少一个存储器模块中配置具有预定尺寸的至少一个存储器区段，作为测试结果模块；启动适用于上述待测电路的内建式自我测试；以及存储测试结果于上述测试结果模块中。2.如权利要求1所述的内建式自我测试启动方法，其中所述内建式自我测试为存储器内建式自我测试。3.如权利要求2所述的内建式自我测试启动方法，其中所述内建式自我测试提供多个指标用以指出上述测试结果模块的起始地址以及结束地址。4.如权利要求1所述的内建式自我测试启动方法，其中所述内建式自我测试为逻辑内建式自我测试。5.如权利要求4所述的内建式自我测试启动方法，其中所述内建式自我测试提供多个指标用以指出上述测试结果模块的起始地址以及结束地址。6.如权利要求1所述的内建式自我测试启动方法，其中所述待测电路电性耦接至测试电路。7.如权利要求1所述的内建式自我测试启动方法，其中所述内建式自我...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄建祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：