【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件用于各种电子应用，诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。
2、半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定的区中。但是，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的额外问题。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：形成包括交替设置的伪层和半导体层的多层堆叠件；在所述多层堆叠件的侧壁和顶面上形成多个伪栅极堆叠件，其中，所述多个伪栅极堆叠件中的两个伪栅极堆叠件彼此紧邻，并且在它们之间具有间隔；在所述多层堆叠件中形成第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，其中，所述第二源极/漏极区域与所述第一源极/漏极区域重叠；用多个替换栅极堆叠件替换所述多个伪栅极堆...
【技术保护点】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成电耦合至所述第二源极/漏极区域的源极/漏极接触插塞，其中，所述深接触插塞和所述源极/漏极接触插塞通过共享工艺来形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个替换栅极堆叠件中的一个是伪替换栅极堆叠件，并且其中，所述深接触插塞位于所述第一介电隔离区域和所述伪替换栅极堆叠件之间并且紧邻所述第一介电隔离区域和所述伪替换栅极堆叠件。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：用第二介电隔离区域替换所述多个替换栅极堆叠件中的第二个替换栅极堆叠件，其中，所述深接触插...
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成电耦合至所述第二源极/漏极区域的源极/漏极接触插塞，其中，所述深接触插塞和所述源极/漏极接触插塞通过共享工艺来形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个替换栅极堆叠件中的一个是伪替换栅极堆叠件，并且其中，所述深接触插塞位于所述第一介电隔离区域和所述伪替换栅极堆叠件之间并且紧邻所述第一介电隔离区域和所述伪替换栅极堆叠件。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：用第二介电隔离区域替换所述多个替换栅极堆叠件中的第二个替换栅极堆叠件，其中，所述深接触插塞位于所述第一介电隔离区域和所述第二介电隔离...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠宇，林俊言，洪昕扬，黄敬余，林威呈，曾健庭，吴亭昀，何韦德，廖思雅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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