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本发明公开了一种存储元件，该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中，通过中间层为所述存储层设置磁化固定层；中间层由绝缘体形成；自旋极化电子沿堆叠方向被注入，以改变存储层的磁化方向，从而将信息记录在存储层中；以及...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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