本发明提供一半导体集成电路装置及其制造方法，其可选择性对第一与第二晶体管的沟道施加应力。其中一第一晶体管的栅极结构包括一应力源，其在第一晶体管的沟道中产生应力，且一第二晶体管的栅极结构与一材料层接触，而材料层在第二晶体管的沟道中产生应力...

一种影像感测装置，包括：具有前表面以及后表面的半导体衬底；形成于该半导体衬底的该前表面上的多个像素，其中所述多个像素分别用于感测光线照射；形成于所述多个像素上的彩色滤光阵列，其中该彩色滤光阵列包括多个彩色滤光物，而所述多个彩色滤光物分别...

本发明涉及一种蚀刻多晶硅材料以避免形成异常多晶硅截面轮廓（ｐｒｏｆｉｌｅ）的方法，至少包含提供具有字符线（ｗｏｒｄ　ｌｉｎｅ）的基板，并在基板及字符在线沉积多晶硅层；接着在多晶硅层上沉积有机底部抗反射层（Ｂｏｔｔｏｍ　Ａｎｔｉｒｅｆｌｅ...

本发明是有关于一种用于形成可达６个场效应晶体管元件的多栅极区域场效应晶体管元件及其形成方法，该元件包括：一包括半导体材料的多鳍状结构，设置在基材之上；该多鳍状结构包括实质平行间隔分开的侧壁部分，每一侧壁部分包括主要内、外表面与上表面；其...

本发明提供一种应用于高频的无串扰晶圆级芯片尺寸封装（ｗａｆｅｒ　ｌｅｖｅｌｃｈｉｐ　ｓｃａｌｅ　ｐａｃｋａｇｉｎｇ，ＷＬＣＳＰ）。本发明的实施例包括衬底，其上有多种材料层及结构所形成的电路系统，形成在衬底上并连接至电路系统的信号接脚，围...

本发明关于一种半导体装置及形成该半导体装置的方法。该具低能带间隙层的半导体装置包括：含一半导体材质；一栅介电层，位于低能带间隙层上；一栅极，覆盖于栅介电层上；一与栅介电层邻接的第一源／漏极区，其中第一源／漏极区具有一第一传导特性；一与栅...

本发明提供一种鳍式场效应晶体管装置的制造方法，包括下列步骤：提供基底，其包含第一鳍及第二鳍；形成第一材料层于该第一鳍上，其中该第一材料层包含第一种类的杂质；提供第二种类的杂质于该第二鳍上；以及对该基底进行高温工艺，该基底包含该第一材料层...

本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包含位于衬底上的源极区和漏极区，其中源极区和漏极区掺杂第一种掺杂剂；在衬底上的源极区和漏极区之间形成的栅电极；在衬底上形成的栅间隙壁，栅间隙壁介于源极区和栅电极之间且紧邻栅电极；以及在栅间隙壁之中埋...

本发明是关于一种应变沟道半导体结构的制造方法，包括：提供具有一有源区的一基底，该基底为具有第一自然晶格常数的第一半导体材料所构成而该有源区为形成于该基底内的至少一隔离区所定义而成；形成至少一第一堆栈栅极于该有源区内；部分蚀刻该基底，于邻...

本发明揭示一种半导体装置。上述半导体装置包含一基底、一第一金属层、一介电层、与一第二金属层。上述第一金属层位于上基底上，且上述第一金属层包含实质上不含氮的体心立方晶格的金属；上述介电层位于上述第一金属层上；而上述第二金属层则位于上述介电...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供半导体衬底；在该衬底上形成高介电常数介电层；在该高介电常数介电层上形成富硅薄膜；对该富硅薄膜实施处理步骤，其中至少部分该富硅薄膜通过导入掺杂物而键合至该高介电常数介电层；以及在该富硅薄膜之上...

本发明是有关于一种具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法，其包括以下步骤：（ａ）形成一高介电常数薄膜于一基底上；（ｂ）以等离子体氮化该高介电常数薄膜；（ｃ）重复步骤（ａ），形成另一高介电常数薄膜于先前形成的该高介电常数薄膜上；（ｄ）重...

本发明涉及一种半导体结构，包括半导体衬底；绝缘区，实质上从半导体衬底的上表面延伸进入半导体衬底中；嵌入式介电间隙壁，邻近于绝缘区，其中该嵌入式介电间隙壁的底部紧邻该半导体衬底；以及半导体材料，紧邻该嵌入式介电间隙壁的上边缘，且延伸在嵌入...

一种半导体结构的形成方法，包括下列步骤：提供半导体衬底；以及形成高漏极电压金属氧化物半导体装置于该半导体衬底的表面上。于一实施例中，上述形成该高漏极电压金属氧化物半导体装置于该半导体衬底的表面上的步骤，包括下列步骤：形成阱区，该阱区具有...

本发明提供一种半导体结构，包括：一半导体衬底；一栅极堆叠层，位于该半导体衬底上；一硅锗区，位于该半导体衬底中且与该栅极堆叠层相邻，其中该硅锗区具有一第一原子百分比，该第一原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比；一硅化区，位于该硅锗区...

本发明提供一种集成电路结构的制造方法及内插板芯片的处理方法，该制造方法包括提供内插板晶片，将内插板晶片固定到工作晶片上，使内插板晶片的背面薄化，在薄化步骤之后，将工作晶片从内插板晶片移开，将内插板晶片固定到治具上，以及将芯片接合至内插板...

一种多层叉合（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ）金属电容结构，其每一层是由两个极性不同的梳状结构金属电极彼此叉合而构成，且任两相邻层中的金属电极的梳状结构互相垂直，并藉由梳状结构边上的介层窗（Ｖｉａ）连接同极金属电极。其中，任两金属电极之间...

一种螺旋电感结构及其制备方法与封装结构。在一个实施例中，所述方法包括提供基材，在该基材上方形成螺旋图案化导体层，用以形成平面螺旋导体。介层洞形成于螺旋图案化导体层内部的基材中，该介层洞通过硅通孔技术制成。之后，以核心层填充该介层洞，其中...

本发明是关于一种磁偏压铁磁性螺旋电感器，至少包含一半导体基材以及一第一绝缘层设于该半导体基材上；一螺旋线圈电感器设于该第一绝缘层上以及一第二绝缘层设于该螺旋线圈电感器上；一图案化铁磁层设于该第二绝缘层上以及一图案化磁偏压层设于该图案化铁...

本发明涉及一种静态随机存取存储器装置及其控制电路及控制方法，所述控制方法及电路，用以控制存储器装置的电源供应，在至少一字符线被选择时，则供应电源线会被控制，使得被选择到的字符线所对应的预设存储单元接收一预设主动模式电压，而其它未被选择到...