本发明提供一种半导体存储器装置，存取架构以及其操作的方法，所述半导体存储器装置，其包括第一装置、第二装置、以及存储单元。第一装置耦接多个第一导线，用以在第一导线上产生小幅差动信号。第二装置，透过第一导线耦接第一装置。存储单元透过多个第二...

一种磁阻式随机存取存储器电路。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。位线是以一既定方向配置并耦接于自由磁轴层，用以产生第一磁场。数据线是耦接于固定磁轴层。开关装置是耦接于数据线以及接地...

本发明提供一种存储器程序控制电路，也就是涉及一种写入控制电路，该存储器写入控制电路透过一数据线连接一存储单元，在该存储单元的数据写入运作时用以控制一写入电流，利用此写入电流使数据线自动下降或上升，即选取或未选取，因而不需要额外的地址译码...

本发明提供一种存储晶片指明脚位状态的方法，适用于具有一或多个脚位的一存储器晶片。给予脚位优先顺序以获得脚位顺序，且较高顺序的脚位的状态支配较低顺序的脚位的状态。根据脚位顺序，产生脚位的状态的多个可能组合。该等可能组合以一数据表现格式来呈...

本发明提供一种存储器装置与双端口静态随机存取存储器。该存储器装置包含有一存储器单元阵列、至少二信号线以及一交错区。存储器单元阵列具有多个存储器，排列成列与行，其中，每一列与行包含有多个存储器。二信号线沿着该等存储器的一列延伸，该二信号线...

一种磁阻式随机存取存储器电路。磁阻式存储单元具有固定磁轴层、第一自由磁轴层、第二自由磁轴层，以及分别设置于固定磁轴层与第一自由磁轴层之间以及第一与第二自由磁轴层之间的绝缘层。位线耦接于磁阻式存储单元，用以提供第一磁场。第一编程线与第二编...

一种存储器读取方法，适用于读取两个以上的磁性隧道结装置，磁性隧道结装置与选择晶体管串联而形成存储器串列，上述存储器读取方法包括导通选择晶体管，测量存储器串列的第一阻抗值，存储第一阻抗值，在磁性隧道结装置之一的既定磁性隧道结装置执行交替切...

本发明提出一种具有增强的读／写操作的ＳＲＡＭ器件，该ＳＲＡＭ器件包括：第一存储单元组，该第一存储单元组与第一局部位线和第一局部互补位线相连以对其中的数据节点进行存取；第二存储单元组，该第二存储单元组与第二局部位线和第二局部互补位线相连以...

一种用于测试及修补具有多个熔丝单元并能以串接输入及输出数据的熔丝装置的电路，该电路包含一第一多工器，用以选择在该熔丝装置储存真实数据或反相数据；一第二多工器，用以选择自该熔丝装置读出真实数据或反相数据；一储存单元，用以储存错误单元的信息...

本发明提供了一种操作存储器的方法，包含在存储器单元上执行写入操作及读取操作。写入操作包含：在通用位线（ＧＢＬ）上开始第一通用位线预充电；以及在第一通用位线预充电开始后，启动一字线写入存储器单元，其中开始第一通用位线预充电以及启动字线的步...

一种操作存储器电路的方法包括提供存储器电路。存储器电路包括一存储器胞；连接到存储器胞的一字线；连接到存储器胞的一第一局部位线与一第二局部位线；以及分别耦合到第一局部位线与第二局部位线的第一全域位线与第二全域位线。此方法进一步包括起始一均...

公开了一种测试逻辑电路的系统，用于在具有存储单元阵列的一次性可编程（ＯＴＰ）式存储器中执行写入和读取操作，该系统包括测试单元列，其单元数与所述存储单元阵列的整列的单元数基本相同；测试单元行，其单元数与所述存储单元阵列的整行中单元数目基本...

本发明涉及一种双向移位寄存器，其包含一第一和第二正反器，一第一多工器具有一输出耦合到第一正反器的一输入，与一第二多工器具有一输出耦合到第二正反器的一输入，其中第一正反器的输出耦合到第二多工器的一输入，第二正反器的一输出耦合到第一多工器的...

一种磁阻式随机存取存储器电路，包括以下组件：磁阻式存储单元具有一固定磁轴层、一自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的第一绝缘层，自由磁轴层具有最大截面以及易轴，且易轴方向大体与上述最大截面的方向垂直。位线是耦接自由磁轴层，...

一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：多个磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。共同导电层是用以耦接磁阻式存储单元。多个限流装置分别具有第一极以及第二极，各限流装置的第一极是分...

一种字符译码器，适用于存储器装置，用以驱动存储器数组中的字符线。此字符译码器包括第一电路、第二电路、缓冲电路以及电压提升装置。第一电路受第一电源线供电，且具有两反相的第一节点及第二节点，而第二节点耦接字符线。第二电路受第二电源线供电，并...

一种可程序金属氧化半导体存储电路；该存储电路包括一第一、第二Ｎ型晶体管，其栅极连接漏极，并可耦接第一控制电压准位，其源极均耦接第二控制电压准位；其中，该第一及第二控制电压准位是用以使该第一或第二Ｎ型晶体管的漏极与源极间的电压（Ｖｄｓ）和...

一种源信号线驱动器，适用于存储器装置，用以驱动耦接至多个闪存的多个源信号线。此源信号线驱动器包括多个源信号线驱动单元以及控制电路。每一源信号驱动单元用以驱动对应的源信号线，且每一源信号线连接至两列闪存。控制电路耦接于共通接点以及接地线之...

本实用新型是一种控制电压位准的电路及偏压电压侦测电路，所述控制电压位准的电路，其包括第一ＰＭＯＳ晶体管、ＭＯＳ次门坎电流源以及第一不随偏压改变电流源。第一ＰＭＯＳ晶体管耦接第一电压耦合器，第一ＰＭＯＳ晶体管的栅极与漏极彼此耦接。ＭＯＳ次...

一种磁阻式随机存取内存电路，包括下列组件，磁阻式记忆单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层；一限流装置，其第一极耦接于自由磁轴层；开关装置耦接于固定磁轴层的一端，并具有一控制闸；第一选取线耦接于...