数据写入方法技术

本发明专利技术是揭露一种数据写入方法，适用于设置于磁性随机存取存储器ＭＲＡＭ阵列中的ＭＲＡＭ存储单元的３－参数切换技术。本发明专利技术所揭露的技术是改变ＭＲＡＭ阵列的干扰边界与写入边界之间的关系，以透过增加原写入边界或是增加原干扰边界而降低阵列的整体干扰。不论是透过增加原写入边界或是增加原干扰边界，本发明专利技术所揭露的３－参数切换技术皆可成功的降低意外写入未选取位的几率。本发明专利技术所述的数据写入方法，所揭露的３－参数转换技术可改善传统ＭＲＡＭ阵列所产生的总干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种磁性随机存取存储器(magnetic randomaccess memory，MRAM)装置，特别是有关于一种具有3-参数写入操作并且以阵列方式设置的磁性随机存取存储器装置，其中一个参数为非磁性参数，用以选取将要被写入的磁性随机存取存储器装置。
技术介绍
在MRAM单元(或位)中，存储单元的操作原理是为改变磁场(磁阻(magneto-resistance))中某些材料的电阻性(resistively)。透过具有自旋阀(spin valve)结构的装置可有效的增加磁阻。当电子自旋所产生的磁化向量(magnetization vectors)平行(相对于反平行(anti-parallel))于环境中磁化作用(magnetization)的方向时，磁化固态物(magnetized solid)中的电子明显比较不会受晶格散射(scattering by lattice)的影响而造成磁阻增加(巨磁阻(giantmagneto-resistance，GMR))。自旋阀结构主要的元件是为低抗磁(coercivity)(自由)铁磁层(ferromagnetic layer)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据写入方法，其特征在于，适用于透过至少三参数将一数据写入一磁性的存储单元阵列，其中每个存储单元包括由一自由铁磁层、一固定铁磁层以及设置于上述两者之间的一绝缘穿隧障壁层所形成的一堆叠，包括：提供用以选取多个存储单元的一非磁性效应，上述非磁性效应足以将所选取的上述存储单元的抗磁性降低至小于一预定临界值；提供接近所选取的上述存储单元的一第一磁场；于提供上述第一磁场期间，提供接近所选取的上述存储单元的一第二磁场；以及通过提供超过所选取的上述存储单元的一临界磁场以及结合降低的上述抗磁性以及上述第一磁场与第二磁场而改变所选取的上述存储单元的磁矩。

【技术特征摘要】
US 2006-4-20 11/379,5271.一种数据写入方法，其特征在于，适用于透过至少三参数将一数据写入一磁性的存储单元阵列，其中每个存储单元包括由一自由铁磁层、一固定铁磁层以及设置于上述两者之间的一绝缘穿隧障壁层所形成的一堆叠，包括提供用以选取多个存储单元的一非磁性效应，上述非磁性效应足以将所选取的上述存储单元的抗磁性降低至小于一预定临界值；提供接近所选取的上述存储单元的一第一磁场；于提供上述第一磁场期间，提供接近所选取的上述存储单元的一第二磁场；以及通过提供超过所选取的上述存储单元的一临界磁场以及结合降低的上述抗磁性以及上述第一磁场与第二磁场而改变所选取的上述存储单元的磁矩。2.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，提供上述非磁性效应包括于所选取的上述存储单元中提供一热效应，透过增加所选取的上述存储单元的温度而使所选取的上述存储单元的抗磁性降低至低于上述预定临界值。3.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，上述第一磁场是正交于上述第二磁场。4.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，提供上述第一磁场与第二磁场更包括于提供上述非磁性效应期间提供接近所选取的上述存储单元的上述第一磁场与第二磁场。5.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，提供上述第一磁场更包括于提供上述第二磁场期间，透过提供一电流至接近而并非流经所选取的上述存储单元而提供上述第一磁场。6.根据权利要求5所述的数据写入方法，其特征在于，提供上述电流至而并非流经所选取的上述存储单元以提供上述第一磁场，上述第一磁场是透过相同于提供流经所选取的上述存储单元的上述非磁性效应的导体而产生。7.根据权利要求5所述的数据写入方法，其特征在于，提供上述第二磁场包括提供一第二电流至所选取的上述存储单元。8.根据权利要求7所述的数据写入方法，其特征在于，上述第二电流是大于上述第一电流。9.根据权利要求5所述的数据写入方法，其特征在于，上述第一磁场是正交于上述第二磁场。10.根据权利要求5所述的数据写入方法，其特征在于，更包括启动耦接至对应于所选取的上述存储单元的多个切换装置，以提供上述第一电流流经所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文钦，邓端理，郑旭辰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]