磁性随机存取存储单元、其写入方法及其制造方法技术

非易失性磁性随机存取存储（ＭＲＡＭ）单元及其写入与制造方法。该ＭＲＡＭ单元包括字线，位线，以及磁性薄膜存储元件设置于该字线与位线的交叉处。该磁性薄膜存储元件包括由烯土元素及过渡金属元素构成的合金。被施加加热电流时，该字线可进行加热运作以加热该薄膜存储元件。加热该磁性薄膜存储元件至既定临界温度减低其矫顽性，而得以在施加磁场时容许磁性状态的翻转。磁性薄膜元件的磁性状态可依照异常霍尔效应原理而决定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非易失性存储器，特别涉及磁性随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM存储器阵列，及其前述物件的使用方法。
技术介绍
磁性随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory；MRAM)是非易失性存储器的一种类型，利用磁性而非电力以贮存数据。对于传统MRAM单元的描述，请参照由Jhon Jhy Liaw所提出，名称为“Magnetic RandomAccess Memory Device”、申请号为10/907,977的美国专利申请。图1显示已知磁性隧道结(MTJ；magnetic tunnel junction)MRAM单元的剖面图100。典型的MTJ MRAM单元包括层绝缘物102，被包夹于两个磁性物电极间。该绝缘物102也被称为隧道阻障物(tunnel barrier)。前述电极之一为固定强磁(ferromagnetic)层104，产生强钉扎场(strong pinning field)，以维持其在既定方向的磁性偏极化。另一前述电极为自由强磁层106，其可自由转动，以维持磁性偏极化在两方向其中之一。该自由强磁层106被连接至顶电极，及被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁性随机存取存储单元，包括：　　　　字线；　　　　位线；以及　　　　磁性薄膜存储元件，设置于所述字线及所述位线的交叉处，其中所述磁性薄膜存储元件包括由烯土元素和过渡金属元素构成的合金，其中被施加加热电流时，所述字线可进行加热运作以加热所述薄膜存储元件。

【技术特征摘要】
US 2006-4-28 11/380,7771.一种磁性随机存取存储单元，包括字线；位线；以及磁性薄膜存储元件，设置于所述字线及所述位线的交叉处，其中所述磁性薄膜存储元件包括由烯土元素和过渡金属元素构成的合金，其中被施加加热电流时，所述字线可进行加热运作以加热所述薄膜存储元件。2.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，其中对所述薄膜存储元件的加热减低所述薄膜存储元件的矫顽性。3.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，其中所述加热电流结合磁场将所述磁性存储元件的磁性状态翻转，所述磁场由通过邻近字线的电流所产生。4.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，其中对构成所述磁性存储元件的物质的选择，被最佳化成能够在少量温度变化中增进矫顽性的减低。5.如权利要求4所述的磁性随机存取存储单元，其中对构成所述磁性存储元件的物质的选择，被最佳化成具有被增大的异常霍尔系数。6.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，其中所述磁性薄膜存储元件具有平面十字型轮廓，所述磁性薄膜存储元件实质上位于所述交叉处的中心。7.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，其中所述位线实质上正交于所述字线。8.如权利要求1所述的磁性随机存取存储单元，还包括第一写入线，其中所述第一写入线平行所述字线且邻近磁性薄膜所述存储元件。9.如权利要求8所述的磁性随机存取存储单元，还包括第二写入线，其中所述第二写入线平行所述第一写入线且比所述第一写入线更靠近所述磁性薄膜存储元件的相反侧。10.如权利要求8所述的磁性随机存取存储单元，其中所述加热电流结合磁场将所述磁性存储元件的磁性状态翻转，所述磁场由通过所述第一写入线的电流所产生。11.如权利要求9所述的磁性随机存...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智濠，赖志煌，王郁仁，邓端理，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]