【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及集成电路器件及其形成方法。
技术介绍
1、集成电路(“ic”)器件包括ic布局图(也称为“布局图”)中表示的一个或多个半导体器件。布局图是分层的，并且包括根据半导体器件的设计规范执行更高级功能的模块。模块通常由单元的组合构建，每个单元代表一个或多个被配置为执行特定功能的半导体结构。具有预先设计的布局图的单元(有时被称为标准单元)储存在标准单元库(为了简单起见，以下称为“库”或“单元库”)中，并可由各种工具(例如电子设计自动化(eda)工具)存取，以生成、优化和验证ic的设计。
2、为了减小ic器件的尺寸，有时在另一层半导体器件上方形成或接合一层半导体器件。示例包括互补场效应晶体管(cfet)器件，其中上部或顶部半导体器件以堆叠配置上覆下部或底部半导体器件。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种集成电路器件，包括：存储器阵列，包括多个存储器单元；第一字线，位于存储器阵列上方，并且电耦接到多个存储器单元之中的至少一个第一存储器单元；以及第二字线，位于存储器阵列下方，并且电耦接到多个存储器单元之中的至少一个第二存储器单元，其中，多个存储器单元之中的每个存储器单元包括互补场效应晶体管器件。
2、根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种集成电路器件，包括：存储器阵列，包括布置在存储器阵列的多个列和多个行中的多个存储器单元，其中，多个行包括第一行和第二行，第一字线，位于存储器阵列上方；以及第二字线，位于存储器阵列下方，其中第一行
3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：在衬底的前侧上方形成多个存储器单元，多个存储器单元布置在存储器阵列中；在衬底的前侧上方沉积并图案化前侧重分布结构，前侧重分布结构包括前侧字线，前侧字线在存储器阵列上方并且电耦接到多个存储器单元之中的至少一个第一存储器单元；在衬底的背侧上沉积并图案化背侧重分布结构，背侧重分布结构包括背侧字线，背侧字线在存储器阵列下方并且电耦接到多个存储器单元之中的至少一个第二存储器单元，其中，前侧字线具有在至少一个第二存储器单元上方延伸的部段，而不电耦接到至少一个第二存储器单元，或者背侧字线具有在至少一个第一存储器单元下方延伸的部段，而不电耦接到至少一个第一存储器单元。
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1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中
5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中
6.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中
7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中
8.一种集成电路器件，包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中
10.一种形成集成电路器件的方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中
5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中
【专利技术属性】
技术研发人员：林高正，藤原英弘，钟彦麟，詹伟闵，陈炎辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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