【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种数据存储装置，更具体地讲，涉及一种利用^兹性材料中的磁畴壁(magnetic domain wall)移动的数据存储装置和操作该数据存储装置 的方法。
技术介绍
构成铁磁体的微小磁区称为磁畴。磁畴中的所有电子的旋转(即它们的磁 矩的方向)是相同的。磁畴的大小和磁化方向能够根据磁性物质的性质、形状 和大小以及外部能量而被适当地控制。磁畴壁是具有不同》兹化方向的磁畴之间的边界部分。磁畴壁能够根据外 部磁场或施加于》兹性物质的电流而移动。也就是说，具有特定》兹化方向的多 个磁畴能够形成于具有预定宽度和厚度的磁层中，并且磁畴和磁畴壁能够通 过使用磁场或具有适当强度的电流被移动。磁畴壁移动的原理能够应用于数据存储装置。例如，当磁畴根据磁畴壁的移动而经过读/写;f兹头时，可在没有记录介质的物理移动(例如，旋转)的情况下实现读/写数据的操作。因此，与通常的随机存取存储器(RAM)不同，应 用了磁畴壁移动的原理的数据存储装置不需要用于指定读(或写)数据的基元 (cell)的字线(wordline),并且与硬盘驱动器(HDD)不同，不必旋转这种数据存 储装置的记...
【技术保护点】
一种数据存储装置，包括： 第一磁层，用于写数据，并包括在彼此相反的方向磁化的两个磁畴； 第二磁层，用于存储数据，并形成于第一磁层的至少一侧。
【技术特征摘要】
KR 2006-11-6 10-2006-01090721、一种数据存储装置，包括第一磁层，用于写数据，并包括在彼此相反的方向磁化的两个磁畴；第二磁层，用于存储数据，并形成于第一磁层的至少一侧。2、 如权利要求1所述的数据存储装置，还包括数据记录装置，连接至第 一磁层的两端以及第二磁层的与第 一磁层不相 邻的一端；读磁头，设置为与第二;兹层的与第一磁层不相邻的所述一端相距预定距离；电流检测器，连接至读磁头和数据记录装置。3、 如权利要求2所述的数据存储装置，其中，读;兹头包括顺序设置于第 二磁层的下表面的绝缘头层、电极层、铁磁自由层、分离层和铁磁固定层。4、 如权利要求3所述的数据存储装置，其中，电极层和铁磁固定层连接 至电流检测器。5、 如权利要求2所述的数据存储装置，其中，读磁头包括顺序设置于第 二磁层的下表面的铁磁自由层、分离层和铁磁固定层。6、 如权利要求5所述的数据存储装置，其中，铁磁固定层和第二磁层的 所述一端连接至电流;险测器。7、 如权利要求6所述的数据存储装置，其中，在第二-兹层的所述一端和 电流检测器之间以及第二磁层的所述一端和数据记录装置之间分别设置开关 装置。8、 如权利要求2所述的数据存储装置，其中，数据记录装置包括电流控 制器。9、 如权利要求2所述的数据存储装置，其中，数据记录装置包括电压控 制器。10、 如权利要求1所述的数据存储装置，其中，按照规则的间隔设置多 个第二磁层。11、 如权利要求1所述的数据存储装置，其中，形成堆叠结构的多个第 一磁层，所述多个第一磁层中的每个第一磁层具有设置于其上的多个第二磁 层。12、 如权利要求1所述的数据存储装置，其中，第一磁层和第二磁层具 有相同的材料。13、 如权利要求1所述的数据存储装置，其中，第一磁层满足这样的条件距离第一磁层的中心越远，第一磁层的两端中的至少一端的宽度越大。14、 如权利要求1所述的数据存储装置，其中，第一石兹层的两端中的一 端具有比除了第一磁层的两端以外的其余区域大的宽度。15、 如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄仁俊，曹永真，左圣熏，金起园，金洸奭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。