【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及一种集成芯片。
技术介绍
1、现代集成芯片包括在半导体衬底(例如硅)上形成的数百万或数十亿个晶体管装置。集成芯片(ic)可能会使用许多不同类型的晶体管装置，具体取决于ic的应用。近年来，蜂窝和射频(radio frequency,rf)装置市场的不断增长，导致高电压晶体管装置的使用显著增加。举例来说，高电压晶体管装置由于能够处理高崩溃电压(例如，大于约50v)和高频，因此经常用于rf传输/接收链的功率放大器。
技术实现思路
1、在一些实施例中，本技术实施例提供一种集成芯片。集成芯片包含具有一个或多个内部表面的衬底，所述一个或多个内部表面形成在衬底的上表面内的凹陷；源极/漏极区设置在凹陷的相对侧上的衬底内；第一栅极介电质沿着形成凹陷的一个或多个内部表面配置；第二栅极介电质配置在第一栅极介电之上，且在凹陷之内；栅极设置在第二栅极介电质上；第二栅极介电质包括从第二栅极介电质的凹陷上表面向外延伸并沿第二栅极介电质的相对侧排列的一个或多个凸起。
2、在其他实施例中，本技术实施例提供一种集成芯片。集成芯片包含衬底；复合栅极介电质衬于衬底的凹陷上表面和内部侧壁，复合栅极介电质具有第一栅极介电质和在第一栅极介电质上的第二栅极介电质；源极/漏极区设置在复合栅极介电质的相对侧上的衬底内；栅极设置在复合栅极介电质上；复合栅极介电质包含中央区和围绕中央区的一个或多个周围区，第二栅极介电质具有一个或多个凸起，所述一个或多个凸起从一个或多个周围区内的第二栅极介电质的上表面向外延伸。
【技术保护点】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第二栅极介电质覆盖所述第一栅极介电质的最顶表面。
3.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第二栅极介电质沿所述第一栅极介电质的最顶表面和内部侧壁配置。
4.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第二栅极介电质具有在所述第二栅极介电质的最顶表面内的凹陷，所述栅极从所述第二栅极介电质的所述凹陷内延伸到所述第二栅极介电质的所述最顶表面之上。
5.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，由所述第二栅极介电质的内部侧壁形成的所述一个或多个凸起直接在所述第二栅极介电质之上。
6.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，更包括：
7.一种集成芯片，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的集成芯片，其特征在于，所述第二栅极介电质具有从所述第一栅极介电质的最顶表面的正上方横向地延伸到所述第一栅极介电质的凹陷上表面的正上方的最顶表面。
9.根据权利要求7所述的集成芯片，其特征在于，所述第二栅极
10.根据权利要求7所述的集成芯片，其特征在于，所述第二栅极介电质在横向地位于所述第二栅极介电质的最外层侧壁和所述第二栅极介电质的面向所述栅极的内部侧壁之间的位置处具有最大厚度。
...【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第二栅极介电质覆盖所述第一栅极介电质的最顶表面。
3.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第二栅极介电质沿所述第一栅极介电质的最顶表面和内部侧壁配置。
4.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第二栅极介电质具有在所述第二栅极介电质的最顶表面内的凹陷，所述栅极从所述第二栅极介电质的所述凹陷内延伸到所述第二栅极介电质的所述最顶表面之上。
5.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，由所述第二栅极介电质的内部侧壁形成的所述一个或多个凸起直接在所述第二栅极介电质之上。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋主名，钟于彰，周建志，陈映州，邱奕凯，陈斐筠，林其德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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