分离闸极快闪记忆晶胞的字符线结构制造技术

一种分离闸极快闪记忆晶胞（Ｓｐｌｉｔ　　Ｇａｔｅ　　Ｆｌａｓｈ　　Ｍｅｍｏｒｙ　　Ｃｅｌｌ）的字符线（Ｗｏｒｄ　　Ｌｉｎｅ）结构。在制作上，先提供分离闸极快闪记忆晶胞的闸极结构，其中此闸极结构上形成有字符线的材料层。再于此字符线材料层上形成覆盖层。接着，利用化学机械研磨（ＣＭＰ）技术移除部分的覆盖层与部分的字符线材料层。于暴露的字符线材料层的表面上形成氧化层后，去除剩下的覆盖层及其下方的字符线材料层，而形成分离闸极快闪记忆晶胞的方型（Ｂｏｘ－ｓｈａｐｅ）字符线。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术关于一种分离闸极快闪记忆晶胞(Split Gate Flash Memory Cell)的字符线(word Line)，且特别是关于一种利用化学机械研磨(CMP)技术所形成的分离闸极快闪记忆晶胞的方型(Box-shape)字符线。
技术介绍
在闪存组件中，分离闸极闪存组件与堆栈闸极闪存组件相较之下，不仅体积较微小，且更省电。因此，目前分离闸极闪存已成为相当受欢迎的存储元件。在分离闸极闪存中，通常利用复晶硅间隙壁来做为字符线，来降低分离闸极闪存的尺寸。请参照附图说明图1至图7，其为现有分离闸极快闪记忆晶胞的字符线的制程剖面图。首先，在半导体的基材100上形成依序堆栈的氧化层102、复晶硅层104、以及氮化层106。其中，氧化层102以及复晶硅层104用以制作浮置闸极(Floating Gate)的材料层。再利用微影与蚀刻制程定义氮化层106与复晶硅层104，移除部分的氮化层106以及部分的复晶硅层104，借以形成开口108，而提供制作部分的内存闸极组件的区域。其中，此开口108并未暴露出氧化层102，且开口108于复晶硅层104的区域的侧壁成倾斜状，而形成凹槽状结构，如图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分离闸极快闪记忆晶胞的字符线结构，其特征在于，至少包括：　　　　该分离闸极快闪记忆晶胞的一闸极结构位于一基材上；以及　　　　一方型间隙壁位于该闸极结构的一侧壁上。

【技术特征摘要】
1.一种分离闸极快闪记忆晶胞的字符线结构，其特征在于，至少包括该分离闸极快闪记忆晶胞的一闸极结构位于一基材上；以及一方型间隙壁位于该闸极结构的一侧壁上。2.如权利要求1所述的分离闸极快闪记忆晶胞的字符线结构，其特征在于，该方型间隙壁的材料为复晶硅。3.如权利要求1所述的分离闸极快闪记忆晶胞的字符线结构，其特征在于，一介电绝缘层薄膜位于该间隙壁上。4.如权利要求1所述的分离闸极快闪记忆晶胞的字符线结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻中一，罗际兴，蔡嘉雄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]