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本发明是揭露一种数据写入方法，适用于设置于磁性随机存取存储器ＭＲＡＭ阵列中的ＭＲＡＭ存储单元的３－参数切换技术。本发明所揭露的技术是改变ＭＲＡＭ阵列的干扰边界与写入边界之间的关系，以透过增加原写入边界或是增加原干扰边界而降低阵列的整体干扰。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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