存储元件和存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种存储元件，该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中，通过中间层为所述存储层设置磁化固定层；中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中；以及形成存储层的铁磁性层具有１×１０↑［－５］或更大的磁致伸缩常数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储元件，该存储元件由存储层和磁化固定层构成，其中，存储层可以存储铁磁性层的磁化状态作为信息，磁化固定层具有固定的磁化方向，在该存储元件中，使电流沿垂直于膜表面的方向流动，以注入自旋极化电子，从而改变存储层的磁化方向；本专利技术还涉及一种包括存储元件的存储器，该存储器适合用作非易失性存储器(non-volatile memory)。
技术介绍
高速和高密度的DRAM已广泛用作诸如计算机的信息设备中的随机存取存储器。然而，由于DRAM是易失性存储器(其中，在电源断开时信息会被删除)，所以需要不会删除信息的非易失性存储器。例如，根据Nikkei Electronics(2001年2月12日(164～171页))，被构造成通过磁性材料的磁化来记录信息的磁性随机存取存储器(MRAM)已引起关注，并已发展成为潜在的非易失性存储器。在MRAM中，使电流分别流入彼此几乎垂直的两种地址线(字线(word line)和位线(bit line))中，以基于由每个地址线所产生的电流磁场，使在地址线交叉点中的磁性存储元件的磁性层的磁化反向，从而记录信息。图1示出了一般MRAM的示意图(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储元件，包括：存储层，其基于磁性材料的磁化状态来保持信息，其中，经由中间层为所述存储层设置磁化固定层；所述中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变所述存储层的磁化方向，从而将信息记录在所述存储层中；以及形成所述存储层的铁磁性层具有１×１０↑［－５］或更大的磁致伸缩常数。

【技术特征摘要】
JP 2006-5-12 2006-1344351.一种存储元件，包括存储层，其基于磁性材料的磁化状态来保持信息，其中，经由中间层为所述存储层设置磁化固定层；所述中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变所述存储层的磁化方向，从而将信息记录在所述存储层中；以及形成所述存储层的铁磁性层具有1×10-5或更大的磁致伸缩常数。2.根据权利要求1所述的存储元件，其中，形成所述存储层的所述铁磁性层具有150[Oe]或更大的抗磁力。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：山元哲也，大森广之，细见政功，肥后丰，山根一阳，大石雄纪，鹿野博司，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]