【技术实现步骤摘要】
与本专利技术 一致的设备和方法涉及一种数据存储装置以及操作该数据存储 装置的方法，更具体地说，涉及一种使用^f兹性材料的》兹畴壁运动的数据存储 装置以及操作该数据存储装置的方法。
技术介绍
包括在铁》兹体中的i兹微小区(magnetic minute area)被称为^兹畴。》兹运 动的方向与》兹畴中的相同。可通过^f兹性材料的属性、形状和大小以及应用于 ;兹性材料的外部能量来适当控制石兹畴的大小和f兹化方向。磁畴壁是具有不同磁化方向的磁畴之间的边界区，并且具有预定容量。 可通过应用于;兹性材料的;兹场或电流来移动磁畴壁。也就是说，可在具有预 定宽度和厚度的磁层中形成具有特定磁化方向的多个磁畴，并且可使用具有 适当强度的》兹场或电流来移动;兹畴。可将磁畴壁运动原理应用于数据存储装置。当将磁畴壁运动原理应用于 数据存储装置时，由于磁畴壁运动允许磁畴经过读/写头，因此可在没有记录 介质的旋转或任何物理运动的情况下进行读/写操作。已经通过第6,834,005 B1号美国专利介绍了应用磁畴壁运动原理的数据存储装置的示例。图1是使用在第6,834,005 Bl号美国专利中...
【技术保护点】
一种使用磁畴壁运动的数据存储装置，所述数据存储装置包括： 磁层，具有多个磁畴； 写头，设置在磁层的一端部； 读头，读取写入磁层的数据；以及 电流控制器，连接到写头和读头。
【技术特征摘要】
KR 2006-9-29 10-2006-00963951、一种使用磁畴壁运动的数据存储装置，所述数据存储装置包括磁层，具有多个磁畴；写头，设置在磁层的一端部；读头，读取写入磁层的数据；以及电流控制器，连接到写头和读头。2、 如权利要求1所述的数据存储装置，其中，在^f兹层的另一端部设置读头。3、 如权利要求1所述的数据存储装置，其中，在与写头邻近的磁层的部 分设置读头。4、 如权利要求1所述的数据存储装置，其中，写头是这样的结构，其中， 依次布置第一电极、反铁磁层、铁磁层、分离层、磁层的所述端部和第二电极。5、 如权利要求4所述的数据存储装置，还包括在磁层和写头之间的分离层。6、 如权利要求5所述的数据存储装置，其中，分离层是导电层。7、 如权利要求1所述的数据存储装置，其中，读头是这样的结构，其中， 依次布置第一电极、反铁磁层、第一铁磁层、分离层、第二铁磁层和第二电极。8、 如权利要求1所述的数据存储装置，还包括在磁层和写头之间的分离层。9、 如权利要求7所述的数据存储装置，其中，分离层是绝缘层或导电层。10、 如权利要求8所述的数据存储装置，其中，分离层是绝缘层或导电 层，并且导电层的电阻大于^f兹层的电阻的10-100倍。11、 如权利要求1所述的数据存储装置，还包括驱动装置，连接到磁 层，并且提供能量，所述能量用于移动在所述多个^F兹畴的邻近^F兹畴之间的壁。12、 如权利要求1所述的数据存储装置，其中，磁层是线性磁层。13、 如权利要求1所述的数据存...
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