半导体结构及其形成方法技术

提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开实施例的半导体结构包括：半导体主体的沟道区域，升高至隔离部件之上；栅极结构，包裹在沟道区域上方；源极/漏极部件，与沟道区域的侧壁接触；背侧硅化物层，设置在源极/漏极部件的底面上；以及背侧接触部件，延伸穿过隔离部件以接触背侧硅化物层的底面。背侧接触部件的侧壁通过第一背侧接触蚀刻停止层(CESL)和第二背侧CESL与隔离部件间隔开。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种缩小也增加了处理和制造ic的复杂性。

2、例如，随着集成电路(ic)技术朝着更小的技术节点发展，已经引入了多栅极器件，以通过增加栅极-沟道耦合、减小截止状态电流以及减小短沟道效应(sce)来改进栅极控制。多栅极器件通常是指具有设置在沟道区域的多于一侧上方的栅极结构或其部分的器件。鳍状场效应晶体管(finfet)和多桥沟道(mbc)晶体管是多栅极器件的实例，多栅极器件已经成为用于高性能和低泄漏应用的流行和有前途的候选器件。finfet具有在多于一侧上由栅极包裹的升高沟道(例如，栅极包裹从衬底延伸的半导体材料“鳍”的顶部和侧壁)。mbc晶体管具有可以部分或完本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述硅化物层底切所述第二接触蚀刻停止层。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述硅化物层进一步底切所述第一接触蚀刻停止层。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述硅化物层在所述源极/漏极部件的侧壁和所述第二接触蚀刻停止层之间延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述第一栅极间隔件、所述第二栅极间隔件、所述第一接触蚀刻停止层和所述第二接触蚀刻停止层的顶面...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述硅化物层底切所述第二接触蚀刻停止层。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述硅化物层进一步底切所述第一接触蚀刻停止层。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述硅化物层在所述源极/漏极部件的侧壁和所述第二接触蚀刻停止层之间延伸。

6.根据权利要求1所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶孟桓，谌俊元，苏焕杰，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：